公开(公告)号：CN103262175A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180049693.8

申请日：2011-10-13

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 永元公市 ,  近藤健 ,  永绳智史

IPC: H01B5/14 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  G02F1/1333 ,  H01L31/04 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C14/48 ,  G02F2201/12 ,  G02F2201/501 ,  G02F2203/01 ,  H01B5/14 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/5253 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明是透明导电性膜等，所述透明导电性膜是具有基材层、阻气层和透明导电体层的透明导电性膜，阻气层由包含硅Si原子、氧O原子和碳C原子的材料构成，该阻气层的表层部中的硅Si原子、氧O原子和碳C原子的含量是，相对于硅Si原子、氧O原子和碳C原子的合计100原子%，硅Si原子：18.0～28.0%，氧O原子：48.0～66.0%，碳C原子：10.0～28.0%，并且，透明导电性膜在40℃90%RH气氛下的水蒸气透过率为6.0g/m2/天以下，波长550nm时的可见光透过率为90%以上。根据本发明，可提供具有优异的阻气性和透明性，即使在高温高湿度环境下，薄层电阻值的变化也少，保持低值，导电性优异的透明导电性膜等。

公开(公告)号：CN103210453A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180055243.X

申请日：2011-11-17

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金智嬉 ,  金正凡 ,  李政炯 ,  朴珉春

IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: H05K1/0298 ,  G02F2201/12 ,  G02F2201/501 ,  G02F2202/16 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/1884 ,  H05K3/10 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/49155

Abstract: 本发明涉及一种导电膜以及制造该导电膜的方法，所述导电膜包括：衬底；在该衬底上形成的第一导电层；在所述第一导电层上形成的图形化的第二导电层，并在所述第二导电层的上部面和侧面形成有氧化膜。根据本发明的导电膜，能够防止因导电成的急剧氧化而导致的不良或者对衬底的损坏，并且能够提高发光均匀度。

公开(公告)号：CN102696112A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080058007.9

申请日：2010-08-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 近间义雅 ,  胜井宏充 ,  锦博彦 ,  太田纯史 ,  水野裕二 ,  原猛 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  竹井美智子 ,  中川兴史 ,  春本祥征

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/501 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

Abstract: 呈矩阵状设置的多个像素电极（P）；和分别与各像素电极（P）连接的多个TFT（5），各TFT（5）具有：设置于绝缘基板的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12a）；以在栅极绝缘膜（12a）上与栅极电极（11a）重叠的方式设置的氧化物半导体层（13a）；和以互相对峙的方式设置、且分别与氧化物半导体层（13a）连接的源极电极（17a）和漏极电极（17b），在源极电极（17a）和漏极电极（17b）与氧化物半导体层（13a）之间，以覆盖氧化物半导体层（13a）的方式设置有保护绝缘膜（14a）。

公开(公告)号：CN102636926A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201110341153.9

申请日：2011-11-02

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 陈虹瑞

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1259 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/501 ,  G02F2202/103 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明公开一种液晶显示面板和其制造方法，于数据线与扫描线的重合区域，除了于数据线与扫描线之间利用一绝缘层来绝缘，还在所述绝缘层与数据线之间另建置一非晶硅层来加强数据线与扫描线之间的绝缘效果，进而降低漏电的状况。此外，本发明可以在不增加掩膜制程的条件下，达成前述的结构，因此，本发明液晶显示面板和其制造方法无须增加额外的成本，便可有效减少数据线与扫描线漏电的情况。

公开(公告)号：CN102439077A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080022420.X

申请日：2010-05-21

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 星慎一 ,  伊藤雅春 ,  上村和惠 ,  铃木悠太

IPC: C08J7/00 ,  B32B27/16 ,  G02F1/1333 ,  H01L31/042 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14

CPC classification number: C23C14/48 ,  B32B27/06 ,  B32B2307/7244 ,  C08J7/047 ,  C08J7/123 ,  C08J2383/05 ,  G02F1/133305 ,  G02F2201/501 ,  G02F2201/503 ,  H01L31/049 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及具有由含O原子、C原子和Si原子的材料构成的阻气层的成型体，上述阻气层具有自表面起朝着深度方向层中的O原子的存在比例逐渐减少、C原子的存在比例逐渐增加的区域，上述区域包含相对于O原子、C原子和Si原子的总存在量，O原子的存在比例为20-55%、C原子的存在比例为25-70%、Si原子的存在比例为5-20%的部分区域，和O原子的存在比例为1-15%、C原子的存在比例为72-87%、Si原子的存在比例为7-18%的部分区域；本发明还涉及具有向含聚硅烷化合物的层中注入离子而得到的阻气层的成型体；其制造方法；包括该成型体的电子设备用构件；以及具备该电子设备用构件的电子设备。根据本发明，提供阻气性、耐弯折性、密合性和表面平滑性优异的成型体，其制造方法，电子设备用构件和电子设备。

公开(公告)号：CN101790702A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200880104555.3

