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公开(公告)号：CN103077874B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110327871.0
申请日：2011-10-25
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
CPC classification number: H04B10/90 , H01J31/49 , H01J35/045 , H01J35/14 , H04B10/1123 , H04B10/118
Abstract: 本发明涉及栅控X射线源、空间X射线通信系统及方法，其中栅控X射线源的结构为灯丝一端接地，灯丝另一端接电源正极，热阴极设置在灯丝的外侧且热阴极的出射孔正对灯丝，调制栅极为带有小孔的电极板，调制栅极的小孔正对热阴极的出射孔，电子聚集板设置在栅极小孔的两侧且形成的聚焦通道正对小孔，电子束经电子聚集板聚焦后发射到阳极金属靶，阳极金属靶的发射面对着聚焦通道的出口，阳极金属靶的另一面接电源正极，出射窗设置在阳极金属靶的电子束反射路上。本发明解决了现有的利用X射线实现通信的技术通信信噪比低、误码率高、通信速率低的技术问题，本发明具有通信距离远、通信误码率低的优点。
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公开(公告)号：CN104701118A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410740256.6
申请日：2014-12-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J35/04
CPC classification number: H01J35/08 , C23C16/01 , C23C16/27 , G01N23/04 , H01J35/045 , H01J2235/02 , H01J2235/081 , H01J2235/084 , H01J2235/087 , H01J2235/186
Abstract: 本公开内容涉及透射型靶和设有透射型靶的X射线发生管。透射型靶包括靶层和被配置为支撑该靶层的透射基板。透射基板具有彼此面对的一对表面，并且由多晶金刚石形成。在透射基板中，所述一对表面中的一个表面包括具有第一平均晶粒直径的多晶金刚石，第一平均晶粒直径小于与该表面相对的另一个表面上所包括的多晶金刚石的第二平均晶粒直径。靶层由所述一对表面中的任何一个表面支撑。
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公开(公告)号：CN104037042A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410079593.5
申请日：2014-03-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J35/08
CPC classification number: H01J35/045 , G21K1/02 , H01J35/14
Abstract: 本发明涉及X射线产生管、X射线产生装置和X射线成像系统。提供一种减少对靶的热损伤的高输出X射线产生管。X射线产生管包含靶、电子源和设置在靶与电子源之间的具有多个电子通过开口的格栅电极。相对于格栅电极处于电子源侧的源侧电子束具有电流密度分布，并且，格栅电极具有开口率分布，使得源侧电子束的电流密度最大的区域与格栅电极的开口率最小的区域对准。
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公开(公告)号：CN101996837A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010254989.0
申请日：2010-08-13
Applicant: 西门子公司
CPC classification number: H01J35/14 , H01J35/045 , H05G1/38
Abstract: 本发明涉及一种用于控制用于产生X射线的电子束(11)的装置，具有发射极(1)，光阑(2)，至少两个与所述光阑(2)对应的用于影响所述电子束(11)的控制部件(3，4)，和开关部件(6)，利用该开关部件能够在所述至少两个控制部件(3，4)上施加至少两个不同的电压(U1，U2)，但是在该至少两个控制部件(3，4)上每次总是施加相同的电压(U1，U2)，其中，一个控制部件(4)与用于转换电压(U1，U2)的开关部件(6)的连接导线(10)配备了在转换电压(U1，U2)时使得在该一个控制部件(4)上的相应电压(U1，U2)的调整在时间上被延迟的电路(5)。本发明还涉及一种用于该装置的运行方法以及一种具有该装置的X射线管(13)。
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公开(公告)号：CN1288943C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200410063842.8
申请日：2001-07-23
Applicant: X-TEK系统有限公司
Inventor： 罗杰·哈德兰德 , 艾伦·C.·克拉维利 , 伊恩·G.·海格 , 保罗·J.·基恩利
IPC: H05G1/34
CPC classification number: H01J35/045 , H05G1/08 , H05G1/10 , H05G1/34
