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公开(公告)号：CN102381876B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110254346.0
申请日：2011-08-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/49 , C04B35/622 , H01G4/008 , H01G4/12
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3454 , C04B2235/528 , C04B2235/768
Abstract: 电介质陶瓷组合物，其含有以ABO3（A是Ba单独，或者是Ba与选自Ca和Sr的至少1种，B是Ti单独，或者是Ti与Zr）表示、并具有钙钛矿型结晶结构的化合物、和含有Sc和Y的稀土类元素的氧化物。该电介质陶瓷组合物含有具有核壳结构的电介质粒子，所述核壳结构包含核和至少含有R元素的壳，在壳中，R元素的含有比例最大的区域是核与壳的边界区域。
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公开(公告)号：CN1251259C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN00802470.7
申请日：2000-10-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12
CPC classification number: H01G4/0085 , H01G4/30
Abstract: 采用抑制叠层方向和宽度方向的膨胀的办法，提供可以防止裂纹的发生的叠层电容器。具备使电介质层(11a、11b)和内部电极(12)交互地叠层的电容器基体(10)。电容器基体(10)采用使电介质膏层和内部电极膏层进行叠层烧接的办法得到。叠层方向的膨胀率x，若设电介质层(11a)的叠层数为i，则在±0.05i%的范围内，理想的是在0%以下或-10%～0%，宽度方向的膨胀率y，理想的是在-0.05i%～0%的范围内。膨胀率x、y，可以采用向内部电极膏层内添加进碳化合物或含锂化合物的办法，或采用使最外部的电介质层(11b)的厚度形成得薄的办法进行控制。借助于此，可以抑制裂纹的发生，减小不合格率。
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公开(公告)号：CN1300520A
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN00800524.9
申请日：2000-04-06
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/26 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 提供一种复合衬底,其中,绝缘层表面不受电极层的影响,它既不需要研磨过程也不需要溶胶—凝胶过程的处理,并容易生产,在其中使用所述复合衬底时,可以提供一种显示质量高的薄膜EL器件;还提供一种薄膜EL器件;以及所述器件的生产方法。通过在包含衬底;镶嵌在所述衬底中的电极层,其镶嵌方式使得所述电极层和所述衬底在一个平面上;以及一个在所述衬底和所述电极层的复合体表面上形成的绝缘层的复合衬底上,依次形成发光层、另一个绝缘层和另一个电极层生产所述薄膜EL器件。
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公开(公告)号：CN1242435C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN01117893.0
申请日：2001-03-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682
Abstract: 一种制备多层陶瓷片状电容器的方法，该电容器具有由电介质层和内电极层交替叠加而构成的电容器主体，该方法包括：使用钛酸钡作为粉末组分用于形成电介质层，在X-射线衍射图形中，该粉末组分的(200)面的衍射线的峰强度(I(200))相对于(002)面的衍射线的峰点的角与(200)面的衍射线的峰点的角之间的中间点的强度(Ib)的比值(I(200)/(Ib))为4-16。
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公开(公告)号：CN1637972A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510004129.0
申请日：2005-01-07
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/1227 , Y10T29/435
Abstract: 本发明的目标在于通过消除介电层中的氧空位和抑制Ni内部电极的氧化来提供一种具有高介电常数、高电容和极好可靠性的多层陶瓷电容器。该多层陶瓷电容器包括通过交替堆叠主要含钡的钛酸盐的介电层和主要含Ni的内部电极层而形成的多层介电体，并且在电容器中存在含有Mg－Si－O作为组成元素的第一异相。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1357898A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN01123098.3
申请日：1995-10-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1227
Abstract: 一种多层瓷介片状电容器,满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小,绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能,并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中,介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种及SiO2。在第二种形式中,介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。
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公开(公告)号：CN1335998A
公开(公告)日：2002-02-13
申请号：CN00802470.7
申请日：2000-10-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12
CPC classification number: H01G4/0085 , H01G4/30
Abstract: 采用抑制叠层方向和宽度方向的膨胀的办法,提供可以防止裂纹的发生的叠层电容器。具备使电介质层(11a、11b)和内部电极(12)交互地叠层的电容器基体(10)。电容器基体(10)采用使电介质膏层和内部电极膏层进行叠层烧接的办法得到。叠层方向的膨胀率x,若设电介质层(11a)的叠层数为i,则在±0.05i%的范围内,理想的是在0%以下或－10%～0%,宽度方向的膨胀率y,理想的是在－0.05i%～0%的范围内。膨胀率x、y,可以采用向内部电极膏层内添加进碳化合物或含锂化合物的办法,或采用使最外部的电介质层(11b)的厚度形成得薄的办法进行控制。借助于此,可以抑制裂纹的发生,减小不合格率。
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公开(公告)号：CN1137326A
公开(公告)日：1996-12-04
申请号：CN95191054.X
申请日：1995-10-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1227
Abstract: 一种多层瓷介片状电容器，满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小，绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能，并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中，介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种、及SiO2。在第二种形式中，介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。
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公开(公告)号：CN102381876A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110254346.0
申请日：2011-08-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/49 , C04B35/622 , H01G4/008 , H01G4/12
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/3454 , C04B2235/528 , C04B2235/768
Abstract: 电介质陶瓷组合物，其含有以ABO3（A是Ba单独，或者是Ba与选自Ca和Sr的至少1种，B是Ti单独，或者是Ti与Zr）表示、并具有钙钛矿型结晶结构的化合物、和含有Sc和Y的稀土类元素的氧化物。该电介质陶瓷组合物含有具有核壳结构的电介质粒子，所述核壳结构包含核和至少含有R元素的壳，在壳中，R元素的含有比例最大的区域是核与壳的边界区域。
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公开(公告)号：CN1266720C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN01123098.3
申请日：1995-10-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , H01G4/008 , H01G4/30 , C04B35/468
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1227
Abstract: 一种多层瓷片状电容器，满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小，绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能，并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器，所述介电层具有最大为0.45μm的平均粒度。在第一种形式中，介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种、及SiO2。在第二种形式中，介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。
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