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公开(公告)号：CN100483577C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410087475.5
申请日：2004-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/468 , H01G4/30
Abstract: 为提供一种即使将多层陶瓷电容器薄层化，也可以将IR不良率控制得较低，并且具有高相对介电常数的电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物含有：组成式{{Ba(1-x)Cax}O}A{Ti(1-y-z)ZryMgz}BO2表示的主成分，和作为副成分的Mn的氧化物、Y的氧化物、V的氧化物和Si的氧化物。组成式中，A、B为0.995≤A/B≤1.020，x为0.0001≤x≤0.07，优选为0.001≤x≤0.05，y为0.1≤y≤0.3，z为0.0005≤z≤0.01，优选为0.003≤z≤0.01。
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公开(公告)号：CN1604247A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410087475.5
申请日：2004-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/468 , H01G4/30
Abstract: 为提供一种即使将多层陶瓷电容器薄层化，也可以将IR不良率控制得较低，并且具有高相对介电常数的电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物含有：组成式{{Ba(1－x)Cax}O}A{Ti(1－y－z)ZryMgz}BO2表示的主成分，和作为副成分的Mn的氧化物、Y的氧化物、V的氧化物和Si的氧化物。组成式中，A、B为0.995≤A/B≤1.020，x为0.0001≤0.07，优选为0.001≤x≤0.05，y为0.1≤y≤0.3，z为0.0005≤z≤0.01，优选为0.003≤z≤0.01。
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公开(公告)号：CN100585763C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510060175.2
申请日：2005-03-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供多层陶瓷电容器1，其具有内部电极层3、厚度不足2μm的层间电介体层2、和外侧电介体层20。根据本发明，即使将层间电介体层2薄层化时，也可以提供有望改善各种电特性、特别是具有足够的介电常数的同时改善TC偏压特性的多层陶瓷电容器1。
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公开(公告)号：CN100576382C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200510006159.5
申请日：2005-01-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器(1)，包括内部电极层(3)、厚度小于2μm的层间电介质层(2)和外侧电介质层(20)，其特征在于，所述层间电介质层(2)及外侧电介质层(20)包含多个电介质粒子(2a、20a)，在所述层间电介质层(2)中包含的电介质粒子(2a)的平均粒径为D50a，所述外侧电介质层(20)中所包含的并存在于从配置在最外侧的内部电极层(3a)沿厚度方向离开5μm以上的位置的电介质粒子(20a)的平均粒径为D50b时，该D50a与D50b之比(D50a/D50b)为y1，所述层间电介质层(2)的厚度为x的场合，所述y1与x满足y1≤-0.75x+2.275、且y1≥-0.75x+1.675的关系。根据本发明，可以提供一种叠层陶瓷电容器(1)，即使将层间电介质层(2)薄层化时，也可以期待在保持各种电特性，特别是充分的介电常数的同时，提高TC偏压特性。
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公开(公告)号：CN100565729C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200610099621.5
申请日：2006-04-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种制造具有内部电极层和厚度小于2μm的电介质层的积层陶瓷电子部件的方法。该方法具有烧结积层体的工序，所述积层体使用包含电介质糊料用电介质原料的电介质层用糊料和包含烧结抑制用电介质原料的内部电极层用糊料而形成。所述电介质层用糊料中的电介质糊料用电介质原料包含主成分原料和副成分原料，所述内部电极层用糊料中的烧结抑制用电介质原料至少包含烧结抑制用主成分原料。该烧结抑制用主成分原料与在所述电介质糊料用电介质原料所含的主成分原料是基本上相同的组成体系，而且具有超过3.991而小于4.064的晶格常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1779874A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410104753.3
申请日：2004-11-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/12
Abstract: 一种叠层陶瓷电容器1，其具有内部电极层3和厚度3.5μm以下的层间电介质层2，上述层间电介质层2包含与上述内部电极层接触的接触电介质颗粒2a和与上述内部电极层不接触的非接触电介质颗粒2b；以该接触电介质颗粒2a的平均粒径为D50e，以该非接触电介质颗粒2b的平均粒径为D50d，则满足D50e＜0.450μm且(D50e/D50d)＝1.20～3.00(但是除了1.20和3.00)。本发明能提供即使在层间电介质层2薄层化的情况下，仍能期望得到85℃下偏置特性提高的叠层陶瓷电容器1。
