公开(公告)号：US20150072532A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：US14025524

申请日：2013-09-12

Applicant: United Microelectronics Corp.

Inventor： Wen-Liang Huang ,  Chia-Hung Lin ,  Chun-Chi Yu

IPC: H01L21/308

CPC classification number: H01L21/3086 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3088

Abstract: A patterning method is provided. First, a material layer is formed over a substrate. Thereafter, a plurality of directed self-assembly (DSA) patterns are formed on the material layer. Afterwards, a patterned photoresist layer is formed by using a single lithography process. The patterned photoresist layer covers a first portion of the DSA patterns and exposes a second portion of the DSA patterns. Further, the material layer is patterned by an etching process, using the patterned photoresist layer and the second portion of the DSA patterns as a mask.

Abstract translation: 提供了图案化方法。 首先，在基板上形成材料层。 此后，在材料层上形成多个定向自组装（DSA）图案。 之后，通过使用单个光刻工艺形成图案化的光致抗蚀剂层。 图案化的光致抗蚀剂层覆盖DSA图案的第一部分并且暴露DSA图案的第二部分。 此外，通过蚀刻工艺，使用图案化的光致抗蚀剂层和DSA图案的第二部分作为掩模来对材料层进行图案化。