Abstract: 本发明公开一种紧凑的X射线源，它可提高对不需要高压效应的绝缘的可控制性。按照一个方面，一个与阴极串联的有源可变电导器件(130，330)被用在闭环中反馈安置来控制阴极电子束电流；通过该器件流向阴极的电流被直接检测并与所期望电流电平相比。利用该比较结果来控制该器件的电导，由此直接影响阴极电流。按照第二方面，提供一种法拉第罩的延伸，由此使用来向罩内部件提供功率的变压器的次级绕组被屏蔽在一与该罩相连并从中伸出的共轴的管形件内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1443435A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN01813203.0
申请日：2001-07-23
Applicant: X-TEK系统有限公司
CPC classification number: H01J35/045 , H05G1/08 , H05G1/10 , H05G1/34
Abstract: 本发明公开一种紧凑的X－射线源，它可提高对不需要高压效应的绝缘的可控制性。按照一个方面，一和阴极串联的有源可变电导器件(130，330)被用在一闭环中反馈安置来控制阴极电子束电流；通过该器件流向阴极的电流被直接检测并与所期望电流电平相比。利用该比较结果来控制该器件的电导，由此直接影响阴极电流。按照第二方面，提供一法拉第罩的延伸，由此使用来向罩内部件提供功率的变压器的次级绕组被屏蔽在一与该罩相连并从中伸出的共轴、管形件内。
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公开(公告)号：CN1127421A
公开(公告)日：1996-07-24
申请号：CN95116665.4
申请日：1995-08-29
Applicant: 西门子公司
IPC: H01J35/14
CPC classification number: H01J35/04 , H01J35/045 , H01J35/14 , H05G1/34
Abstract: 本发明涉及一种用于X射线管的阴极系统，该阴极系统具有一个电子发射极(3)和一个设在电子发射极(3)与X射线管阳极(1)之间的另外的电极(4、5；4′、5′)，该另一电极借助一个开关装置(8、9)以一个与具体希望的电子束管电流相应的占空比可接通在一个与电子发射极(3)的电位有偏差的电位(UW、UH)上。
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公开(公告)号：CN107039224A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710036813.X
申请日：2017-01-18
Applicant: 西门子医疗有限公司
Inventor： D·马图斯措克
IPC: H01J35/06
CPC classification number: H01J35/045 , H01J35/06
Abstract: 本发明涉及一种阴极，该阴极具有阴极头(6)，在该阴极头(6)中布置有平面发射器(1)，该平面发射器(1)在施加加热电压的情况下发射电子，其中，该平面发射器(1)被构造为具有至少两个相互间隔的发射平面(2、3)的平行式平面发射器，至少一个导电的截止电极(7)被引入到该发射平面(2、3)上，该截止电极(7)与平行式平面发射器(1)电隔离并且根据本发明被构造为螺旋线(7)。这种阴极具有良好的截止性以及经改进的发射特性。
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公开(公告)号：CN104701118B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410740256.6
申请日：2014-12-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J35/04
CPC classification number: H01J35/08 , C23C16/01 , C23C16/27 , G01N23/04 , H01J35/045 , H01J2235/02 , H01J2235/081 , H01J2235/084 , H01J2235/087 , H01J2235/186
Abstract: 本公开内容涉及透射型靶和设有透射型靶的X射线发生管。透射型靶包括靶层和被配置为支撑该靶层的透射基板。透射基板具有彼此面对的一对表面，并且由多晶金刚石形成。在透射基板中，所述一对表面中的一个表面包括具有第一平均晶粒直径的多晶金刚石，第一平均晶粒直径小于与该表面相对的另一个表面上所包括的多晶金刚石的第二平均晶粒直径。靶层由所述一对表面中的任何一个表面支撑。
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公开(公告)号：CN104037042B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410079593.5
申请日：2014-03-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J35/08
CPC classification number: H01J35/045 , G21K1/02 , H01J35/14
Abstract: 本发明涉及X射线产生管、X射线产生装置和X射线成像系统。提供一种减少对靶的热损伤的高输出X射线产生管。X射线产生管包含靶、电子源和设置在靶与电子源之间的具有多个电子通过开口的格栅电极。相对于格栅电极处于电子源侧的源侧电子束具有电流密度分布，并且，格栅电极具有开口率分布，使得源侧电子束的电流密度最大的区域与格栅电极的开口率最小的区域对准。
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