公开(公告)号：CN101499390B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200810066050.4

申请日：2008-02-01

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J29/04 ,  H01J1/3044 ,  H01J1/316 ,  H01J9/025 ,  H01J9/027 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2201/3165 ,  H01J2329/0455 ,  H01J2329/0489

Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一绝缘基底；多个平行且等间隔排列的第一电极与多个平行且等间隔排列的第二电极设置于绝缘基底上，每两个相邻的第一电极与每两个相邻的第二电极形成一个网格；多个电子发射单元分别对应设置于每个网格内，每个电子发射单元中设有至少一个电子发射体，该电子发射体的两端分别与所述第一电极和第二电极电连接，所述电子发射体具有一间隙，并在该间隙处形成两个尖端，每个尖端具有多个电子发射尖端。

公开(公告)号：CN102709132A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210080490.1

申请日：2006-04-25

Applicant: 斯莫特克有限公司

Inventor： 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔

IPC: H01J1/304 ,  B82Y30/00 ,  H01J3/02 ,  H01J9/02 ,  D01F9/127 ,  B82Y10/00

CPC classification number: C23C16/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/34 ,  C01B2202/36 ,  C23C16/26 ,  D01F9/08 ,  D01F9/127 ,  H01J1/304 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2237/31786 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512

Abstract: 本发明提供了一种在金属基底上生长纳米结构的方法及其制造方法。根据本方法生长的纳米结构适合于制造如电子束直写机之类的电子器件或者场致发射显示器。

公开(公告)号：CN1705059B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200410027408.4

申请日：2004-05-26

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 刘宇明 ,  刘亮 ,  范守善

IPC: H01J1/304 ,  H01J1/30 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射装置及其制备方法。该碳纳米管场发射装置包括一基板及至少一形成于基板上的碳纳米管阵列，其中该碳纳米管阵列中渗透有粘合剂，碳纳米管阵列顶端露出在粘合剂之外。该粘合剂将碳纳米管阵列固定在基板上，避免碳纳米管在强电场下被电场力从基板上拔出。本发明还提供该碳纳米管场发射装置的制备方法。该碳纳米管场发射装置适合用于真空电子源器件，特别适合用于场发射平面显示器的阴极。

公开(公告)号：CN102598191A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080050714.3

申请日：2010-09-20

Applicant: 阿克伦大学

Inventor： A·迪诺杰瓦拉 ,  S·塞西

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J9/025 ,  H01J31/123 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/0455 ,  Y10T156/10

Abstract: 一种制造场发射显示器的阴极部分的方法包括制造大体平行的碳纳米管阵列的步骤，所述碳纳米管阵列在一个末端接合到大体平坦的基板。随后，将所述纳米管嵌入在延伸到纳米管与平坦基板的接合平面的聚合物基体中，其中所述聚合物基体允许所述纳米管中远离接合到所述平坦基板的末端的末端不被所述聚合物基体覆盖，以允许彼此电接触且与所接合的导体电接触。然后，从所述平坦基板卸下所述阵列，藉此制造使纳米管的先前接合末端大体位于一个平面中的表面，且随后将所述导体接合到不被所述聚合物基体覆盖且远离所述平面的纳米管末端阵列。

公开(公告)号：CN101523541B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200780037455.9

申请日：2007-07-25

Applicant: 韩国科学技术院

Inventor： 郑熙泰 ,  尹相天 ,  高永宽

IPC: H01J1/30

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/3043 ,  H01J2201/30434 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种制造场发射电极的方法，电极中纳米线根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列。更具体地，本发明涉及一种制造场发射电极的方法，该电极具有根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列的纳米线，所述方法包括以下步骤：将纳米线溶解在溶剂中，将得到的溶液分散到固定在电磁场发生器上部的衬底上，并固定沿着电磁场发生器产生的电磁场方向排列的纳米线。根据本发明，具有根据产生的电磁场方向排列的高密度纳米线的大容量场发射电极能够通过简单的工艺进行制造并且纳米线可作为阳极材料用于场发射显示器(FEDs)、传感器、电极、背光源等。

