公开(公告)号：CN113443909A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110260296.0

申请日：2021-03-10

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 村上拓 ,  森崎信人 ,  樱井弹 ,  有泉琢磨 ,  兼子俊彦

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明提供具有良好的温度特性且在高温·高电场下具有高可靠性的电介质陶瓷组合物及电子部件。一种电介质陶瓷组合物，具有钛酸钡、R元素的氧化物、M元素的氧化物及包含Si的氧化物。R元素为选自Eu、Gd、Tb、Dy、Y、Ho及Yb中的一种以上的元素，M元素为选自Mg、Ca、Mn、V及Cr中的一种以上的元素，以R2O3换算计的上述R元素的氧化物的含量和以SiO2换算计的包含Si的氧化物的含量之比包含于0.8：1～2.2：1之间，以MO换算计的M元素的氧化物的含量和以SiO2换算计的包含Si的氧化物的含量之比包含于0.2：1～1.8：1之间。构成电介质陶瓷组合物的电介质颗粒的个数的50％以上为具有核壳结构的核壳电介质颗粒。

公开(公告)号：CN113045306A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011497129.X

申请日：2020-12-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  森崎信人

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/49 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种密度高，并且呈现较高的强度的电介质组合物。电介质组合物包含主相和Ca‑RE‑Si‑O偏析相。主相包含以ABO3表示的主成分，A包含选自钡及钙中的至少任意一种，B包含选自钛及锆中的至少任意一种，Ca‑RE‑Si‑O偏析相的(Si/Ca)摩尔比及(Si/RE)摩尔比分别大于1，Ca‑RE‑Si‑O偏析相的长轴的平均长度为主相的平均粒径的1.30～2.80倍，Ca‑RE‑Si‑O偏析相的短轴的平均长度为主相的平均粒径的0.21～0.48倍。

公开(公告)号：CN110092660A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910052806.8

申请日：2019-01-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井弹 ,  兼子俊彦 ,  森崎信人 ,  高桥俊成 ,  伊藤康裕

IPC: C04B35/49 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的电介质陶瓷组合物包含：由钙钛矿型化合物(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-ZZrZ)O3(m、x、y、z都表示摩尔比，0.9≤m≤1.1，0≤x≤0.5，0≤y≤0.3，0≤x+y≤0.6，0.03≤z≤0.3)构成的主成分；和由稀土元素R的氧化物(R为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu的至少一种)构成的第一副成分，电介质陶瓷组合物含有电介质颗粒和晶界，电介质颗粒含有Zr固溶于电介质颗粒整体中的全固溶颗粒，将以电介质陶瓷组合物中的Ti原子浓度为100原子％时的电介质陶瓷组合物中的Zr浓度设为Za，将以全固溶颗粒中的Ti原子浓度为100原子％时的全固溶颗粒中的Zr的平均浓度设为Zb时，0.7＜Zb/Za，测定Zb时的测定值的标准偏差和平均值满足标准偏差/平均值≤0.15。

公开(公告)号：CN104003711B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410064852.7

申请日：2014-02-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 森崎信人 ,  佐佐木孝 ,  福冈智久 ,  松永裕太 ,  小松和博

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/48

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供一种即便在提高施加于电介质层上的电场强度，并且增加层叠陶瓷电容器的层叠数目的情况下也能显示良好的特性的电介质陶瓷组合物和电子部件。该电介质陶瓷组合物，含有钙钛矿型化合物（ABO3），相对于100mol化合物含有以下物质：以换算成各氧化物时含有Ra2O3（Ra为选自Dy、Gd和Tb中的至少1种以上）0.6～1.4mol；Rb2O3（Rb为Ho和/或Y）0.2～0.7mol；Rc2O3（Rc为选自Yb和/或Lu中的至少1种）0.2～0.7mol；换算成Mg时为0.6～1.6mol以下的Mg的氧化物；以及换算成Si时为0.6～1.2mol（不包括1.2）的Si的化合物。

公开(公告)号：CN101265087A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810082345.0

申请日：2008-02-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 阿满三四郎 ,  小岛隆 ,  宫内真理 ,  细野雅和 ,  樱井弹 ,  高野弘介 ,  森崎信人

IPC: C04B35/468 ,  H01L41/187 ,  H01B3/12

Abstract: 电介质陶瓷组合物，它是含有：含BaTiO3的主成分；含BaZrO3的第1副成分；含Mg氧化物的第2副成分；含稀土类元素氧化物的第3副成分；含选自Mn、Cr、Co和Fe中一种以上元素的氧化物的第4副成分；和含选自Si、Al、Ge、B和Li中一种以上元素的氧化物的第5副成分的电介质陶瓷组合物，其中：在构成电介质陶瓷组合物的电介质粒子之中至少有一部分电介质粒子具有由中心层和存在于其周围的扩散层构成的表面扩散结构。设在电介质粒子界面附近R浓度为CR，设扩散层中R浓度的最大值为CRmax时，CRmax/CR＞1。另外，设在电介质粒子界面附近的Mg浓度为CM，设扩散层中Mg浓度的最大值为CMmax时，CMmax/CM＞1。

