公开(公告)号：FR3067516B1

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：FR1755226

申请日：2017-06-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： JULIEN FRANCK ,  CHAIRAT FREDERIC ,  BLANC NOEMIE ,  BLOT EMMANUEL ,  ROUX PHILIPPE ,  THERET GERALD

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/76

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de première (16P) et deuxième (16N) régions semiconductrices séparées par des tranchées isolantes (22), comprenant : a) recouvrir un substrat semiconducteur de nitrure de silicium ; b) doper par implantation ionique le nitrure de silicium situé au-dessus de la première région ; c) graver les tranchées (22) à travers le nitrure de silicium ; d) graver partiellement de manière isotrope le nitrure de silicium dopé ; e) remplir les tranchées d'un isolant jusqu'à un niveau situé au-dessus de celui de la première région ; et f) retirer le nitrure de silicium, d'où il résulte que les bords de la première région seulement sont recouverts d'un anneau d'isolant (50).

公开(公告)号：FR3067516A1

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：FR1755226

申请日：2017-06-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： JULIEN FRANCK ,  CHAIRAT FREDERIC ,  BLANC NOEMIE ,  BLOT EMMANUEL ,  ROUX PHILIPPE ,  THERET GERALD

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/76

Abstract: L invention concerne un procédé de fabrication de première (16P) et deuxième (16N) régions semiconductrices séparées par des tranchées isolantes (22), comprenant : a) recouvrir un substrat semiconducteur de nitrure de silicium ; b) doper par implantation ionique le nitrure de silicium situé au-dessus de la première région ; c) graver les tranchées (22) à travers le nitrure de silicium ; d) graver partiellement de manière isotrope le nitrure de silicium dopé ; e) remplir les tranchées d un isolant jusqu à un niveau situé au-dessus de celui de la première région ; et f) retirer le nitrure de silicium, d où il résulte que les bords de la première région seulement sont recouverts d un anneau d isolant (50).