公开(公告)号：CN1165595A

公开(公告)日：1997-11-19

申请号：CN96191103.4

申请日：1996-09-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 木村悟利 ,  中野正洋 ,  中泽道幸 ,  佐藤胜男

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

CPC classification number: H03H3/08

Abstract: 对在压电性基板上边已形成了由已添加了铜的铝合金膜构成的电极的弹性表面波器件加以改良。在弹性表面波器件的电极中，铝合金膜中的铜元素的浓度在晶粒边界近傍比晶粒内高，故偏析于晶粒边界处。在这种弹性表面波器件的电极中，在晶粒边界处析出的不是以Al与Cu的金属间化合物的形态而是以铜元素的形态存在着的铜的浓度在晶粒边界处比晶粒内高，变成了偏析状态。形成弹性表面波器件的电极的铝合金膜的晶粒边界近傍的铜元素的浓度与晶粒内的铜元素的浓度之比大于1.6。在更为理想的形态中，这一比值大于2.2。形成于压电性基板的表面上边的电极理想的是由添加进0.5wt％～2wt％的铜的铝合金膜构成。另外，还公开了在压电性基板的表面上边形成这种电极的方法。

公开(公告)号：CN1251404C

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN01811997.2

申请日：2001-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  佐藤胜男 ,  守越广树 ,  佐藤淳

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/02543

Abstract: 本发明的目的是提供一种能宽频带化及小型化的弹性表面波装置。弹性表面波装置具有压电基片(1)、设置在该压电基片(1)的一方主面上的一对手指交错状电极(2)。压电基片(1)的材料由单晶体构成，它是属于点群32、具有Ca3Ga2Ge4O14型结晶结构；其主要成分由Ca、Nb、Ga、Si和O构成，由化学式Ca3NbGa3Si2O14表示的。借助适当地选择基片(1)的切出角和传输方向，能使基片(1)具有大的电气机械结合系数和小的SAW速度，前者能有效地使通频带宽带化、后者能有效地使弹性表面波装置小型化。

公开(公告)号：CN1149735C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN01800024.X

申请日：2001-01-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 竹内正男 ,  井上宪司 ,  佐藤胜男

IPC: H03H9/145

CPC classification number: H03H9/0259 ,  H03H9/02543 ,  H03H9/14505

Abstract: 本发明的目的是提供一种弹性表面波装置，能够实现宽带化并且小型化，并且，利用固有单相单方向性变换器特性，能够实现低损失化。弹性表面波装置包括压电基板(1)和设在该压电基板1的一个主面上的一对交叉指状电极(2)。使用由属于点群32，具有Ca3Ca2Ge4O14型结晶构造，其主要成分由La、Ta、Ga以及O组成，用化学式La3Ta0.5Ga5.5O14所表示的单晶来作为压电基板(1)的材料。当用欧拉角把基板(1)的切出角和传送方向表示为(φ，θ，ψ)时，φ、θ和ψ可以存在于φ＝-5°～5°，θ＝135°～155°以及ψ＝15°～40°的第一区域中，或者，φ＝10°～20°，θ＝140°～157°以及ψ＝30°～60°的第二区域中。

公开(公告)号：CN1439194A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN01811997.2

申请日：2001-12-06

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  佐藤胜男 ,  守越广树 ,  佐藤淳

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/02543

Abstract: 本发明的目的是提供一种能宽频带化及小型化的弹性表面波装置。弹性表面波装置具有压电基片(1)、设置在该压电基片(1)的一方主面上的一对手指交错状电极(2)。压电基片(1)的材料由单晶体构成，它是属于点群32、具有Ca3Ga2Ge4O14型结晶结构；其主要成分由Ca、Nb、Ga、Si和O构成，由化学式Ca3NbGa3Si2O14表示的。借助适当地选择基片(1)的切出角和传输方向，能使基片(1)具有大的电气机械结合系数和小的SAW速度，前者能有效地使通频带宽带化、后者能有效地使弹性表面波装置小型化。

公开(公告)号：CN1110132C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN96191103.4

申请日：1996-09-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 木村悟利 ,  中野正洋 ,  中泽道幸 ,  佐藤胜男

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H3/08

Abstract: 对在压电性基板上边已形成了由已添加了铜的铝合金膜构成的电极的弹性表面波器件加以改良。在弹性表面波器件的电极中，铝合金膜中的铜元素的浓度在晶粒边界近傍比晶粒内高，故偏析于晶粒边界处。在这种弹性表面波器件的电极中，在晶粒边界处析出的不是以Al与Cu的金属间化合物的形态而是以铜元素的形态存在着的铜的浓度在晶粒边界处比晶粒内高，变成了偏析状态。形成弹性表面波器件的电极的铝合金膜的晶粒边界近傍的铜元素的浓度与晶粒内的铜元素的浓度之比大于1.6。在更为理想的形态中，这一比值大于2.2。形成于压电性基板的表面上边的电极理想的是由添加进0.5wt%～2wt%的铜的铝合金膜构成。另外，还公开了在压电性基板的表面上边形成这种电极的方法。

