公开(公告)号：CN106430076A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610605284.6

申请日：2016-07-28

Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 康晓旭

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01J5/22

CPC classification number: B81B7/0009 ,  B81C1/00222 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/01 ,  G01J5/22

Abstract: 本发明提供了一种高填充红外探测器像元结构及其制备方法，包括在硅衬底上形成导电梁结构和导电梁结构上形成红外探测结构；每一层导电沟槽的底部与其下方相邻层的导电沟槽的顶部分别接触连接于一导电梁的两端；其中一层导电沟槽的底部与导电金属区相接触；导电梁结构的最顶层中具有顶层导电沟槽和顶层导电梁；顶层导电梁与红外探测结构相接触连接，使微桥结构位于导电梁结构之上，每一层的导电沟槽和导电梁构成了迂回阶梯状的结构，从而使微桥结构产生的电信号的传输路径呈迂回阶梯状；微桥结构产生的电信号从顶层导电梁传输到顶层导电沟槽的顶部，再传输到顶层导电沟槽的底部，经过多层导电沟槽和导电梁之间的传输，最后传输到导电金属区。

公开(公告)号：CN106115605A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610554237.3

申请日：2016-07-14

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 靖向萌

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00325 ,  B81C2201/01 ,  B81C2203/01

Abstract: 本发明实施例公开了一种微机电系统器件封装结构及方法。所述封装结构包括：盖帽的第一平面上形成有第一凹槽、第一金属导线和第二金属导线；第一金属导线的第一端通过位于第一凹槽底部的连接孔延伸至盖帽的第二平面，第一金属导线的第二端以及第二金属导线位于第一平面的非第一凹槽区域；微机电系统晶圆上形成有器件结构、第三金属导线以及与器件结构电连接的第四金属导线；器件结构与第一凹槽对应设置；第四金属导线与第一金属导线的第二端通过第一键合层键合，以实现电连接；第三金属导线与第二金属导线通过第二键合层键合，以密封盖帽和微机电系统晶圆。本发明实施例提供了一种在保证气密性的同时，降低工艺难度和成本的封装方案。

公开(公告)号：CN105329849A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510675743.3

申请日：2015-10-16

Applicant: 上海师范大学

Inventor： 赵高杰 ,  孙玉俊 ,  刘益宏 ,  廖黎明 ,  刘少雄 ,  李星月 ,  姜舒月 ,  陈之战

IPC: B81C1/00 ,  C23C28/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18 ,  C25D3/12 ,  C25D5/02

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81C1/00373 ,  B81C1/00388 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/01 ,  C23C14/04 ,  C23C14/185 ,  C23C14/35 ,  C23C28/023 ,  C25D3/12 ,  C25D5/024

Abstract: 本发明一种基于微电镀的MEMS微型阵列结构加工工艺，具体指一种半导体材料深刻蚀加工的掩膜的制备方法，涉及半导体材料加工技术领域。本发明以SiC材料为例。本发明包括：准备SiC衬底；光刻图形化；磁控溅射制备种子层；二次光刻图形化；配制电镀液；电镀制备金属层等步骤。通过全新掩膜结构，优化电镀液组分，改进微电镀条件，提高镀层金属与衬底的粘附性，提高镀层金属的均匀性和厚度，制备金属镀层既满足SiC深刻蚀加工掩膜层的需要，又扩展了碳化硅在相关器件制备方面的应用。为SiC压力传感器等在恶劣环境(高温、高压、强腐蚀、强辐射)下的应用提供了技术支持。

公开(公告)号：CN106927419A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710150940.2

申请日：2017-03-14

Applicant: 苏州希美微纳系统有限公司

Inventor： 刘泽文 ,  龚著浩

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0032 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00261 ,  B81C2201/01

Abstract: 本发明涉及一种用于射频微机电系统的圆片级封装结构及其封装方法，其包括有衬底，衬底上分布有微波传输层与电学连接层，微波传输层上连接有射频微机电系统器件，衬底通过有机材料封装区和非有机材料封装区与封装顶盖键合在一起，封装顶盖内设置有封装腔，射频微机电系统器件位于封装腔内，微波传输层从有机材料封装区通过，电学连接线从非有机材料封装区引出。由此，封装结构避免了传统的衬底打通孔工艺，利用较简单的工艺将射频信号通过微波传输线从有机材料中引出。存在非有机材料封装区，弥补了仅有有机材料封装时的气密性和键合强度不足的问题。能有效保证射频微机电系统器件的可动结构部分受到保护，提高了射频微机电系统器件的可靠性。

公开(公告)号：CN106672896A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201710019539.5

申请日：2017-01-12

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 陈云 ,  李力一 ,  麦锡全 ,  陈新 ,  刘强 ,  汪正平

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00849 ,  B81C1/00373 ,  B81C1/00412 ,  B81C2201/01 ,  B81C2201/0198

Abstract: 一种任意三维微结构的加工方法，包括如下步骤：(1)将硅或III‑V族半导体材料的工件清洗干燥；(2)在工件衬底上旋涂一层光刻胶，加盖所需微结构形状的掩膜板、曝光，曝光的光刻胶经过显影去除；去除曝光的光刻胶；蒸镀钛(Ti)和金(Au)层；(3)将刻蚀路线各段分别映射到沿x、y、z轴三个方向；根据不同的刻蚀转向角度配置相应的刻蚀液，刻蚀液可沿着工件的某一晶向进行刻蚀；(4)将工件放入对应起始角度的刻蚀液中进行刻蚀；(5)取出工件，浸入预设刻蚀转向角度对应的刻蚀液中进行刻蚀；若需要多个转向弯折点，则重复步骤(4)和步骤(5)；本发明可实现在加工件上可形成任意规则的复杂三维微结构，其操作简单且成本低廉。