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公开(公告)号：CN101549997A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910134079.6
申请日：2009-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/4682 , B82Y30/00 , C04B35/6264 , C04B35/638 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物具有：含有钛酸钡的主成分、含有MgO的第1副成分、含有SiO2系烧结助剂的第2副成分、含有V2O5、Nb2O5和WO3中的至少一种的第3副成分、含有RA的氧化物(其中RA为选自Tb、Gd和Dy中的至少一种)的第4A副成分、含有RB的氧化物(其中RB为选自Ho、Y和Yb中的至少一种)的第4B副成分、以及含有MnO或Cr2O3的第5副成分。
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公开(公告)号：CN100521004C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510060174.8
申请日：2005-03-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电容器(1)，其具有内部电极层(3)和厚度小于2μm的电介体层(2)，其特征在于，上述层间电介体层(2)含有多个电介体粒子2a而构成，以上述层间电介体层(2)中的电介体粒子2a全体的粒度分布的标准偏差为σ(无单位)、以上述层间电介体层(2)中的电介体粒子2a全体的平均粒径为D50(单位：μm)，此时的具有该D50的2.25倍以上的平均粒径的电介体粒子(粗粒)在上述电介体粒子2a全体中存在的比率用p(单位：%)表示时，上述σ、p分别满足σ＜0.130、p＜12%。通过本发明，能够提供即使对层间电介体层(2)实施薄层化也有望提高各种电特性、特别是既具有充分的介电常数又提高TC偏压特性的多层陶瓷电容器(1)。
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公开(公告)号：CN101407417A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810176925.6
申请日：2008-09-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/486 , C04B35/49 , C04B35/62685 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3248 , C04B2235/3249 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3277 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , H01G4/30
Abstract: 本发明为电介质陶瓷组合物和电子部件。本发明涉及一种电介质陶瓷组合物，其含有BaTiO3、BaZrO3、R氧化物(R为稀土类元素)，相对于100mol的BaTiO3，BaZrO3的含量为A mol，R氧化物的含量为C mol时，满足40≤A≤65mol、4≤C≤15mol，且同时满足式(1)和(2)。本发明可提供IR寿命长，可适用于额定电压高(例如100V以上)的中高压用途的电介质陶瓷组合物。式(1)...0.0038A－0.147≤B≤0.004A+0.04(B为BaZrO3的X射线衍射最大峰强度与BaTiO3的X射线衍射最大峰强度之比)、式(2)...0.0041C－0.0115≤D≤0.0046C+0.084(D为R氧化物的X射线衍射最大峰强度与BaTiO3的X射线衍射最大峰强度之比)。
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公开(公告)号：CN101284732A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810082344.6
申请日：2008-02-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , H01L41/187 , H01B3/12
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/62807 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3241 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/663 , C04B2235/79
Abstract: 本发明提供电介质陶瓷组合物，该电介质陶瓷组合物具有BamTiO2+m(m满足0.99≤m≤1.01)、BanZrO2+n(n满足0.99≤n≤1.01)、Mg的氧化物、R的氧化物(R为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)、选自Mn、Cr、Co和Fe中的至少一种元素的氧化物、选自Si、Li、Al、Ge和B中的至少一种元素的氧化物；相对于100mol上述BamTiO2+m，BanZrO2+n：35～65mol；Mg的氧化物：4～12mol；R的氧化物：4～15mol；Mn、Cr、Co和Fe的氧化物：0.5～3mol；Si、Li、Al、Ge和B的氧化物：3～9mol。本发明的目的在于提供耐压高、绝缘电阻的加速寿命优异、适合额定电压高(例如为100V以上)的中高压用途中使用的电介质陶瓷组合物。
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