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公开(公告)号：CN104944941B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510131705.1
申请日：2015-03-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/49 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/1227
Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其特征在于，是具备具有由通式ABO3(A是选自Ba、Ca和Sr当中的至少一种，B是选自Ti和Zr当中的至少一种)表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、以及至少含有稀土化合物的添加物的电介质陶瓷组合物，至少具备具有核壳结构的电介质颗粒和偏析颗粒，在所述偏析颗粒中所述稀土化合物的浓度为所述具有核壳结构的电介质颗粒的壳部的所述稀土化合物平均浓度的2倍以上，所述偏析颗粒所占的面积为0.1～1.1％，在令所述偏析颗粒的最大粒径为rbmax、所述偏析颗粒的最小粒径为rbmin、具有所述核壳结构的电介质颗粒的平均粒径为ra的情况下，rbmax/ra≤2.00和rbmin/ra≥0.25，不存在实质上含有Mg的所述偏析颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104003711B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201410064852.7
申请日：2014-02-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/465 , C04B35/48
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/664 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/30 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供一种即便在提高施加于电介质层上的电场强度，并且增加层叠陶瓷电容器的层叠数目的情况下也能显示良好的特性的电介质陶瓷组合物和电子部件。该电介质陶瓷组合物，含有钙钛矿型化合物（ABO3），相对于100mol化合物含有以下物质：以换算成各氧化物时含有Ra2O3（Ra为选自Dy、Gd和Tb中的至少1种以上）0.6～1.4mol；Rb2O3（Rb为Ho和/或Y）0.2～0.7mol；Rc2O3（Rc为选自Yb和/或Lu中的至少1种）0.2～0.7mol；换算成Mg时为0.6～1.6mol以下的Mg的氧化物；以及换算成Si时为0.6～1.2mol（不包括1.2）的Si的化合物。
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公开(公告)号：CN102219478B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110065883.0
申请日：2011-03-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/01 , C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/491
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/761 , C04B2235/79
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，其特征在于，作为主成分，含有用一般式ABO3表示的具有钙钛矿型结晶结构的化合物，相对于100摩尔的化合物，作为副成分，含有用各元素换算，0.6～2.0摩尔的Mg的氧化物、0.010～0.6摩尔的Mn和/或Cr的氧化物、0.010～0.2摩尔的从V、Mo以及W中选出的一种以上元素的氧化物、0.10～1.0摩尔的R1的氧化物(R1是从Y、Yb、Er以及Ho选出的一种以上)、0.10～1.0摩尔的R2的氧化物(R2是从Dy、Gd、以及Tb中选出的一种以上)、以及0.2～1.5摩尔的，包括Ba的氧化物和/或Ca的氧化物以及Si的氧化物的成分。如果采用本发明，则能够提供即使是使电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物。
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公开(公告)号：CN102219478A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110065883.0
申请日：2011-03-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/491
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/761 , C04B2235/79
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物，其特征在于，作为主成分，含有用一般式ABO3表示的具有钙钛矿型结晶结构的化合物，相对于100摩尔的化合物，作为副成分，含有用各元素换算，0.6～2.0摩尔的Mg的氧化物、0.010～0.6摩尔的Mn和/或Cr的氧化物、0.010～0.2摩尔的从V、Mo以及W中选出的一种以上元素的氧化物、0.10～1.0摩尔的R1的氧化物(R1是从Y、Yb、Er以及Ho选出的一种以上)、0.10～1.0摩尔的R2的氧化物(R2是从Dy、Gd、以及Tb中选出的一种以上)、以及0.2～1.5摩尔的，包括Ba的氧化物和/或Ca的氧化物以及Si的氧化物的成分。如果采用本发明，则能够提供即使是使电介质层薄型化的情况下，也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物。
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公开(公告)号：CN104944941A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510131705.1
申请日：2015-03-24
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/49 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/1227
Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其特征在于，是具备具有由通式ABO3(A是选自Ba、Ca和Sr当中的至少一种，B是选自Ti和Zr当中的至少一种)表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、以及至少含有稀土化合物的添加物的电介质陶瓷组合物，至少具备具有核壳结构的电介质颗粒和偏析颗粒，在所述偏析颗粒中所述稀土化合物的浓度为所述具有核壳结构的电介质颗粒的壳部的所述稀土化合物平均浓度的2倍以上，所述偏析颗粒所占的面积为0.1～1.1％，在令所述偏析颗粒的最大粒径为rbmax、所述偏析颗粒的最小粒径为rbmin、具有所述核壳结构的电介质颗粒的平均粒径为ra的情况下，rbmax/ra≤2.00和rbmin/ra≥0.25，不存在实质上含有Mg的所述偏析颗粒。
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公开(公告)号：CN104003711A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410064852.7
申请日：2014-02-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/465 , C04B35/48
CPC classification number: C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/664 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/30 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明提供一种即便在提高施加于电介质层上的电场强度，并且增加层叠陶瓷电容器的层叠数目的情况下也能显示良好的特性的电介质陶瓷组合物和电子部件。该电介质陶瓷组合物，含有钙钛矿型化合物（ABO3），相对于100mol化合物含有以下物质：以换算成各氧化物时含有Ra2O3（Ra为选自Dy、Gd和Tb中的至少1种以上）0.6～1.4mol；Rb2O3（Rb为Ho和/或Y）0.2～0.7mol；Rc2O3（Rc为选自Yb和/或Lu中的至少1种）0.2～0.7mol；换算成Mg时为0.6～1.6mol以下的Mg的氧化物；以及换算成Si时为0.6～1.2mol（不包括1.2）的Si的化合物。
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