公开(公告)号：FR2982077A1

公开(公告)日：2013-05-03

申请号：FR1159707

申请日：2011-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK

IPC: H01L29/747 ,  H01L27/06

Abstract: L'invention concerne un triac à amplification de gâchette comprenant dans un substrat semiconducteur (1) d'un premier type de conductivité un triac vertical (TR) et un transistor bipolaire latéral (T) dont l'émetteur est relié à la gâchette du triac, la base à une borne de commande et le collecteur à une borne destinée à être connectée à une première tension de référence (GND), la borne principale du triac du côté du transistor étant destinée à être connectée à une deuxième tension de référence (VCC), le transistor étant réalisé dans un premier caisson (30) du deuxième type de conductivité et le triac comprenant du côté du transistor un deuxième caisson (3) du deuxième type de conductivité, les premier et deuxième caissons étant réalisés de sorte que la tension de claquage substrat-caisson du transistor est supérieure à la tension de claquage substrat-caisson du triac d'au moins la différence entre les première et deuxième tensions de référence.

公开(公告)号：FR2969824A1

公开(公告)日：2012-06-29

申请号：FR1061212

申请日：2010-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/87

Abstract: L'invention concerne une diode de Shockley bidirectionnelle de type mésa, comprenant un substrat (1) d'un premier type de conductivité ; une couche (3, 5) du deuxième type de conductivité de chaque côté du substrat ; une région (7, 9) du premier type de conductivité dans chacune des couches du deuxième type de conductivité ; une région enterrée (17, 19) du premier type de conductivité sous chacune desdites régions du premier type de conductivité, chaque région enterrée étant complémentaire en projection de l'autre ; et un sillon (40, 42) disposé au voisinage de la périphérie du composant sur chacune de ses faces, la partie du composant externe au sillon comprenant , sous la partie externe (3-1, 5-1) des régions du deuxième type de conductivité supérieure et inférieure, des régions du premier type de conductivité (17-1, 19-1) de même profil de dopage que lesdites régions enterrées.

公开(公告)号：FR2969823A1

公开(公告)日：2012-06-29

申请号：FR1061208

申请日：2010-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/87

Abstract: L'invention concerne une diode de Shockley bidirectionnelle de type mésa délimitée sur ses deux faces par un sillon périphérique rempli d'une glassivation comprenant un substrat (1) d'un premier type de conductivité ; une couche (3, 5) du deuxième type de conductivité de chaque côté du substrat ; une région (7, 9) du premier type de conductivité dans chacune des couches du deuxième type de conductivité ; une région enterrée (17, 19) du premier type de conductivité sous chacune desdites régions du premier type de conductivité, à l'interface entre le substrat et la couche correspondante du deuxième type de conductivité, chaque région enterrée étant complémentaire en projection de l'autre ; et un anneau périphérique (40, 42) sous la périphérie externe de chacune des glassivations, de même profil de dopage que lesdites régions enterrées.

公开(公告)号：FR2969823B1

公开(公告)日：2013-09-20

申请号：FR1061208

申请日：2010-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/87

公开(公告)号：FR2987698A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：FR1251947

申请日：2012-03-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： MENARD SAMUEL ,  HAGUE YANNICK ,  GAUTIER GAEL

IPC: H01L23/58 ,  H01L27/04

Abstract: L'invention concerne un composant de puissance vertical comprenant un substrat en silicium d'un premier type de conductivité et, du côté d'une face inférieure ne supportant qu'une seule électrode (A2), un caisson (5) du second type de conductivité, dans lequel la périphérie du composant comprend, du côté de la face inférieure, une tranchée périphérique (33) au moins partiellement remplie d'une passivation (34) et, entre le caisson (5) et la tranchée (33), un anneau isolant (35) en silicium poreux.

公开(公告)号：FR2969825A1

公开(公告)日：2012-06-29

申请号：FR1061213

申请日：2010-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： HAGUE YANNICK ,  MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/87 ,  H01L21/70

Abstract: L'invention concerne un composant de puissance bidirectionnel vertical de type mésa, comprenant : un substrat (1) d'un premier type de conductivité ; une couche (3, 5) du deuxième type de conductivité de chaque côté du substrat ; des premières régions (7, 9) du premier type de conductivité dans chacune des couches du deuxième type de conductivité ; et, en périphérie de chacune de ses faces, deux sillons successifs, le sillon interne (40, 42) traversant les couches (3-5) du deuxième type de conductivité, des deuxièmes régions (7-1, 9-1) dopées du premier type de conductivité étant formées sous la surface des sillons externes (44, 46) et ayant le même profil de dopage que les premières régions.

公开(公告)号：FR2963984A1

公开(公告)日：2012-02-24

申请号：FR1056633

申请日：2010-08-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL ,  HAGUE YANNICK

IPC: H01L29/87

Abstract: L'invention concerne une diode de Shockley comprenant : un empilement vertical de première à quatrième couches (13, 11, 12, 18) de types de conductivité alternés entre des première (15) et seconde (14) électrodes ; un évidement (21) formé dans la quatrième couche et s étendant verticalement jusqu'à pénétrer dans la deuxième couche (11) ; une première région (23) de même type de conductivité que la deuxième couche (11) mais de niveau de dopage supérieur, s étendant au fond de l'évidement dans la deuxième couche ; et une deuxième région (24) de même type de conductivité que la troisième couche (12) mais de niveau de dopage supérieur, s étendant le long des parois latérales de l'évidement et reliant la première région (23) à la quatrième couche (18).