公开(公告)号：CN107195524A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710342355.2

申请日：2015-08-27

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  末益智志

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/30

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32798 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/0206 ,  H05H1/30

Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置、等离子体处理方法和制造电子器件的方法。在电感耦合等离子炬单元中，线圈、第一陶瓷块及第二陶瓷块彼此平行布置，并且长形的腔室为环状。在腔室内产生的等离子体通过腔室中的开口部向衬底喷出。通过使长形的腔室和衬底沿与开口部的纵向方向垂直的方向相对移动来对衬底进行处理。通过设置旋转的圆筒状的陶瓷管以便使制冷剂流向陶瓷管内部形成的空腔。由此能够施加较高的高频功率，从而能够进行快速的等离子体处理。

公开(公告)号：CN107099783A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710094377.1

申请日：2017-02-22

Applicant: 超科技公司

Inventor： M·J·索瓦 ,  A·贝尔吐赫 ,  R·巴提亚

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45536 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/505 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明涉及具有减少的基于石英的污染物的等离子体增强原子层沉积方法。具体地，公开在基材上执行具有减少的基于石英的污染物的等离子体增强原子层沉积的方法。该方法包含在石英等离子体管中，从供应气体感应地形成基于氢的等离子体，该供应气体主要由氢与氮或者氢、氩与氮组成。氮构成该供应气体的2体积％或更少。该基于氢的等离子体包括一种或多种反应物质。基于氢的等离子体中的一种或多种反应物质被导引至基材从而引起该一种或多种反应物质与基材上的初始膜反应。与在供应气体中未使用氮的情况相比，痕量的氮起减少初始膜中的基于石英的污染物的作用。

公开(公告)号：CN103918064B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201280029581.0

申请日：2012-05-25

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 龙茂林 ,  亚历克斯·帕特森 ,  理查德·马什 ,  吴英

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32651 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32697 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明公开了用于操作腔室的等离子体处理器腔室和方法。示例性的腔室包括用于接收衬底的静电夹盘以及与腔室的顶部连接的电介质窗。电介质窗的内侧面向位于静电夹盘的上方的等离子体处理区域，电介质窗的外侧位于等离子体处理区域的外部。内侧和外侧线圈被设置在电介质窗的外侧，并且内侧和外侧线圈与第一RF功率源相连。充电格栅被设置在电介质窗的外侧以及内侧和外侧线圈之间。充电格栅与第二RF功率源相连，该第二功率源独立于第一RF功率源。

公开(公告)号：CN107039264A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611177683.3

申请日：2016-12-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 亚历山大·卡班斯凯 ,  萨曼莎·坦 ,  杰弗里·马克斯 ,  潘阳

IPC: H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01J37/32 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32651 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/3086

Abstract: 本发明涉及在图案化结构上的定向沉积。本发明提供了通过在图案化结构上执行高度非共形(定向)沉积来促进图案化的方法和相关装置。所述方法包括在图案化结构(例如硬掩模)上沉积膜。沉积可以是衬底选择性的，使得膜相对于下伏的待蚀刻的材料具有高的蚀刻选择性，并且是图案选择性的，使得膜定向沉积以复制图案化结构的图案。在一些实施方式中，在与执行后续蚀刻的室相同的室中执行沉积。在一些实施方式中，沉积可在通过真空传送室连接到蚀刻室的单独室(例如，PECVD沉积室)中执行。沉积可在蚀刻工艺期间之前或在蚀刻工艺期间的选定的间隔期间执行。在一些实施方式中，沉积涉及沉积工艺和处理工艺的多个循环。

公开(公告)号：CN107004561A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580066116.8

申请日：2015-11-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·卢博米尔斯基

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32458

Abstract: 等离子体处理系统包括处理腔室及等离子体源，该等离子体源在等离子体腔中产生等离子体。该等离子体腔围绕环轴是实质对称的。该等离子体源在该等离子体腔的第一轴向侧上限定多个出口孔。由该等离子体所产生的等离子体产物在轴向方向上通过该多个出口孔从该等离子体腔朝该处理腔室传递。一种等离子体处理的方法，包括以下步骤：在实质环状的等离子体腔内产生等离子体以形成等离子体产物，该实质环状的等离子体腔限定环轴，及通过多个出口开口向处理腔室将等离子体产物直接分布进处理腔室中，该多个出口开口实质在方位上分布于该等离子体腔的第一轴向侧周围。