公开(公告)号：CN101093766B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200710137001.0

申请日：2001-06-19

Applicant: 纳幕尔杜邦公司

Inventor： R·J·布查德 ,  L·-T·A·程 ,  J·G·拉文 ,  D·H·罗奇

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3048 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00

Abstract: 本发明提供一种改进由诸如针状碳、针状半导体、针状金属或其混合物之类针状发射物质组成的场致电子发射体的场致发射的方法，包括对场致电子发射体的表面施加力，其中该力导致场致电子发射体的一部分被去掉，从而形成新的场致电子发射体表面。

公开(公告)号：CN101352353B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200810215733.1

申请日：2003-01-09

Applicant: 北卡罗来纳-查佩尔山大学

Inventor： 周子刚 ,  卢健平 ,  邱齐

IPC: A61B6/03 ,  H05G1/00 ,  H01J35/00

CPC classification number: H01J35/14 ,  A61B6/032 ,  A61B6/4028 ,  B82Y10/00 ,  H01J35/065 ,  H01J35/22 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2235/064 ,  H01J2235/068 ,  H05G1/34

Abstract: 一种用于产生X射线的结构具有多个固定的且单个地电可寻址的场致发射电子源(402)，其具有包括场致发射材料的基片，诸如碳纳米管。以预定的频率电切换场致发射电子源以可编程的序列朝着靶上的入射点发射电子。产生的x射线频率上和位置上相应于场致发射电子源。大区域靶(404)和发射器的阵列或者矩阵可以从不同的位置和/或角度来成像物体(416)，而不移动物体或者结构(400)，以及可以产生三维图像。该X射线系统适于各种应用，包括工业检查/质量控制、分析仪器、诸如机场安全检查系统之类的安全系统，以及诸如计算机断层之类的医学成像。

公开(公告)号：CN102184820A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110097647.7

申请日：2011-04-19

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 蔡琪 ,  周段亮 ,  柳鹏 ,  范守善

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/168 ,  C01B32/174 ,  C01B2202/34 ,  H01B1/24 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/789 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/901

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管浆料的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，其生长于一基底；采用激光扫描该碳纳米管阵列使碳纳米管阵列中碳纳米管被截短并具有均匀的高度；将激光截短后的碳纳米管阵列从基底上剥离得到长度均匀的碳纳米管；将所述长度均匀的碳纳米管、无机粘结剂以及有机载体混合形成碳纳米管浆料。本发明提供的碳纳米管浆料的制备方法简单且获得的碳纳米管浆料具有较好的场发射性能。

公开(公告)号：CN102024636A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010564701.X

申请日：2010-11-29

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01J1/304

CPC classification number: H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明提供所述电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构具有一中空的线状轴心，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕该中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构沿所述线状轴心的一端延伸出多个电子发射尖端。所述电子发射体可以应用到场发射电子器件、扫描电子显微镜以及透射电子显微镜中。本发明还涉及一种电子发射元件。

公开(公告)号：CN1959896B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200510101025.1

申请日：2005-11-04

Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 柳鹏 ,  姜开利 ,  刘锴 ,  范守善

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/304

CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射体及其制备方法，该制备方法包括步骤：提供一碳纳米管阵列，其生长在一基体上，该碳纳米管阵列包括与基体接触的根部及相对远离基体的顶部；提供一阴极基底，其包括基底本体及形成在该基底本体上的粘结剂层；将该碳纳米管阵列的顶部与粘结剂层接触，使碳纳米管阵列与阴极基底形成电接触；固化该粘结剂层，使该碳纳米管阵列与该阴极基底结合牢固；去除该基体以露出该碳纳米管阵列的根部，以获得一碳纳米管场发射体。本发明通过将碳纳米管阵列反粘在阴极基底上，以使碳纳米管阵列的位于同一平面的根部作为碳纳米管场发射体的发射端，其制备工艺简单、成本低，且碳纳米管场发射体具有较佳场发射均匀性。