公开(公告)号：CN107337173A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201611218910.2

申请日：2016-12-26

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·O·格西多尼 ,  R·布廖斯基

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/05 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  H04R1/04 ,  H04R1/406 ,  H04R19/005 ,  H04R2201/003 ,  B81B3/0027 ,  B81B3/0018 ,  B81C1/00134 ,  B81C2201/01 ,  B81C2203/00

Abstract: 本公开涉及多室换能器模块、含多室换能器模块的装置及其制造方法。换能器模块(10)包括：支持衬底(23)，具有第一侧(23a)和第二侧(23b)；盖(27)，在支持衬底的第一侧上方延伸并且与支持衬底一起限定内部彼此隔离的第一室(108)和第二室(109)；第一换能器(1)，位于第一室(8)中；第二换能器(42)，位于第二使(18)中；以及控制芯片(22)，至少部分地在第一室和/或第二室中延伸，并且功能性地耦合至第一换能器和第二换能器，用于在使用中分别接收由第一和第二换能器转换的信号。

公开(公告)号：CN106946221A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710164125.1

申请日：2017-03-20

Applicant: 中北大学

Inventor： 段俊萍 ,  崔建利 ,  张斌珍 ,  唐军

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  G03F7/40

CPC classification number: B81C1/00166 ,  B81C1/00015 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/01 ,  B81C2201/0198 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/162 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明属于柔性传感领域和微纳系统领域，具体为基于“V”型槽阵列电极的柔性压力传感器制作方法。基于“V”型阵列电极的柔性压力传感器制作方法，包括柔性压力传感器“V”型槽阵列电极的制备和碳纳米管/PDMS聚合物的制备，取制得的两个柔性压力传感器“V”型槽阵列电极分别作为上电极和下电极，碳纳米管/PDMS复合薄膜作为中间介电层，封装形成柔性压力传感器。针对金属材料与柔性衬底粘附性差的问题，本发明选用聚二甲基硅氧烷（PDMS）作为柔性衬底材料，金属Ag作为电极材料，并利用plasma工艺对PDMS柔性衬底表面进行修饰处理用于增强金属Ag与PDMS的粘附性，设计的“V”型槽阵列微电极结构有效解决了柔性压力传感器在发生较大形变时金属电极产生断裂的问题。

公开(公告)号：CN106495088A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610844667.9

申请日：2016-09-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  杨闻帅 ,  马明园 ,  廖庆亮 ,  陈步航 ,  徐肖慧 ,  何奕霖

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00349 ,  B81C1/00015 ,  B81C2201/01

Abstract: 本发明涉及纳米技术领域，提供了一种模板热压制备维纳结构表面形貌的方法，包括：一、预处理：对固定基板、压印模板，基底薄膜材料进行清洗；二、组装：将压印模板和基底薄膜材料紧密贴合并使用上下固定基板固定，形成薄膜层--模板层层叠体；三、加热压印，薄膜-模板层叠体加热，施加压力500~600N，维持20~30min；四、脱模，层叠体放入乙醇中，超声之后将压印模板和基底薄膜材料分离。本发明的有益效果为：构建薄膜-模板层叠体，加热脱模后得到具有微纳结构表面形貌的聚合物薄膜。该方法不仅能得到尺寸小、重复性好的微纳结构表面形貌，而且制备工艺简单，成本低廉，可广泛应用于纳米压印以及微电子技术等领域。

公开(公告)号：CN106430075A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201611037812.9

申请日：2016-11-23

Applicant: 南通沃特光电科技有限公司

Inventor： 王汉清

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00349 ,  B81B3/0029 ,  B81C1/00 ,  B81C2201/01

Abstract: 本发明提供了一种传感器的制造方法，包括以下步骤：（1）提供第一衬底，所述第一衬底包括具有第一光接收区的正面和与所述正面相对的背面；（2）所述第一衬底的背面制作凹槽，所述凹槽深度小于或等于所述第一衬底的厚度的一半；3）提供第二衬底，并将所述第二衬底固定于所述凹槽内，所述第二衬底包括具有第二光接收区的正面和与所述正面相对的背面，所述第二衬底的正面与所述第一衬底的背面共面。

公开(公告)号：CN106315503A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610704386.3

申请日：2016-08-23

Applicant: 中山大学

Inventor： 周建华 ,  张力 ,  王阳阳

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00206 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00341 ,  B81C1/00404 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/01 ,  B81C2201/0156

Abstract: 本发明提供了一种硅基准三维纳米结构有序阵列及其制备方法，所述的准三维纳米结构为纳米级的两头大中间小的柱状结构，所述的柱状结构的两头的直径和柱状结构的中间的直径的比例为3~20：1。与现有的硅基纳米有序结构阵列相比，本发明的硅基准三维纳米结构有序阵列具有更复杂的准三维结构，该结构高度有序、高度精密、尺寸极小、结构可控，具有特殊的光学、电学性质，在电子信息、太阳能电池、生化传感等领域有重要价值；本发明通过调整反应离子刻蚀工艺，实现了结构更复杂的硅基准三维纳米结构有序阵列的制备，并能可控地调节纳米结构的尺寸；本发明提供的硅基准三维纳米结构有序阵列，在光电器件、传感芯片等方面具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN106006538A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610346159.8

