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公开(公告)号:CN102709051A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201110343147.7
申请日:2011-10-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/005
Abstract: 本发明提供一种能够维持安装性且能够防止外部电极从素体上剥离的电子部件以及该电子部件的制造方法。在电子部件(1)中,包括含有素体(2)的主成分的第一电极层(11a)和由金属薄膜构成的第二电极层(12)而形成外部电极(3,4),第一电极层(11a)与素体(2)同时烧成而形成于主面(2c,2d)的端面(2a,2b)侧,并且在其边缘部(11e)与素体(2)之间形成缝隙(S),第二电极层(12)以夹持第一电极层(11a)的边缘部(11e)的方式覆盖端面(2a,2b)以及第一电极层(11a)上并且形成于缝隙(S)。
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公开(公告)号:CN101024572A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200710005386.5
申请日:2007-02-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01G4/12 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/785 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供介电体陶瓷组合物,其含有含BaTiO3的主成分、至少含R1的氧化物(R1为选自Y、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)的第4副成分和含R2的氧化物(R2为选自Dy、Tb、Gd和Eu的至少一种)的第5副成分,所述介电体陶瓷组合物的特征在于,按R1和R2换算,相对于100摩尔主成分,R1和R2的总摩尔数为2~6摩尔,且按R1和R2换算,第5副成分相对于R1和R2的总摩尔数的比例为0.5≤R2/(R1+R2)≤0.75的关系,其中,所述R1和R2的总摩尔数是相对于100摩尔主成分的摩尔数。通过本发明,可以提供一种具有充分可靠性的介电体陶瓷组合物,即使将电子部件的介电体层制成薄层,也可兼备高温负荷寿命和容量温度特性。
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公开(公告)号:CN1519399A
公开(公告)日:2004-08-11
申请号:CN200410003298.8
申请日:2004-02-03
Applicant: TDK株式会社
Inventor: 佐藤淳
Abstract: 一种单晶的制造方法,是利用恰克拉斯基法(Czochralski)制造以组成CaxNbyGazO12(2.9<x<3.1,1.6<y<1.8,3.1<z<3.3)表示的具有石榴石单晶的方法,通过以1.72mm/小时以下的结晶生长速度使结晶生长而制造单晶,并且最好在含有0.4体积%以上并小于10.0体积%的氧气的气氛内使结晶生长。利用本方法,可以制造高质量的以组成CaxNbyGazO12(2.9<x<3.1,1.6<y<1.8,3.1<z<3.3)表示的石榴石单晶,其能够作为单晶基板用于通过液相外延生长形成没有结晶缺陷的铋置换稀土类铁石榴石单晶。
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公开(公告)号:CN110197768B
公开(公告)日:2021-09-21
申请号:CN201910141222.8
申请日:2019-02-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种层叠体的形成精度极其良好、以简化的工艺制造具有功能部和导体部层叠而得到的元件主体的层叠型电子部件的方法。本发明提供一种层叠型电子部件的制造方法,该层叠型电子部件具有功能部和导体部层叠而得到的元件主体。在剥离基板上形成的临时保持膜(62)上形成生坯层叠体(11)。其中,生坯层叠体(11)通过重复第一工序和第二工序而形成,第一工序使用含有功能性颗粒的第一油墨形成生坯功能部;第二工序使用含有导电体颗粒的第二油墨形成生坯导体部。临时保持膜(62)具有导电性。
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公开(公告)号:CN112837880A
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN202011319586.X
申请日:2020-11-23
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种噪声抑制片,其包括金属磁性体层,该金属磁性体层由含有78~84wt%的Ni的FeNi合金构成,且添加了2~8wt%的Si,能够实现高的磁屏蔽特性。在噪声抑制片中,特别是以金属磁性体层实现70~115μΩ·cm的高的电阻率,即使在1MHz~10MHz左右的高频段也维持高的导磁率,介电常数的频率依赖性变低。
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公开(公告)号:CN105845439B
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201610059517.7
申请日:2016-01-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05K1/181 , H01G2/065 , H01G4/0085 , H01G4/012 , H01G4/1227 , H01G4/224 , H01G4/228 , H01G4/232 , H01G4/30 , H05K1/0298 , H05K1/11 , H05K3/3436 , H05K2201/10015 , H05K2201/10378 , H05K2201/10636 , Y02P70/611 , Y02P70/613
Abstract: 电子部件具备层叠电容器和内插器。层叠电容器具备素体和一对外部电极。内插器具备基板、一对第一电极和一对第二电极。基板具有第一和第二主面。一对第一电极配置于第一主面。一对第二电极配置于第二主面。素体具有第一部分和一对第二部分。第一部分覆盖于外部电极。一对第二部分位于第一部分的两侧。一对第二部分远离内插器。一对外部电极在第二方向上的宽度比素体在第二方向上的宽度窄,比第二部分在第二方向上的宽度宽。
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公开(公告)号:CN105551799B
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201510688133.7
申请日:2015-10-21
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/30 , H01G2/06 , H01G2/065 , H01G4/012 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/248 , H05K1/11 , H05K1/111 , H05K1/181 , H05K3/3442 , H05K2201/10015 , H05K2201/10378 , H05K2201/2045 , Y02P70/611 , Y02P70/613
Abstract: 本发明所涉及的电子部件具备层叠电容器和封装基板。层叠电容器具备素体和一对外部电极。封装基板具备具有第一以及第二主面的基板、被配置于第一主面的一对第一电极、在第一方向或者第二方向上与一对第一电极分离并被配置于第二主面的一对第二电极。一对外部电极以及一对第一电极的宽度窄于素体的宽度。素体具有被外部电极覆盖的第一部分、位于第一部分两侧的一对第二部分。一对第二部分与封装基板分离并且从第三方向来看是与一对第二电极相重叠。
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