公开(公告)号：FR3064111A1

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：FR1752069

申请日：2017-03-14

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： JULIEN FRANCK ,  NIEL STEPHAN ,  RICHARD EMMANUEL ,  WEBER OLIVIER

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/822 ,  H01L29/72

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de premiers, deuxièmes et troisièmes transistors de types différents dans et sur des premières (LV), deuxièmes (MV) et troisièmes (HV) zones semiconductrices d'un circuit intégré, comprenant les étapes suivantes : a) déposer une première couche de diélectrique (16) et une première couche de silicium polycristallin (18) sur les troisièmes zones ; b) déposer une seconde couche de diélectrique (20) sur les deuxièmes zones ; c) déposer une couche d'interface (21) sur les premières zones ; d) déposer une couche de matériau à forte permittivité (22) puis une couche de matériau métallique (24) sur les premières et secondes zones ; e) déposer une seconde couche de silicium polycristallin (26) sur les premières, deuxièmes et troisièmes zones ; f) définir les grilles des transistors dans les troisièmes zones (HV) ; et g) définir les grilles des transistors dans les premières et deuxièmes zones.

公开(公告)号：FR3068507B1

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：FR1756181

申请日：2017-06-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： JULIEN FRANCK

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/318 ,  H01L21/469 ,  H01L21/8232

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de première (16P) et deuxième (16N) régions semiconductrices séparées par des tranchées isolantes (22), comprenant successivement : recouvrir un substrat semiconducteur (10) d'une première couche de nitrure de silicium et la première région d'une couche de protection ; recouvrir la structure d'une deuxième couche de nitrure de silicium ; graver puis remplir les tranchées d'un oxyde de remplissage jusqu'à un niveau situé au-dessus de la couche de protection ; retirer sélectivement la deuxième couche de nitrure et la partie de la première couche de nitrure située sur la deuxième région ; retirer la couche de protection, et graver sélectivement l'oxyde de remplissage par gravure humide, d'où il résulte des cuvettes (28) autour de la deuxième région (16N) ; et retirer sélectivement la partie de la première couche de nitrure de silicium située sur la première région (16P).

公开(公告)号：FR3069702B1

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：FR1757144

申请日：2017-07-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： JULIEN FRANCK

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/335

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication simultanée d'un transistor MOS de type SOI, et de premier et deuxième transistors sur substrat massif, comprenant : a) prévoir une couche semiconductrice (104) sur une couche isolante (102) recouvrant un substrat semiconducteur (100) ; b) former un masque comportant, au-dessus de l'emplacement (202N) du deuxième transistor, une ouverture centrale moins large que le deuxième transistor à former ; c) à l'aplomb de l'ouverture, graver entièrement les couches semiconductrice et isolante, d'où il résulte des portions restantes (210) de la couche isolante à l'emplacement du deuxième transistor ; d) faire croître par épitaxie du semiconducteur jusqu'au niveau supérieur de la couche semiconductrice (104) ; e) former des tranchées isolantes (124) ; et f) former les isolants de grille (132, 220) des transistors, l'isolant de grille (220) du deuxième transistor comprenant au moins une partie desdites portions restantes (210) de la couche isolante (102).

公开(公告)号：FR3067516A1

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：FR1755226

申请日：2017-06-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： JULIEN FRANCK ,  CHAIRAT FREDERIC ,  BLANC NOEMIE ,  BLOT EMMANUEL ,  ROUX PHILIPPE ,  THERET GERALD

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/76

Abstract: L invention concerne un procédé de fabrication de première (16P) et deuxième (16N) régions semiconductrices séparées par des tranchées isolantes (22), comprenant : a) recouvrir un substrat semiconducteur de nitrure de silicium ; b) doper par implantation ionique le nitrure de silicium situé au-dessus de la première région ; c) graver les tranchées (22) à travers le nitrure de silicium ; d) graver partiellement de manière isotrope le nitrure de silicium dopé ; e) remplir les tranchées d un isolant jusqu à un niveau situé au-dessus de celui de la première région ; et f) retirer le nitrure de silicium, d où il résulte que les bords de la première région seulement sont recouverts d un anneau d isolant (50).