以LIGA工艺制造聚合物微针阵列的方法

    公开(公告)号:CN100513145C

    公开(公告)日:2009-07-15

    申请号:CN200480002378.X

    申请日:2004-01-16

    Applicant: 李承燮

    Inventor: 李承燮 文祥俊

    Abstract: 本发明涉及以X射线工艺制造微针阵列的方法。本发明提供了微针阵列的制造方法,包含的步骤为:通过在基片上生成具有微针阵列构造的吸收器,制备X射线掩膜;采用X射线掩膜,通过将PMMA曝光于垂直和倾斜的X射线,制备用于微针阵列的PMMA铸型;通过将PDMS浇注于PMMA铸型上,制备具有与PMMA相反构造的柔性PDMS模具;以凝胶型聚合物填充PDMS模具的上表面,得到期望厚度的聚合物;通过在聚合物上辐照紫外线,将具有期望构造的孔穴图案代;以及分离PDMS模具,完成聚合物微针阵列。本发明的微针阵列由聚合物材料制成,可用于从皮肤抽取血液或将药物注射入皮肤。

    一种在微尖锥顶端定位镀膜的方法

    公开(公告)号:CN1180121C

    公开(公告)日:2004-12-15

    申请号:CN02114979.8

    申请日:2002-03-20

    Applicant: 中山大学

    CPC classification number: B81C1/00111 B81B2201/055 B82Y30/00

    Abstract: 本发明公开了一种微尖锥定位镀膜的方法。所述的方法采用的工艺步骤如下:(1)锥尖暴露高度确定:在整个尖锥器件表面沉积覆盖层,采用薄膜削薄技术,减小表面覆盖层厚度,露出锥尖顶端,而锥体仍被覆盖;通过调节薄膜削薄参数,控制锥尖露出高度;(2)表面处理和钝化:根据实际需要,对露出锥尖进行表面净化处理和钝化保护。(3)薄膜沉积:根据实际需要,在锥尖顶端沉积上一层所需薄膜材料;(4)器件表面覆盖层剥离:采用选择性腐蚀方式,剥离器件表面覆盖层,形成锥尖定位镀膜器件。所述的微尖锥定位镀膜的方法,可对尖锥进行锥尖定位净化和镀膜。

    微型针装置的制造方法和相应的微型针装置及其应用

    公开(公告)号:CN102311091B

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201110183266.0

    申请日:2011-07-01

    Abstract: 本发明提供一种微型针装置的制造方法和一种相应的微型针装置,及其应用。本方法具有下述步骤:在基质(1)上形成具有栅格支架(100’、110’;100’’、110’’;100’’’、110’’’),具有相应的栅格交叉区域(10’a;10’’a;10’’’a)和位于中间的栅格开口(10’b;10’’b;10’’’b)的栅格形的蚀刻掩模(10’;10’’;10’’’);在使用蚀刻掩模(10’;10’’;10’’’;11’’’;12’’’;13’’’;14’’’)的情况下在基质(1)上实施形成微型针装置(20’;20’’;20’’’;21’’’;22’’’)的蚀刻工序;取下蚀刻掩模(10’;10’’;10’’’;11’’’;12’’’;13’’’;14’’’)。栅格形的蚀刻掩模(10’;10’’;10’’’)在栅格交叉区域(10’a;10’’a;10’’’a)的至少一部分上具有平面的加强区域(115’;115’’a;115’’b),所述栅格交叉区域超出栅格接片(100’、110’;100’’、110’’;100’’’、110’’’)地延伸。

    微型针装置的制造方法和相应的微型针装置及其应用

    公开(公告)号:CN102311091A

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN201110183266.0

    申请日:2011-07-01

    Abstract: 本发明提供一种微型针装置的制造方法和一种相应的微型针装置,及其应用。本方法具有下述步骤:在基质(1)上形成具有栅格支架(100′、110′;100″、110″;100″′、110″′),具有相应的栅格交叉区域(10′a;10″a;10″′a)和位于中间的栅格开口(10′b;10″b;10″′b)的栅格形的蚀刻掩模(10′;10″;10″′);在使用蚀刻掩模(10′;10″;10″′;11″′;12″′;13″′;14″′)的情况下在基质(1)上实施形成微型针装置(20′;20″;20″′;21″′;22″′)的蚀刻工序;取下蚀刻掩模(10′;10″;10″′;11″′;12″′;13″′;14″′)。栅格形的蚀刻掩模(10′;10″;10″′)在栅格交叉区域(10’a;10″a;10″′a)的至少一部分上具有平面的加强区域(115′;115″a;115″b),所述栅格交叉区域超出栅格接片(100′、110′;100″、110″;100″′、110″′)地延伸。

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