公开(公告)号：CN106629581A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611206291.5

申请日：2016-12-23

Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司

Inventor： 许开东

IPC: B81C1/00 ,  G01J5/02

CPC classification number: B81C1/00388 ,  B81C2201/01 ,  B81C2201/0198 ,  G01J5/02

Abstract: 本发明公开一种全湿法腐蚀形成器件结构的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上键合石英玻璃，并对所述石英玻璃进行减薄；在所述减薄后的石英玻璃上形成钛钨合金层；在所述钛钨合金上形成铝层或者铝铜合金层；形成光刻胶并进行光刻图形化；以所述图形化后的光刻胶为掩膜，采用铝腐蚀液对所述铝层或铝铜合金层进行湿法腐蚀；湿法去除光刻胶；以及以所述湿法腐蚀后的铝层或铝铜层为掩膜，采用钛钨腐蚀液对所述钛钨合金层进行湿法腐蚀，其中所述钛钨腐蚀液包含碱性溶液和双氧水，并且pH值介于6～8之间。本发明优化了工艺流程步骤，有效降低了生产成本。

公开(公告)号：CN106495092A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201611043594.X

申请日：2016-11-24

Applicant: 陕西启源科技发展有限责任公司

Inventor： 张淑芬

IPC: B81C1/00 ,  G01L5/16

CPC classification number: B81C1/00349 ,  B81C1/00134 ,  B81C2201/01 ,  G01L5/16

Abstract: 本发明探针式六维力传感器加工方法涉及传感器加工领域，具体涉及探针式六维力传感器加工方法，包括以下步骤：选择N型晶向的双面抛光单晶硅片，厚度350um，电阻率5Ω·cm-15Ω·cm，经化学清洗后，采用热氧化工艺在硅片正反两面同时生长一层二氧化硅，厚度约5000Å；正面扩散电阻区光刻，去除窗口区的二氧化硅；采用两步淡硼扩散工艺在窗口区形成P型压敏电阻，其方阻为30～50欧姆，再分布后的二氧化硅层厚度为8000Å；正面欧姆接触区光刻，去除窗口区的二氧化硅；正面窗口区浓硼扩散，去除硼硅玻璃层，随后生长一层二氧化硅，厚度5000Å；本发明易于加工，且操作简单，能保证加工质量，提高生产效率，降低生产成本。

公开(公告)号：CN106430083A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610977048.7

申请日：2016-10-28

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 卢马才

IPC: B81C1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: B82B3/0009 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/01 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明提供一种纳米级柱状物林的制作方法，通过在衬底基板上依次形成第一无机物膜层与光阻层，利用惰性气体等离子体将所述第一无机物膜层上的部分无机物材料溅射转移至光阻层上，在光阻层上形成不连续的第二无机物膜层，然后利用所述不连续的第二无机物膜层作为掩膜，对所述光阻层进行等离子体刻蚀，即可在光阻层表面形成纳米级柱状物林。该方法无需微显影技术即可在光阻层上形成大面积的纳米级柱状物林，能够应用于显示面板的生产中并大幅度降低相关工艺的生产成本。

公开(公告)号：CN106241726A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201510852244.7

申请日：2015-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  朱家骅 ,  戴健轩

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00238 ,  H01L27/14692 ,  H01L27/20 ,  B81B7/0032 ,  B81B3/00 ,  B81B7/007 ,  B81B7/02 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00301 ,  B81C3/00 ,  B81C2201/01 ,  B81C2203/01

Abstract: 在一些实施例中，本发明提供了MEMS封装件。MEMS封装件包括MEMS IC，MEMS IC包括MEMS衬底、设置在MEMS衬底上方的介电层和设置在介电层上方的压电层。介电层包括由介电材料制成的柔性膜片，以及压电层包括位于柔性膜片上方的压电开口。CMOS IC包括CMOS衬底和电互连结构。CMOS IC接合至MEMS IC，因此电互连结构接近压电层并且因此CMOS IC包围位于柔性膜片上方的后腔。在电互连结构和压电层之间设置支撑层。支撑层具有设置在与柔性膜片垂直对准的位置处并且是部分后腔的支撑层开口。本发明的实施例还涉及MEMS封装技术。

公开(公告)号：CN105668503A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610137385.5

申请日：2016-03-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 王紫东 ,  傅云义 ,  贾越辉 ,  龚欣 ,  彭沛 ,  田仲政 ,  任黎明

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00349 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/01 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种由金属辅助的二维材料纳米带的制备方法。该方法借助金属来制备矩形的金属/二维材料的双层纳米结构，从而在其边缘形成金属/二维材料的纳米卷，该纳米卷曲物的宽度一般可在100nm以下，通过反复使用等离子体刻蚀和湿法溶解金属的方法，最终可以制备出宽度在30～80nm的二维材料纳米带。相对于其他制备二维材料纳米带的技术，本发明不需要使用高精度的电子束曝光机，而且所制备的二维材料纳米带位置可控。