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公开(公告)号：CN1624590A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410101124.5
申请日：2002-04-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70125 , G01J1/26 , G03F7/70133
Abstract: 一种曝光装置的照度不匀度的测定方法，向光掩膜照射从照明光学系统射出的照明光，对于通过投影光学系统而在感光衬底上的有限区域内投影并曝光通过该光掩膜的光的曝光装置，进行所述投影光学系统引起的、在所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度的测定，其特征在于，包括：按在所述感光衬底上的有限区域内的多个成像点的每一个，计算从所述光掩膜的一点射出并到达成像点的光线的、在所述投影光学系统的透射率的平均值，根据按所述成像点求出的透射率的平均值，算出所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度。
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公开(公告)号：CN105359038B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201480034718.0
申请日：2014-06-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·尼基佩洛维 , O·弗里吉恩斯 , G·德弗里斯 , E·鲁普斯特拉 , V·巴尼内 , P·德加格 , R·唐克 , H-K·尼恩海斯 , B·克瑞金加 , W·恩格伦 , O·鲁伊藤 , J·艾科曼斯 , L·格里敏克 , V·里特维南科
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70033 , G01J1/0407 , G01J1/0418 , G01J1/26 , G01J1/429 , G02B1/06 , G02B5/205 , G02B26/023 , G03F7/70008 , G03F7/7055 , G03F7/70558 , G03F7/7085 , G21K1/10 , H01S3/005 , H01S3/0085 , H01S3/0903 , H05H7/04
Abstract: 一种图案化光刻衬底的方法，该方法包括使用自由电子激光器(FEL)以产生EUV辐射并且输送EUV辐射至将EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备(LA)，其中该方法进一步包括通过使用基于反馈的控制回路(CT)以监测自由电子激光器并相应地调整自由电子激光器的操作从而减少输送至光刻衬底的EUV辐射功率的波动。
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公开(公告)号：CN104048225A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310383001.4
申请日：2013-08-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: F21S8/04 , F21V9/10 , H05B37/02 , F21Y101/02
CPC classification number: H05B37/02 , G01J1/26 , G01J1/32 , G01J1/4204 , H05B33/0854 , H05B37/0218 , H05B37/0227 , Y02B20/46
Abstract: 本公开涉及照明装置和照明装置的控制方法。在照明装置中，漫射单元根据光透射率使从光源单元发射的光漫射。位置信息获取单元获得至少指示人的位置的位置信息。亮度获取单元获得在位置信息中指定的位置处的发光部位的亮度。计算单元根据光透射率和发光部位的亮度来计算亮度均匀性比率，所述亮度均匀性比率指示在位置信息中指定的位置处的发光部位中的亮度分布的均匀性。根据亮度和亮度均匀性比率，控制器控制光透射率并改变光源单元的光输出。
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公开(公告)号：CN103890635A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051537.X
申请日：2012-10-17
Applicant: 高通MEMS科技公司
CPC classification number: G01J1/26 , G02B26/001 , H01G5/18
Abstract: 本发明提供用于EMS装置的系统、方法及设备。在一方面中，EMS装置包含至少一个可移动层，所述可移动层经配置以相对于一个或一个以上电极移动。所述至少一个可移动层可包含第一导电层、第二导电层及安置于所述第一导电层与所述第二导电层之间的非导电层。在一些实施方案中，所述可移动层可包含经由所述非导电层电连接所述第一导电层与所述第二导电层的至少一个导电通孔。
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公开(公告)号：CN101379370B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200680032334.0
申请日：2006-07-05
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： S·W·马歇尔