申请日：2016-03-25

Applicant: 马克西姆综合产品公司

Inventor： S·巴尼特 ,  C-W·裴 ,  A·伊马迪 ,  J·C·巴特

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G01J5/20

CPC classification number: H01L35/34 ,  G01J5/022 ,  G01J5/0225 ,  G01J5/024 ,  G01J5/04 ,  G01J5/0806 ,  G01J5/12 ,  G01J2005/065 ,  H01L35/32 ,  B81B7/0087 ,  B81B7/0032 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/01 ,  B81C2203/0109 ,  G01J5/20

Abstract: 描述了感测器装置、感测器封装及用于制造感测器装置的方法，其包括设在热电堆装置上的集成的阻光器以及被配置为将光导向热电堆装置的透镜；在实施例中，热电堆装置包括：衬底；设于衬底上的热电堆膜，该热电堆膜包括至少一个钝化层；设在热电堆膜内的热电堆，该热电堆包括至少一个热电偶；以及邻近热电堆膜设置的阻光层，该阻光层包括邻近热电堆设置的光阑。

公开(公告)号：CN108584866A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810498549.6

申请日：2018-05-23

Applicant: 常熟理工学院

Inventor： 吴大军 ,  陶石 ,  张磊 ,  高晓蕊

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00349 ,  B81C2201/01

Abstract: 一种微机电系统技术领域硅微通道板中生长异质结的方法，包括以下步骤：S1，将硅微通道板浸入表面活性剂中，排除硅微通道内空气并且活化硅，然后放入化学镀镍溶液中镀多孔镍；S2，将镀镍硅微通道板放入混有钠盐催化剂的多元醇中超声，然后进行溶剂热反应形成碳化镍包覆内壁的镀镍硅微通道板；S3，再退火得到石墨烯包覆内壁的镀镍硅微通道板；S4，将石墨烯包覆内壁的镀镍硅微通道板投入硫源和钼源混合溶剂中加热反应，形成二硫化钼/石墨烯异质结包覆内壁的镀镍硅微通道板。本发明通过逐步进行的化学镀镍、溶剂热渗碳和水热合成能够在硅微通道内生长异质结，该方法环境友好、简单易行、成本低廉。

公开(公告)号：CN107072600A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580053039.2

申请日：2015-09-28

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 陈季汎 ,  陈琬珺 ,  林于智 ,  王泽元 ,  刘家瑗

IPC: A61B5/145 ,  A61B5/15 ,  B41C1/00 ,  B41K1/00 ,  B41M1/12 ,  H05K1/03 ,  H05K3/06

CPC classification number: B81C1/00396 ,  A61B5/14532 ,  A61B5/150022 ,  A61B5/150274 ,  A61B5/150358 ,  A61B2562/0295 ,  A61B2562/125 ,  B01J2219/00382 ,  B41C1/003 ,  B41M1/12 ,  B41M1/26 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00388 ,  B81C2201/01 ,  H01L21/4867 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/061 ,  H05K2203/0108 ,  H05K2203/1545 ,  B41K1/00

Abstract: 本发明提供了一种如下的方法：母模工具在其主表面上设置有墨图案。通过丝网印刷工艺形成墨图案。将印模制作材料施加至母模工具的主表面上以形成具有为母模工具的墨图案的负像的压印图案的印模。压印图案用墨组合物着墨并与金属化表面接触以根据压印图案在基材的金属化表面上形成印刷图案。将印刷图案用作蚀刻掩模，蚀刻金属化表面，以在基材上形成导电迹线。

公开(公告)号：CN106986302A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201710102458.1

申请日：2017-02-24

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王小华 ,  吕品雷 ,  杨爱军 ,  褚继峰 ,  王大伟 ,  刘定新 ,  荣命哲

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00

CPC classification number: B81C1/00023 ,  B81B1/00 ,  B81B2201/02 ,  B81C2201/01

Abstract: 本公开揭示了一种微米级半导体传感器及其制备方法。本公开所述的微米级半导体传感器采用三电极结构，将硅板刻蚀到设计的形状之后，对收集电极内表面以及提取电极两面进行Ti/Ni/Au膜的镀膜加工，放电阴极表面直接采取ICP刻蚀工艺，加工出微米级硅柱体，在硅柱体表面镀膜，形成微米级金属电极，起放电作用。所述纳米级传感器制备方法包括如下步骤：在硅板上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到曝光完成的硅板；采用刻蚀剂对得到的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶；再在光刻硅板表面镀金属膜，即得。本公开的微米级半导体传感器电极的制备方法加工精度高，而且该方法加工效率高，适合于大规模生产。

公开(公告)号：CN106430085A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201611125109.3

申请日：2016-12-09

Applicant: 苏州美仑凯力电子有限公司

Inventor： 张子龙

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/06 ,  G01L1/18

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81C2201/01 ,  G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明公开一种MEMS压力传感器封装的保护方法，采用凝胶、硅油和聚对二甲苯对芯片进行隔离封装，该方法包括：使用填充介质对安装有压力传感器芯片的芯体进行充填，将压力传感器芯片和引线进行隔离保护；在所述填充介质形成的表面生长一层聚对二甲苯。通过上述方式，本发明提供一种MEMS压力传感器封装的保护方法，能有效隔绝外界水汽、离子等玷污，且能够有效地保护充填介质，避免在压力变化时，气压降低太快导致介质中进入的空气膨胀，损坏压力传感器芯片和与外壳连接引线，进而保护MEMS压力传感器封装不会破坏，有效地实现了传感器芯体耐玷污，压力精密传递的功能。由于工艺简单，成本低廉，可以有效地降低传感器的生产成本。