-
公开(公告)号：CN1672929A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510059195.8
申请日：2005-03-24
Applicant: 惠普开发有限公司
CPC classification number: B41J2/16 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1639 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B81B3/0035 , B81B2201/047 , B81B2201/052 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种用于在电子器件(310)中形成腔室(350)的方法，该方法包括在固化的芯材料(334)上制备外层表面(336)，该固化芯材料(334)在形成于衬底(312)中的凹槽(316)中。该方法还包括在固化芯材料(334)的制备的外层表面(336)和围绕凹槽(316)的部分衬底(312)上建立层(338)，该建立的层(338)和衬底(312)限定出腔室(350)。
-
公开(公告)号：CN107249892A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680010417.3
申请日：2016-02-03
Applicant: 马姆杰特科技有限公司
CPC classification number: B81C1/00611 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1645 , B81B2201/052 , B81B2203/0353 , B81C2201/0104 , B81C2201/0121 , B81C1/00087
Abstract: 一种用于填充限定在晶片衬底的前侧表面中的一个或多个蚀刻孔的方法。所述方法包括以下步骤：(i)将热塑性第一聚合物层沉积到所述前侧表面上和每个孔中；(ii)回流所述第一聚合物；(iii)将所述晶片衬底暴露于受控的氧化等离子体；(iv)任选地重复步骤(i)至(iii)；(v)沉积可光成像的第二聚合物层；(vi)使用曝光和显影从这些孔的外周外侧的区域选择性地去除所述第二聚合物；以及(vii)平坦化所述前侧表面以提供用包含彼此不同的所述第一和第二聚合物的堵塞物填充的孔。每个堵塞物具有与所述前侧表面共面的相应上表面。
-
公开(公告)号：CN107032285A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611021448.7
申请日：2016-11-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2002/14241 , B41J2002/14266 , B41J2002/14491 , B41J2202/11 , B41J2202/18 , B81B7/0061 , B81B2201/052 , B81B3/0032
Abstract: 本发明提供抑制了层压于压电体层(38)上的上电极层(39)的端部处的烧损等损坏的MEMS器件、液体喷射头以及液体喷射装置。MEMS器件具备：驱动区域(35)，其具有下电极层(37)、压电体层(38)及上电极层(39)依次层压所形成的压电元件(32)，压电元件(32)从驱动区域(35)延伸到非驱动区域(36)，且在该延伸方向上，下电极层(37)及压电体层(38)延伸到与上电极层(39)相比靠外侧，覆盖延伸方向上的上电极层(39)的端部的树脂部(43)被层压在非驱动区域(36)内的上电极层(39)上以及形成在与该上电极层(39)相比靠外侧处的压电体层(38)上，与上电极层(39)电连接的导电层(44)层压在树脂部(43)上及从该树脂部(43)偏离出的区域内的上电极层(39)上，上电极层(39)的端部被形成在与导电层(44)的树脂部(43)侧的端部相比靠驱动区域(35)侧处。
-
公开(公告)号：CN1926056B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580006877.0
申请日：2005-02-16
Applicant: 惠普开发有限公司
CPC classification number: B81C1/00087 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1634 , B81B2201/052
Abstract: 所介绍的实施例涉及带槽的基片(300)和形成槽的方法。一示例性方法在基片(300)的第一表面(302)形成第一槽部分(410a)，第一槽部分(410a)在第一表面(302)形成覆盖区(404)。该方法还通过第一槽部分(410a)形成第二槽部分(410a1)，和通过基片(300)的第二表面(303)形成第三槽部分(410a2)，与第二槽部分(410a1)充分相交，形成通过基片(300)的流体运送槽(305)。
-
公开(公告)号：CN1926056A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200580006877.0
申请日：2005-02-16
Applicant: 惠普开发有限公司
CPC classification number: B81C1/00087 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1634 , B81B2201/052
Abstract: 所介绍的实施例涉及带槽的基片(300)和形成槽的方法。一示例性方法在基片(300)的第一表面(302)形成第一槽部分(410a)，第一槽部分(410a)在第一表面(302)形成覆盖区(404)。该方法还通过第一槽部分(410a)形成第二槽部分(410a1)，和通过基片(300)的第二表面(303)形成第三槽部分(410a2)，与第二槽部分(410a1)充分相交，形成通过基片(300)的流体运送槽(305)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1660690A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510063942.5
申请日：2001-05-02
Applicant: 西尔弗布鲁克研究有限公司
Inventor： 基亚·西尔弗布鲁克
