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公开(公告)号：CN100462330C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN02811585.6
申请日：2002-06-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/495 , H01L41/187
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/6262 , C04B35/62695 , C04B35/638 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3291 , C04B2235/604 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/94 , H01L41/1873 , H01L41/43
Abstract: 提供了压电陶瓷，其使用温度范围广，可以得到大的位移量，烧制容易，而且低公害化，从环境及生态学观点看是优良的。压电基板1是含有钙钛型氧化物(Na1-x-y-zKxLiyAgz)(Nb1-wTaw)O3和钨青铜型氧化物M(Nb1-vTav)2O6(M是长周期型周期表2族的元素)的组合物。x，y，z是在0≤x≤0.9、0≤y≤0.2、0≤z＜0.5的范围。钨青铜型氧化物的含量优选的是5.3mol%或更低。因此，可以提高居里温度，加大位移量，也可以容易地烧制。
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公开(公告)号：CN112194374A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010645149.0
申请日：2020-07-07
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种在10GHz以上的高频区域中介电损耗小，且相对于温度变化特性难以变动的玻璃陶瓷烧结体及使用其的配线基板。一种玻璃陶瓷烧结体，其含有：结晶化玻璃、氧化铝填料、二氧化硅以及钛酸锶。结晶化玻璃的含量为50质量％～80质量％，氧化铝填料的含量以Al2O3换算计为15.6质量％～31.2质量％，二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.4质量％～4.8质量％，钛酸锶的含量以SrTiO3换算计为4质量％～14质量％。
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公开(公告)号：CN112194373A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010644958.X
申请日：2020-07-07
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种在10GHz以上的高频区域中介电损耗小的玻璃陶瓷烧结体以及使用其的配线基板。一种玻璃陶瓷烧结体，其含有结晶化玻璃、氧化铝填料及二氧化硅。结晶化玻璃的含量为45质量％～85质量％，氧化铝填料的含量以Al2O3换算计为14.8质量％～50.1质量％，二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.2质量％～4.9质量％。
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公开(公告)号：CN101209929B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200710307201.6
申请日：2007-12-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K3/38 , H01L21/4807 , H01L23/15 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K1/092 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K2201/017 , H05K2203/1163 , H05K2203/308 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种在初始状态以及经过一段时间后(例如PCT后)可充分地确保表面导体的粘合强度，且可靠性高的多层陶瓷基板。其是在层叠有多层陶瓷基板层的层叠体的至少一侧的表面上具有表面导体的多层陶瓷基板。由陶瓷基板层中的陶瓷成分和表面导体中的玻璃成分发生反应而形成的反应相，在陶瓷基板层和表面导体的界面上析出。例如陶瓷基板层中的氧化铝充填物和表面导体中的Zn发生反应后，ZnAl2O4作为反应相而形成。
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公开(公告)号：CN102248723A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110084040.5
申请日：2011-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: B32B18/00
CPC classification number: H05K1/0306 , H01G4/1209 , H01G4/20 , H01G4/30 , H01G4/33 , Y10T29/43
Abstract: 本发明涉及陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法。一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和中间层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层材料不同的材料的层，和所述中间层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并且含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分作为主组分的层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101844918A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010141177.5
申请日：2010-03-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/4686 , C04B35/6262 , C04B35/62655 , C04B35/62685 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/6567 , C04B2235/79 , C04B2235/9607 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供电介质陶瓷组合物以及使用其的电子部件，所述电介质陶瓷组合物能够维持具有期望的介电常数30～60的BaO-TiO2系陶瓷的低损耗特性的同时进行低温烧成化，并能够取得与搭载到树脂基板时成为问题的线膨胀的匹配。一种电介质陶瓷组合物，其特征在于，其包含以组成式BaO·xTiO2表示的成分作为主要成分，该组成式中TiO2相对于BaO的摩尔比x在4.6≤x≤8的范围内，相对于前述主要成分，包含硼氧化物和铜氧化物作为副成分，并将这些副成分分别表示为aB2O3、bCuO时，表示前述各副成分相对于前述主要成分的重量比率的a和b分别为0.5(质量％)≤a≤5(质量％)、0.1(质量％)≤b≤3(质量％)。
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公开(公告)号：CN100519472C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200580033116.4
申请日：2005-09-29
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 通过本发明可提供一种通过以规定的比例含有BaO、Nd2O3、TiO2、MgO及SiO2作为电介质陶瓷组合物的主成分，以规定的比例含有ZnO、B2O3及CuO作为所述电介质陶瓷组合物的副成分，可以得到在低温下的烧结性更为稳定和可靠的产品，实现Ag或以Ag为主成分的合金等导体作为内部导体进行使用的产品。进一步，还可以得到温度变化引起的共振频率数的变化小、具有比BaO-稀土类氧化物-TiO2类电介质陶瓷组合物的比介电常数更低的比介电常数电介质陶瓷组合物，并为形成多层型设备提供适用的电介质陶瓷组合物。
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公开(公告)号：CN1514811A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN02811585.6
申请日：2002-06-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/495 , H01L41/187
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/6262 , C04B35/62695 , C04B35/638 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3291 , C04B2235/604 , C04B2235/76 , C04B2235/768 , C04B2235/94 , H01L41/1873 , H01L41/43
Abstract: 提供了压电陶瓷，其使用温度范围广，可以得到大的位移量，烧制容易，而且低公害化，从环境及生态学观点看是优良的。压电基板1是含有钙钛型氧化物(Na1－x－y－zKxLiyAgz)(Nb1－wTaw)O3和钨青铜型氧化物M(Nb1－vTav)2O6(M是长周期型周期表2族的元素)的组合物。x，y，z是在0≤x≤0.9、0≤y≤0.2、0≤z＜0.5的范围。钨青铜型氧化物的含量优选的是5.3mol％以下。因此，可以提高固化温度，加大位移量，也可以容易地烧制。
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公开(公告)号：CN112194373B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202010644958.X
申请日：2020-07-07
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种在10GHz以上的高频区域中介电损耗小的玻璃陶瓷烧结体以及使用其的配线基板。一种玻璃陶瓷烧结体，其含有结晶化玻璃、氧化铝填料及二氧化硅。结晶化玻璃的含量为45质量％～85质量％，氧化铝填料的含量以Al2O3换算计为14.8质量％～50.1质量％，二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.2质量％～4.9质量％。
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公开(公告)号：CN101844918B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201010141177.5
申请日：2010-03-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/468
CPC classification number: C04B35/4686 , C04B35/6262 , C04B35/62655 , C04B35/62685 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/6567 , C04B2235/79 , C04B2235/9607 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供电介质陶瓷组合物以及使用其的电子部件，所述电介质陶瓷组合物能够维持具有期望的介电常数30～60的BaO-TiO2系陶瓷的低损耗特性的同时进行低温烧成化，并能够取得与搭载到树脂基板时成为问题的线膨胀的匹配。一种电介质陶瓷组合物，其特征在于，其包含以组成式BaO·xTiO2表示的成分作为主要成分，该组成式中TiO2相对于BaO的摩尔比x在4.6≤x≤8的范围内，相对于前述主要成分，包含硼氧化物和铜氧化物作为副成分，并将这些副成分分别表示为aB2O3、bCuO时，表示前述各副成分相对于前述主要成分的重量比率的a和b分别为0.5(质量％)≤a≤5(质量％)、0.1(质量％)≤b≤3(质量％)。
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