公开(公告)号：CN114914085B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202210099142.2

申请日：2022-01-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有泉琢磨 ,  村上拓 ,  森崎信人 ,  兼子俊彦 ,  伊藤康裕

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种密度高，相对介电常数、电阻率及高温负荷寿命均良好的电介质组合物等。电介质组合物包含主相和含有稀土元素RE的偏析相。主相包含具有以ABO3(A为选自Ba、Sr及Ca中的一种以上，B为选自Ti、Zr及Hf中的一种以上)表示的钙钛矿型结晶结构的主成分。将偏析相中、Si相对于RE的原子数比为0以上且0.20以下的偏析相设为第一偏析相，将Si相对于RE的原子数比超过0.20的偏析相设为第二偏析相。在电介质组合物的截面中，在将第一偏析相的面积比例设为S1，将第二偏析相的面积比例设为S2的情况下，0≤S1/S2≤0.10。第二偏析相中的Si相对于RE的原子数比平均为0.80以下。

公开(公告)号：CN113045306B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202011497129.X

申请日：2020-12-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井口俊宏 ,  森崎信人

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/49 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种密度高，并且呈现较高的强度的电介质组合物。电介质组合物包含主相和Ca‑RE‑Si‑O偏析相。主相包含以ABO3表示的主成分，A包含选自钡及钙中的至少任意一种，B包含选自钛及锆中的至少任意一种，Ca‑RE‑Si‑O偏析相的(Si/Ca)摩尔比及(Si/RE)摩尔比分别大于1，Ca‑RE‑Si‑O偏析相的长轴的平均长度为主相的平均粒径的1.30～2.80倍，Ca‑RE‑Si‑O偏析相的短轴的平均长度为主相的平均粒径的0.21～0.48倍。

公开(公告)号：CN110776317B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201910641541.5

申请日：2019-07-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有泉琢磨 ,  兼子俊彦 ,  森崎信人 ,  伊藤康裕

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/468 ,  C04B35/47 ,  C04B35/48 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种进一步提高绝缘电阻率及高温负荷寿命的电介质陶瓷组合物。该电介质陶瓷组合物包含含有以通式ABO3(A为Ba等，B为Ti等)表示的主成分和稀土成分R的核‑壳结构的电介质颗粒，其中，上述核‑壳结构的壳部中的平均稀土浓度C为0.3atom％以上，壳部的稀土浓度梯度S为‑0.010atom％/nm≤S≤0.009atom％/nm，或壳部的稀土浓度的偏差为σ/C≤0.15(σ为稀土浓度的标准偏差，C为稀土浓度的平均)。

公开(公告)号：CN107266063B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201710188252.5

申请日：2017-03-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井弹 ,  森崎信人 ,  石井辰也 ,  有泉琢磨 ,  桥本晋亮 ,  伊藤康裕

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/626 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B35/636 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种电介体陶瓷组合物及叠层陶瓷电容器，所述电介体陶瓷组合物即使在较高的电场强度下，特性也良好，特别是IR特性及高温负载寿命良好。本发明的电介体陶瓷组合物包含：由以组成式(Ba1‑x‑ySrxCay)m(Ti1‑ZZrZ)O3表示的钙钛矿型化合物构成的主成分；由稀土元素的氧化物构成的第一副成分；作为烧结助剂的第二副成分，其中，上述电介体陶瓷组合物含有电介体颗粒，该电介体颗粒为由稀土元素扩散而成的扩散相形成的全固溶颗粒、或者扩散相的比例较高的核壳颗粒，且扩散相中的稀土元素的平均浓度为5～20原子％，扩散相的稀土元素的浓度分布均匀。

公开(公告)号：CN110092659B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201910052631.0

申请日：2019-01-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 樱井弹 ,  兼子俊彦 ,  森崎信人 ,  高桥俊成 ,  伊藤康裕

IPC: C04B35/49 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的电介质陶瓷组合物包含：由钙钛矿型化合物(Ba1‑x‑ySrxCay)m(Ti1‑ZZrZ)O3(m、x、y、z表示摩尔比，0.9≤m≤1.1，0≤x≤0.5，0≤y≤0.3，0≤x+y≤0.6，0.03≤z≤0.3)构成的主成分；和由稀土元素R的氧化物(R为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu的至少一种)构成的第一副成分，电介质陶瓷组合物含有电介质颗粒和晶界，电介质颗粒含有稀土元素及Zr固溶于电介质颗粒整体的全固溶颗粒，将以电介质陶瓷组合物中的Ti原子的浓度为100原子％时电介质陶瓷组合物中的稀土元素R的浓度设为Ra，将以全固溶颗粒中的Ti原子的浓度为100原子％时全固溶颗粒中的Zr的平均浓度设为Zb，且将稀土元素R的平均浓度设为Rb时，0.82＜Rb/Ra；0.6＜Rb/Zb＜1.0。