CPC classification number: B41J2/1645 , B41J2/14427 , B41J2/1623 , B41J2/1626 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1648 , B81B3/007 , B81B2201/031 , B81B2201/036 , B81B2201/052 , Y10T29/42 , Y10T29/49083 , Y10T29/49401
Abstract: 一种热致弯曲致动器(6)，其设置有上支臂(23、25、26)和下支臂(27、28)，在横截面中，上支臂和下支臂具有构造成用于在垂直于其纵向的方向上提高抗弯曲性的第二力矩区。支臂(23、25、26、27、28)可以彼此横向间隔开，并且在平面图中彼此不重叠，从而使所有支臂能够通过淀积单独一个支臂形成材料层来形成。
-
公开(公告)号：CN104919191B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201380070944.X
申请日：2013-12-20
Applicant: 精密公司
IPC: F15C3/04
CPC classification number: B01L3/50273 , B01L3/502707 , B01L3/502738 , B01L2200/0689 , B01L2200/12 , B01L2300/0816 , B01L2300/0874 , B01L2300/0887 , B01L2300/123 , B01L2400/0481 , B01L2400/0487 , B01L2400/0638 , B01L2400/0655 , B29C43/021 , B29C65/16 , B29K2101/00 , B29L2009/00 , B29L2031/7496 , B81B2201/052 , B81C1/00119 , F04B43/043 , F16K99/0015 , F16K99/0059 , F16K2099/0078 , F16K2099/008 , F16K2099/0084 , F16K2099/0086 , Y10T156/1026
Abstract: 本发明涉及流体滤筒及其制造，其具有包括气动地操作的隔膜构件的多个回路元件子类型，其中隔膜材料针对屈服点、耐化学品性、透气性和其它特性根据流体元件子类型独立地进行选择。本发明还提供现场边缘粘接剪贴工艺，其用于形成滤筒内的隔膜构件，并且形成流体回路，在流体回路中隔膜构件用作主动和被动回路元件，回路元件包括泵、阀、通风口、废弃物容器、试剂贮存器以及具有光学窗口的透明小容器，其中在制造期间，每个独立隔膜构件的材料组成可以选择各类材料。
-
公开(公告)号：CN103302987B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310080906.4
申请日：2013-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 高桥秀治
IPC: B41J2/16
CPC classification number: H01L21/30604 , B41J2/14233 , B41J2/1433 , B41J2/162 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B81B2201/052 , B81C1/00626 , H01L21/30608
Abstract: 本发明公开了一种制造喷嘴板的方法，所述方法包括：掩膜图案层形成步骤，相对于由具有（111）表面取向的第一硅衬底和具有（100）表面取向的第二硅衬底构成的叠层衬底，在所述第二硅衬底上形成框状掩膜图案层；在所述第一硅衬底中形成所述喷嘴的直线部的非贯通孔形成步骤；在未覆盖有所述掩膜图案层的所述第二硅衬底上的第一部分上和限定所述非贯通孔的所述第一和第二硅衬底的内表面上形成保护膜的保护膜形成步骤；以及对所述第二硅衬底进行各向异性蚀刻以形成由通过所述各向异性蚀刻而暴露在所述第二硅衬底中的{111}表面所限定的所述喷嘴的锥形部的各向异性蚀刻步骤。
-
公开(公告)号：CN103302987A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310080906.4
申请日：2013-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 高桥秀治
IPC: B41J2/16
CPC classification number: H01L21/30604 , B41J2/14233 , B41J2/1433 , B41J2/162 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , B81B2201/052 , B81C1/00626 , H01L21/30608
Abstract: 本发明公开了一种制造喷嘴板的方法，所述方法包括：掩膜图案层形成步骤，相对于由具有（111）表面取向的第一硅衬底和具有（100）表面取向的第二硅衬底构成的叠层衬底，在所述第二硅衬底上形成框状掩膜图案层；在所述第一硅衬底中形成所述喷嘴的直线部的非贯通孔形成步骤；在未覆盖有所述掩膜图案层的所述第二硅衬底上的第一部分上和限定所述非贯通孔的所述第一和第二硅衬底的内表面上形成保护膜的保护膜形成步骤；以及对所述第二硅衬底进行各向异性蚀刻以形成由通过所述各向异性蚀刻而暴露在所述第二硅衬底中的{111}表面所限定的所述喷嘴的锥形部的各向异性蚀刻步骤。
-
公开(公告)号：CN101836283B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880112369.4
申请日：2008-08-04
Applicant: 惠普开发有限公司
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B81C1/00087 , B41J2/16 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1634 , B81B2201/052 , H01L21/76898
Abstract: 形成穿过硅基底(12)的第一侧(21)到达硅基底(12)的第二侧的槽(18)。激光图案化沟(15)。沟(15)在硅基底(12)的第一侧(21)具有开口。沟(15)未到达硅基底(12)的第二侧。对沟(15)进行干法蚀刻直到沟(15)的至少一部分的深度近似地延伸至硅基底(12)的第二侧。执行湿法蚀刻以完成槽(18)的形成。所述湿法蚀刻从沟(15)的所有表面对硅进行蚀刻。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
325
records
(took 0.036 seconds)