公开(公告)号：CN1348253A

公开(公告)日：2002-05-08

申请号：CN01140659.3

申请日：2001-09-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  佐藤胜男 ,  守越广树 ,  川嵜克已

IPC: H03H9/64 ,  H03H9/54

CPC classification number: H03H9/02543

Abstract: 公开了一种用于中频的紧凑和宽带表面声波器件。也公开了一种用在表面声波器件中具有高机电耦合因数和低SAW速度的压电基片。表面声波器件由一个压电基片1和形成在压电基片1上的叉指状电极2、2构成。压电基片1具有一种Ca3Ga2Ge4O14的晶体结构,并且由化学式Sr3NbGa3Si2O14表示。从单晶切出压电基片1的切割角、和按照欧拉角(φ、θ、ψ)表示的在压电基片上的表面声波的传播方向,在由－5°≤φ≤15°、0°≤θ≤180°、及－50°≤ψ≤50°表示的一个第一区域和由15°≤φ≤30°、0°≤θ≤180°、及－40°≤ψ≤40°表示的一个第二区域之一中。

公开(公告)号：CN1239603A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN98801385.1

申请日：1998-07-02

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 木村悟利 ,  中野正洋 ,  佐藤胜男

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25 ,  H03H3/08

CPC classification number: H03H9/02559

Abstract: 一种声表面波器件，包括由64°旋转Y－切割铌酸锂(64LN)或36°旋转Y－切割的钽酸锂(36LT)构成的压电衬底和在其上形成的叉指电极。叉指电极包括钛缓冲金属膜和在其上形成的铝膜。在64LN衬底上，仅从选区电子衍射结果看，钛缓冲金属膜和铝膜都是单晶薄膜；在36LT衬底上，通过在钛缓冲金属膜上形成铝膜可获得取向能力强的、在(111)方向上取向的多晶铝膜。当铝膜转化成单晶或取向强的(111)取向多晶体时，都可以阻止铝原子的迁移，提高功率寿命。

公开(公告)号：CN1206517A

公开(公告)日：1999-01-27

申请号：CN97191459.1

申请日：1997-10-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上宪司 ,  佐藤胜男

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种尺寸减小、选择性提高和具有宽通带的声表面波器件,它包括:基体和在其表面上形成的叉指电极。Ⅰ.提供压电膜以覆盖基体表面和叉指电极表面,Ⅱ.在基体表提供压电膜,而且叉指电极加在压电膜表面上,Ⅲ.提供压电膜以覆盖基体表面和叉指电极表面,并在压电膜表面上加反电极膜,或者Ⅳ.在基体表面上加反电极膜,在反电极膜表面上加压电膜,在压电膜表面上加叉指电极。压电膜有一个压电轴与基体平面基本垂直。

公开(公告)号：CN104733147B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201410804193.6

申请日：2014-12-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤川佳则 ,  永峰佑起 ,  大川和香子 ,  石坂力 ,  加藤英治 ,  佐藤胜男

IPC: H01F1/057 ,  H01F7/02

CPC classification number: H01F1/057 ,  H01F1/0577

Abstract: 本发明提供即使在比以往更大幅地降低或者不使用Dy、Tb这样的重稀土元素的使用量的情况下高温退磁率也得以抑制的稀土类磁铁。本发明所涉及的稀土类磁铁是包含作为主相的R2T14B结晶颗粒、以及该R2T14B结晶颗粒间的晶界相的烧结磁铁，以所述晶界相包含在作为R、T和M相对原子比的R：25～35％、T：60～70％、M：2～10％的范围内至少含有R、T和M元素的晶界相的方式控制烧结体的微结构。

公开(公告)号：CN104733145B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201410798283.9

申请日：2014-12-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤川佳则 ,  永峰佑起 ,  大川和香子 ,  石坂力 ,  加藤英治 ,  佐藤胜男

IPC: H01F1/057 ,  H01F7/02

CPC classification number: H01F1/057 ,  C22C33/0278 ,  C22C38/001 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005 ,  C22C38/008 ,  C22C38/02 ,  C22C38/06 ,  C22C38/16 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/0577

Abstract: 本发明提供即使在比以往更大幅地降低或者不使用Dy、Tb这样的重稀土元素的使用量的情况下高温退磁率也得以抑制的稀土类磁铁。本发明所涉及的稀土类磁铁是包含作为主相的R2T14B结晶颗粒、以及该R2T14B结晶颗粒间的晶界相的烧结磁铁，以所述晶界相包含在作为R、T和M相对原子比的R：60～80％、T：15～35％、M：1～20％的范围内至少含有R、T和M元素的晶界相的方式控制烧结体的微结构。