公开(公告)号：FR2911005A1

公开(公告)日：2008-07-04

申请号：FR0655981

申请日：2006-12-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MAJCHERCZAK SANDRINE ,  TINELLA CARLO ,  RICHARD OLIVIER ,  CATHELIN ANDREA

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention concerne un transistor MOS (32, 34) adapté à la tenue de forts courants, comprenant des zones dopées correspondant à des premières et secondes bornes principales de transistors MOS élémentaires et ayant, vues de dessus, la forme de bandes parallèles séparées par des régions de grille ; des premiers éléments conducteurs (54, 56, 62, 64) ne s'étendant pas sur les zones dopées correspondant aux secondes bornes principales et se divisant en des premiers doigts s'étendant au moins en partie sur les zones dopées correspondant aux premières bornes principales et connectés à celles-ci ; et des seconds éléments conducteurs (58, 60) ne s'étendant pas sur les zones dopées correspondant aux premières bornes principales et se divisant en des seconds doigts s'étendant au moins en partie sur les zones dopées correspondant aux secondes bornes principales et connectés à celles-ci, les seconds doigts étant au moins en partie intercalés avec les premiers doigts.