公开(公告)号：FR3049769B1

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：FR1652823

申请日：2016-03-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747 ,  H01L29/74

Abstract: L'invention concerne un composant de puissance vertical comportant : un substrat (1) en silicium dopé d'un premier type de conductivité ; un caisson localisé (3) du second type de conductivité s'étendant depuis une face supérieure du substrat ; et du côté de la face supérieure du substrat (1), une structure de passivation revêtant une région périphérique du substrat (1) entourant le caisson (3), ladite structure de passivation comportant, sur et en contact avec ladite région périphérique de substrat, une première région (9) en un premier matériau de passivation et une deuxième région (31) en un deuxième matériau de passivation, la deuxième région (31) étant apte à générer des charges fixes positives à l'interface avec le silicium, de façon à générer, dans une région superficielle du substrat (1) en contact avec ladite deuxième région, une augmentation localisée de la concentration des porteurs majoritaires dans le substrat (1).

公开(公告)号：FR3012256A1

公开(公告)日：2015-04-24

申请号：FR1360094

申请日：2013-10-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS ,  UNIV RABELAIS FRANCOIS

Inventor： MENARD SAMUEL ,  GAUTIER GAEL

IPC: H01L21/328 ,  H01L29/70

Abstract: L'invention concerne un composant de puissance vertical comprenant un substrat en silicium d'un premier type de conductivité et du côté d'une face inférieure du substrat, un premier caisson du second type de conductivité bordé à la périphérie du composant par un premier anneau en silicium poreux isolant dont la face supérieure est en contact uniquement avec le substrat du premier type de conductivité, le premier anneau isolant pénétrant dans le substrat sur une profondeur supérieure à l'épaisseur du premier caisson.

公开(公告)号：FR2974447A1

公开(公告)日：2012-10-26

申请号：FR1153491

申请日：2011-04-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L27/02

Abstract: L'invention concerne une structure d'amorçage d'un composant semiconducteur (TH) comprenant une couche de silicium poreux (21) dans la partie supérieure d'un substrat semiconducteur (25). Cette couche de silicium poreux est contactée, du côté de sa face supérieure, par une métallisation (22) et, du côté de sa face inférieure, par une région semi-conductrice fortement dopée (26).

公开(公告)号：FR3092698B1

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：FR1901349

申请日：2019-02-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL ,  BARREAU LAURENT

IPC: H01L23/58 ,  H01L27/04 ,  H01L29/40

Abstract: Assemblage comportant un composant vertical de puissance monté sur une plaque métallique de connexion La présente description concerne un assemblage comportant : - un composant vertical de puissance (100) comportant un substrat semiconducteur (101), une première électrode (A2) en contact avec une face inférieure du substrat (101), et une deuxième électrode (A1) en contact avec une face supérieure du substrat (101) ; - une plaque métallique de connexion (150) disposée du côté de la face inférieure du substrat (101) ; et - une entretoise métallique (140) comportant une face inférieure soudée à la plaque métallique de connexion (150) et une face supérieure soudée à la première électrode (A2) du composant vertical de puissance, l'entretoise métallique (140) étant en le même métal que la plaque métallique de connexion (150). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3011124A1

公开(公告)日：2015-03-27

申请号：FR1359295

申请日：2013-09-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/87

Abstract: L'invention concerne un composant de type SCR à structure verticale comprenant une électrode principale supérieure (11) formée sur une région (9) de silicium d'un premier type de conductivité elle-même formée dans une couche (7) de silicium du deuxième type de conductivité, dans lequel la région de silicium est interrompue dans des premières zones (17) dans lesquelles le matériau de la couche de silicium (7) vient au contact de l'électrode supérieure (11), et dans des deuxièmes zones (30) remplies de silicium poreux résistif s'étendant entre la couche de silicium (7) et l'électrode (11).

公开(公告)号：FR2959598B1

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：FR1053326

申请日：2010-04-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747 ,  H01L27/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/74

公开(公告)号：FR2960342A1

公开(公告)日：2011-11-25

申请号：FR1053823

申请日：2010-05-18

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747 ,  H01L29/872

Abstract: L'invention concerne un commutateur bidirectionnel commandable par une tension entre gâchette et électrode arrière et comprenant un substrat semiconducteur (40) de type N entouré d'un mur (53) de type P ; du côté de la face avant, un caisson (41) de type P dans lequel est formée une première région (43) de type N ; du côté de la face arrière, une couche de type P dans laquelle est formée une deuxième région de type N. Le caisson est dopé à moins de 10 at./cm , les surfaces exposées de ce caisson étant fortement dopées de type P (45). Au moins une troisième région (61) de type P, de même niveau de dopage que le caisson, est formée du côté de la face avant dans le substrat, et contient au moins une quatrième région (70, 71) de type N d'un niveau de dopage inférieur à 10 at./cm , sur laquelle est formé un contact Schottky.

公开(公告)号：FR3091021B1

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：FR1873566

申请日：2018-12-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL ,  JAOUEN LIONEL

IPC: H01L29/74 ,  H01L21/332

Abstract: Thyristor vertical La présente description concerne un thyristor (200) comprenant un empilement vertical de première (101), deuxième (103), troisième (105) et quatrième (107) régions semiconductrices de types de conductivité alternés, dans lequel la quatrième région (107) est interrompue dans une zone de gâchette (115) du thyristor, et dans un couloir continu (201) s'étendant depuis ladite zone de gâchette en direction d'un bord latéral de la quatrième région. Figure pour l'abrégé : Fig. 4

公开(公告)号：FR3069957A1

公开(公告)日：2019-02-08

申请号：FR1757427

申请日：2017-08-02

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747

Abstract: L'invention concerne un commutateur unidirectionnel dont la gâchette est référencée à l'électrode principale de face arrière comprenant : un substrat (1) N ; une couche d'anode (2) P recouvrant la face arrière ; un mur (7) P entourant les faces latérales du substrat (1) ; des premier et deuxième caissons (4, 9) P formés du côté de la face avant du substrat ; une région de cathode (3) N formée dans le premier caisson (4) ; une région de gâchette (8) N formée dans le deuxième caisson (9) ; une métallisation de gâchette (M3') recouvrant la région de gâchette (8) N et une partie du deuxième caisson (9) P ; et une bande (12) P formée dans le substrat et reliant une portion d'un côté du deuxième caisson (9) à une partie supérieure dudit mur (7).

公开(公告)号：FR3049770B1

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：FR1652824

申请日：2016-03-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS

Inventor： MENARD SAMUEL

IPC: H01L29/747

Abstract: L'invention concerne un composant de puissance vertical comportant : un substrat (1) en silicium dopé d'un premier type de conductivité ; un caisson localisé (3) du second type de conductivité s'étendant depuis une face supérieure du substrat ; et du côté de la face supérieure du substrat (1), une structure de passivation revêtant une région périphérique du substrat (1) entourant le caisson (3), ladite structure de passivation comportant, sur et en contact avec ladite région périphérique de substrat, une première région (9) en un premier matériau de passivation et une deuxième région (21) en un deuxième matériau de passivation, la deuxième région (21) étant apte à générer, dans une région superficielle du substrat (1) en contact avec ladite deuxième région, une augmentation localisée de la concentration des porteurs majoritaires dans le substrat (1).