公开(公告)号：CN106960776A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710006522.6

申请日：2017-01-05

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 龙茂林 ,  亚历克斯·帕特森

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H03H7/38 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32183 ,  H03H7/48

Abstract: 本发明涉及用于蚀刻室的快速阻抗切换的变压器耦合电容性调谐电路。用于感应耦合等离子体(ICP)室的变压器耦合电容性调谐(TCCT)电路包括包含第一开关电容器电路和第一电感器的匹配电路。第一开关电容器电路包括第一端子、第二端子、连接到第一端子和第二端子中的至少一个的第一电容器、连接到第一端子和第二端子中的至少一个的第二电容器、以及第一开关，该第一开关与所述第一电容器和所述第二电容器中的至少一个通信，以改变所述第一端子和所述第二端子之间的电容值。功率分配器与ICP室的匹配电路以及感应线圈通信。

公开(公告)号：CN104362066B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201410459032.8

申请日：2008-06-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卡尔A·索伦森 ,  乔瑟夫·库德拉

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明主要包括远程等离子体源和在远程等离子体源中产生等离子体的方法。清洗气体可在远程位置被激发为等离子体并且随后提供到处理腔室。通过在冷却RF线圈外部流动清洗气体，在可高压或低压下并且将高RF偏压施加到线圈而激发等离子体。冷却RF线圈可减少线圈的溅射并从而减少与清洗气体等离子体一起被输送到处理腔室的不期望污染物。减少线圈的溅射可延长远程等离子体源的使用寿命。

公开(公告)号：CN103866297B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201310686986.8

申请日：2013-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  舆水地盐 ,  山泽阳平 ,  立花光博 ,  加藤寿 ,  小林健 ,  三浦繁博 ,  木村隆文

IPC: C23C16/513

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供成膜装置、基板处理装置及成膜方法。成膜装置包括：旋转台；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，与下侧偏压电极和上侧偏压电极中的至少一方相连接，使下侧偏压电极和上侧偏压电极隔着等离子体产生区域进行电容耦合而在基板上形成偏压电位；排气机构。

公开(公告)号：CN104641730B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201380047723.0

申请日：2013-09-11

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  川浦广

IPC: H05H1/30 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02689 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32807 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/324 ,  H05H1/30

Abstract: 本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置以及等离子体处理方法，其能够稳定且高效地产生等离子体，并在短时间内高效地对基材的所希望的被处理区域整体进行处理。为了达成该目的，在具备开口部以外由电介质构件包围的环状腔(7)、设置于该环状腔附近的线圈(3)、和接近开口部(8)配置的基材载置台(1)的等离子体处理装置及其处理方法中，其特征在于，沿着与上述基材载置台所形成的面垂直的面来设置上述环状腔。根据该特征，能够稳定且高效地产生等离子体，并在短时间内高效地对基材的所希望的被处理区域整体进行处理。

公开(公告)号：CN106573253A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201480081074.0

申请日：2014-08-08

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 上野良弘 ,  关洋 ,  奥田浩史

IPC: B03C7/02 ,  G01N15/02 ,  G01N15/06 ,  G01N27/62 ,  H01J49/10

CPC classification number: H01J27/024 ,  B03C7/02 ,  G01N15/0266 ,  G01N27/62 ,  G01N27/622 ,  G01N2015/0038 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J49/10 ,  H01J49/12

Abstract: 在粒子荷电装置中设置：将框体(20)内分隔成第1空间(29)和第2空间(30)的过滤器(28)；将粒子导入到第1空间的粒子导入单元(22)；对第1空间供给气体离子的气体离子供给单元(10)；为了使气体离子以及通过该气体离子与上述粒子的接触而生成的带电粒子向第2空间移动，在框体内形成电位梯度的电位梯度形成单元(26、27、31)；对过滤器中包括的相互相邻的电极(28a、b)施加相位不同的交流电压的交流电压施加单元(32，33)；为了使带电粒子通过电极之间并且由电极捕捉气体离子，进行控制以将规定的电压施加到各电极的控制单元(35)；以及将移动到第2空间的带电粒子取出到框体外的带电粒子取出单元(23、25、34)。由此，能够抑制多价荷电的发生频度。