带电介质薄膜的基板、光波导元件和光学调制元件

    公开(公告)号:CN119882280A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411449788.4

    申请日:2024-10-17

    Abstract: 本发明涉及带电介质薄膜的基板、光波导元件和光学调制元件。一种带电介质薄膜的基板(1),其具有:单晶基板(2)、以及在单晶基板(2)的主面(2a)上接触而形成的电介质薄膜(3),电介质薄膜(3)由作为c轴取向的外延膜的铌酸锂膜形成,包含LiNbO3的双晶结构,所述LiNbO3的双晶结构包含第1晶体(3a)和以c轴为中心使第1晶体(3a)旋转了180°的第2晶体(3b),电介质薄膜(3)中,将从单晶基板(2)起至厚度方向一半处的下部区域(31)除外的上部区域(32)中所含的第1晶体(3a)和第2晶体(3b)的最大畴宽为80nm~300nm。

    玻璃陶瓷烧结体及线圈电子部件

    公开(公告)号:CN109970351B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN201811323879.8

    申请日:2018-11-08

    Abstract: 本发明所涉及的玻璃陶瓷烧结体,其特征在于,具有玻璃相和分散在玻璃相中的陶瓷相,该陶瓷相含有氧化铝颗粒和氧化锆颗粒,上述玻璃相含有MO‑Al2O3‑SiO2‑B2O3系玻璃(M为碱土金属),在上述烧结体的截面中,氧化铝颗粒的面积率为13~30%,氧化锆颗粒的面积率为0.05~6%。根据本发明,能够提供可进行低温烧结、具有低介电常数和足够的强度的玻璃陶瓷烧结体和使用其的线圈电子部件。

    玻璃陶瓷烧结体及线圈电子部件

    公开(公告)号:CN109970351A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201811323879.8

    申请日:2018-11-08

    Abstract: 本发明所涉及的玻璃陶瓷烧结体,其特征在于,具有玻璃相和分散在玻璃相中的陶瓷相,该陶瓷相含有氧化铝颗粒和氧化锆颗粒,上述玻璃相含有MO‑Al2O3‑SiO2‑B2O3系玻璃(M为碱土金属),在上述烧结体的截面中,氧化铝颗粒的面积率为13~30%,氧化锆颗粒的面积率为0.05~6%。根据本发明,能够提供可进行低温烧结、具有低介电常数和足够的强度的玻璃陶瓷烧结体和使用其的线圈电子部件。

    玻璃陶瓷烧结体以及线圈电子部件

    公开(公告)号:CN108424000A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810149391.1

    申请日:2018-02-13

    Abstract: 本发明的玻璃陶瓷烧结体的特征在于,具有玻璃相和分散于玻璃相中的陶瓷相,该陶瓷相含有氧化铝颗粒和氧化锆颗粒,上述玻璃相含有MO-Al2O3-SiO2-B2O3系玻璃(M为碱土金属),在上述烧结体的截面中,氧化铝颗粒的面积率为0.05~12%,氧化锆颗粒的面积率为0.05~6%。根据本发明,可得到能够进行低温烧结、具有低介电常数和充分的强度的玻璃陶瓷烧结体以及使用其的线圈电子部件。

    电光元件和光学调制元件
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119882284A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202411449789.9

    申请日:2024-10-17

    Abstract: 本发明提供电光元件和光学调制元件。一种电光元件,其具有:单晶基板、由在前述单晶基板的主面上接触而形成的电介质薄膜形成的光波导(10)、以及对光波导(10)施加电压的电极,电介质薄膜由铌酸锂膜形成,所述铌酸锂膜为c轴取向的外延膜,铌酸锂膜的c轴长为#imgabs0#以上。

    玻璃陶瓷烧结体以及线圈电子部件

    公开(公告)号:CN108424000B

    公开(公告)日:2021-01-08

    申请号:CN201810149391.1

    申请日:2018-02-13

    Abstract: 本发明的玻璃陶瓷烧结体的特征在于,具有玻璃相和分散于玻璃相中的陶瓷相,该陶瓷相含有氧化铝颗粒和氧化锆颗粒,上述玻璃相含有MO‑Al2O3‑SiO2‑B2O3系玻璃(M为碱土金属),在上述烧结体的截面中,氧化铝颗粒的面积率为0.05~12%,氧化锆颗粒的面积率为0.05~6%。根据本发明,可得到能够进行低温烧结、具有低介电常数和充分的强度的玻璃陶瓷烧结体以及使用其的线圈电子部件。

    层叠型线圈部件
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103827992A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201280043701.2

    申请日:2012-08-20

    CPC classification number: H01F5/003 H01F17/0013 H01F41/042

    Abstract: 在层叠型线圈部件(1)中,烧成后的线圈导体(4,5)的粒径为10μm~22μm。通过将烧成后的线圈导体(4,5)的粒径设为10μm以上,能够将线圈导体的表面粗糙度减小至能够在高频下得到足够的Q值的程度。另外,通过使烧成后的线圈导体(4,5)的粒径为22μm以下,能够抑制烧成中线圈导体(4,5)的金属急剧熔解。通过上述情况,能够确保高品质,并且也能够得到高Q值。

    层叠型线圈部件
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103827991A

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201280043679.1

    申请日:2012-08-20

    CPC classification number: H01F5/06 H01F17/0013 H01F2017/004

    Abstract: 层叠型线圈部件具备:素体,其通过层叠多层绝缘体层而形成;以及线圈部,其通过多个线圈导体而形成在前述素体的内部;素体具有:在内部配置有线圈部的线圈部配置层;以及以夹持线圈部配置层的方式设置有至少一对且保持线圈部配置层的形状的保形层;保形层由含有SrO的玻璃陶瓷构成,线圈部配置层的软化点比保形层的软化点或熔点低。

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