Abstract: 用于伺服系统的光位置传感器结构的系统和方法。优选实施例包括：光源(310)，其被配置成产生强度取决于控制信号的光；位置彼此相邻的第一光传感器(305)和第二光传感器(306)，每一个光传感器被配置成基于入射到每个光传感器上的光量产生电流。该优选实施例也包括被耦合至负载并且位于光源和第一光传感器与第二光传感器之间的带缝器件(315)。该带缝器件基于负载的位置调节射到第一光传感器和第二光传感器的光量。该带缝器件以缝隙为特征，该缝隙的半径随着旋转角度而线性增加以便该光位置传感器具有线性特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100515736C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610104988.1
申请日：2006-11-28
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: G01J1/26 , G01J1/04 , G01J1/0418 , G01J1/4257
Abstract: 本发明公开了一种光固化快速成型设备的激光功率在线检测与控制方法，其特征在于，该方法在快速成型设备的激光器与振镜扫描头之间设置一个光衰减片，该光衰减片由直流可逆电动机带动，在树脂槽上设有一个光敏传感器，用于适时在线检测激光器的激光功率；激光器发出的光束经由光路系统投射至光衰减片，再进入振镜扫描头照射到树脂槽工作平面上，并由光敏传感器检测激光功率，检测后的功率信号被转换成电信号，经由控制器比例积分控制后与预设值相比较，控制功率驱动电路发出驱动电流，驱动直流可逆电动机定量转动，控制调节衰减片的角度，保证激光器的输出功率的恒定。克服了传统采用人工监视调节的缺点，提高了测量精度和自动化程度。
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公开(公告)号：CN101379370A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200680032334.0
申请日：2006-07-05
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： S·W·马歇尔
Abstract: 用于伺服系统的光位置传感器结构的系统和方法。优选实施例包括：光源(310)，其被配置成产生强度取决于控制信号的光；位置彼此相邻的第一光传感器(305)和第二光传感器(306)，每一个光传感器被配置成基于入射到每个光传感器上的光量产生电流。该优选实施例也包括被耦合至负载并且位于光源和第一光传感器与第二光传感器之间的带缝器件(315)。该带缝器件基于负载的位置调节射到第一光传感器和第二光传感器的光量。该带缝器件以缝隙为特征，该缝隙的半径随着旋转角度而线性增加以便该光位置传感器具有线性特性。
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公开(公告)号：CN101371181A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002545.4
申请日：2007-01-04
Applicant: 波科海姆技术公共有限公司
CPC classification number: G01J1/4257 , B23K26/042 , G01J1/02 , G01J1/0266 , G01J1/04 , G01J1/0414 , G01J1/26 , G02B6/3586 , H04J14/02
Abstract: 在光(光学)束转向/采样系统中，使用矩阵变换控制技术来去耦合驱动转向反射镜的制动器的操作。该控制技术使用两个虚拟变量，每一个具有以非交叉耦合方式操作的相关联的独立的反馈环，每一个变量和两个转向反射镜之一相关联。
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公开(公告)号：CN100422856C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410101124.5
申请日：2002-04-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70125 , G01J1/26 , G03F7/70133
Abstract: 一种曝光装置的照度不匀度的测定方法，向光掩膜照射从照明光学系统射出的照明光，对于通过投影光学系统而在感光衬底上的有限区域内投影并曝光通过该光掩膜的光的曝光装置，进行所述投影光学系统引起的、在所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度的测定，其特征在于，包括：按在所述感光衬底上的有限区域内的多个成像点的每一个，计算从所述光掩膜的一点射出并到达成像点的光线的、在所述投影光学系统的透射率的平均值，根据按所述成像点求出的透射率的平均值，算出所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度。
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公开(公告)号：CN108873623A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810873364.9
申请日：2014-06-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70033 , G01J1/0407 , G01J1/0418 , G01J1/26 , G01J1/429 , G02B1/06 , G02B5/205 , G02B26/023 , G03F7/70008 , G03F7/7055 , G03F7/70558 , G03F7/7085 , G21K1/10 , H01S3/005 , H01S3/0085 , H01S3/0903 , H05H7/04
Abstract: 一种图案化光刻衬底的方法，该方法包括使用自由电子激光器(FEL)以产生EUV辐射并且输送EUV辐射至将EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备(LA)，其中该方法进一步包括通过使用基于反馈的控制回路(CT)以监测自由电子激光器并相应地调整自由电子激光器的操作从而减少输送至光刻衬底的EUV辐射功率的波动。
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