申请日：2008-08-29

Applicant: 西铁城控股株式会社

Inventor： 富樫清吾 ,  新井真

IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/133345 ,  G02F2001/133311 ,  G02F2201/501

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够有效地防止气体从液晶盒的端部或切断部位近旁进入的液晶板及这样的液晶板的制造方法。本发明的液晶板及这样的液晶板的制造方法的特征在于：具有液晶盒、平坦化层、气体阻挡层；该液晶盒包含第一基板、第二基板、密封构件及在第一和第二基板间由上述密封构件封入的液晶层；该平坦化层覆盖液晶盒的端部地配置着；该气体阻挡层配置在平坦化层上。

公开(公告)号：CN105185792B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201510646037.6

申请日：2015-09-30

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司 ,  武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 肖军城

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/1339 ,  G02F1/0107 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13396 ,  G02F2001/13398 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2201/501 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/0425 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种液晶显示面板、阵列基板及其制造方法，所述方法中，在低温多晶硅有源层的源极掺杂区和漏极掺杂区中的至少其中一个掺杂区上形成可控电阻间隔层，所述可控电阻间隔层在栅极层未施加开启信号时对流经的电流形成隔断作用，而在栅极层施加开启信号时对流经的电流形成导通作用，使形成有所述可控电阻间隔层的接触区通过所述可控电阻间隔层与对应的源极层或漏极层相连。通过上述方式，本发明能够减少薄膜晶体管器件的漏电。

公开(公告)号：CN104685408B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201380036800.2

申请日：2013-02-28

Applicant: 迈络思科技硅光股份有限公司

Inventor： 钱伟 ,  冯大增 ,  J.方 ,  M.阿斯哈里

IPC: G02F1/035

CPC classification number: H01L31/105 ,  G02F1/0147 ,  G02F1/025 ,  G02F1/0305 ,  G02F1/225 ,  G02F2201/063 ,  G02F2201/501

Abstract: 该学装置包括在基底上的有源部件。有源部件为光传感器和/或光调制器。有源部件包括有源介质，有源介质包括脊和平板区域。脊从基底向上延伸并且定位于平板区域之间。脊限定在基底上的波导的一部分。一个或多个隔离沟槽各自延伸到有源介质的平板区域并且至少部分地与有源介质的脊间隔开。

公开(公告)号：CN105829094B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201480066997.9

申请日：2014-10-08

Applicant: 东洋制罐集团控股株式会社

Inventor： 奥山真平 ,  小赋雄介 ,  南乡瞬也 ,  川原成

IPC: B32B9/04 ,  B32B27/18 ,  B32B27/30 ,  C23C16/42

CPC classification number: B32B27/36 ,  B32B27/08 ,  B32B27/30 ,  B32B27/308 ,  B32B2307/7242 ,  B32B2307/7246 ,  C08J7/04 ,  C08J7/045 ,  C08J2367/02 ,  C08J2433/02 ,  C08J2433/08 ,  C08J2479/00 ,  C08J2479/02 ,  C09D123/0876 ,  C09D133/02 ,  C23C16/455 ,  G02F2201/501

Abstract: 提供一种阻气性层压体(10)，其具有将第一无机阻挡层(3)、水分捕捉层(5)和第二无机阻挡层(9)依次设置在塑料基材(1)上的结构，充分抑制所述阻气性层压体的水分捕捉层失去活性。水分捕捉层(5)具有分散在包含离子型聚合物的基质中的粒状吸湿剂，所述吸湿剂具有与基质相比达到较低湿度的吸湿特性。作为形成涂布第二无机阻挡层时的底层的有机层(7)设置在水分捕捉层(5)和第二无机阻挡层(9)之间的结果，水分捕捉层对水分具有优异的阻隔性，并且有效抑制由吸湿导致的溶胀。

公开(公告)号：CN105247408B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201480030254.6

申请日：2014-05-29

Applicant: 堺显示器制品株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  村田亮 ,  中尾一树 ,  高津贵大

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F2001/133388 ,  G02F2201/501 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供一种液晶面板和绝缘膜的槽部形成方法，其能够防止污染成分从外部通过在基板上形成的绝缘膜进入液晶层。在第一玻璃基板(1)和第二玻璃基板(2)之间的第二玻璃基板(2)侧设有液晶层(4)，在第一玻璃基板(1)的液晶层(4)侧的表面上依次形成有第一绝缘膜(11)和第二绝缘膜(19)，液晶层(4)的外缘部由密封材料(3)包围，多个TFT由于第一绝缘膜(11)和第二绝缘膜(19)而彼此绝缘。第二绝缘膜(19)所包含的栅极绝缘膜(12)对气体和/或液体的阻挡性高于第一绝缘膜(11)，在比第二绝缘膜(19)与密封材料(3)重叠的位置靠内侧的第二绝缘膜(19)的周缘部的一部分或全部，设有具有底部(19b)的槽部(19a)，该底部(19b)由与形成TFT的材料的一部分相同的材料形成。