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公开(公告)号：CN104217913B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410158429.3
申请日：2014-04-18
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
Inventor： 佐藤正辉
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/026 , H01J2237/032 , H01J2237/036 , H01J2237/038 , H01J2237/08 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明提供一种绝缘结构及绝缘方法，其有助于降低维护频度并提高装置运转率。本发明提供设置在用于从等离子体生成部引出离子束的多个电极间的绝缘结构（30）。绝缘结构（30）具备：第1部分（52），连接于第1电极（20）；及第2部分（54），连接于第2电极（22），且具备：绝缘部件（32），用于将第1电极（20）支承于第2电极（22）；第1罩体（70），为了保护第1部分（52）免受污染粒子（18）的影响而包围第1部分（52）的至少一部分；及第2罩体（72），为了保护第2部分（54）免受污染粒子（18）的影响而包围第2部分（54）的至少一部分。第1部分（52）及第2部分（54）中的至少一部分由可加工陶瓷或多孔陶瓷形成。
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公开(公告)号：CN103298232B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310064976.0
申请日：2013-03-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H01J27/24 , A61N2005/1085 , H01J27/024 , H01J37/08
Abstract: 提供能够除去不需要的离子的离子源。靶材（2）配置在被排气成真空的真空容器（1）内，且通过激光的照射而产生多个价数的离子。加速电极（4）被施加电压，以使由靶材（2）产生的离子加速。中间电极（5）设置在靶材（2）与加速电极（4）之间，且被施加与施加于加速电极（4）的电压反向的电压。
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公开(公告)号：CN103325648B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310091220.5
申请日：2013-03-21
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
Inventor： 佐藤正辉
CPC classification number: H01J27/024 , H01J27/146
Abstract: 本发明提供一种离子源装置及离子束生成方法。该离子源装置具备如下结构，即在具有等离子体形成用空间的电弧室设置阴极，并且以中间隔着所述等离子体形成用空间地与所述阴极的热电子放射面对置的方式配置反射极。构成为，向所述等离子体形成用空间沿与连结所述阴极和所述反射极的轴平行的方向施加由源极磁场装置感应的外部磁场，并构成为在所述反射极中，在与形成于所述等离子体形成用空间的等离子体中密度最高的部分相对应的部位设置开口部，从该开口部引出离子束。
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公开(公告)号：CN103154309B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180048804.3
申请日：2011-10-04
Applicant: 威科仪器有限公司
Inventor： 龟山育也
CPC classification number: C23C14/46 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J2237/0656 , H01J2237/083 , H01J2237/3142 , H01J2237/3151 , H01J2237/31701
Abstract: 一种离子束系统（100），包括具有基本上椭圆形的孔图案的栅格组件（300），用于使包括多个子束的离子束（108）转向以便产生离子束（108），其中所述离子束（108）的横截面的离子流密度剖面（700、900、1100、1200）是非椭圆的。所述离子流密度剖面（700、900、1100、1200）可以具有关于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的一个对称的单峰。可替换地，所述单峰可以关于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的另一个非对称。在另一种实施例中，所述离子流密度剖面可以具有位于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的一个的相对侧的两个峰。将离子束（108）引导于转动的目标工件（104）上在与所述目标工件（104）的中心等距的每个点上产生基本上均匀的旋转综合平均离子流密度。
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公开(公告)号：CN104217913A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410158429.3
申请日：2014-04-18
Applicant: 斯伊恩股份有限公司
Inventor： 佐藤正辉
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J37/3171 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/026 , H01J2237/032 , H01J2237/036 , H01J2237/038 , H01J2237/08 , H01J2237/31701
Abstract: 本发明提供一种绝缘结构及绝缘方法，其有助于降低维护频度并提高装置运转率。本发明提供设置在用于从等离子体生成部引出离子束的多个电极间的绝缘结构（30）。绝缘结构（30）具备：第1部分（52），连接于第1电极（20）；及第2部分（54），连接于第2电极（22），且具备：绝缘部件（32），用于将第1电极（20）支承于第2电极（22）；第1罩体（70），为了保护第1部分（52）免受污染粒子（18）的影响而包围第1部分（52）的至少一部分；及第2罩体（72），为了保护第2部分（54）免受污染粒子（18）的影响而包围第2部分（54）的至少一部分。第1部分（52）及第2部分（54）中的至少一部分由可加工陶瓷或多孔陶瓷形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102301453B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080005824.8
申请日：2010-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆士·S·贝福 , 史费特那·瑞都凡诺史费特那 , 具本雄 , 威尔汉·P·普拉托 , 法兰克·辛克莱 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 奎格·R·钱尼 , 史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 , 捷葛泰普·玫尔 , 艾利克·R·科步 , 肯尼夫·H·普许尔 , 沙杜·佩特尔 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/304 , H01J2237/0453 , H01J2237/0458 , H01J2237/083 , H01J2237/24542
Abstract: 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。
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公开(公告)号：CN103154310A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048809.6
申请日：2011-10-04
Applicant: 威科仪器有限公司
Inventor： 龟山育也
CPC classification number: C23C14/46 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J2237/0656 , H01J2237/083 , H01J2237/3142 , H01J2237/3151 , H01J2237/31701
Abstract: 与离子束源（102）的放电室耦接的栅格组件（114，300）配置成使从所述放电室发出的离子子束以圆形非对称地确定的转向角转向。所述栅格组件（114、300）包括具有基本上圆形孔图案的至少第一和第二栅格（302、304），其中每个栅格（302、304）包括彼此相邻定位的孔。所述第二栅格（304）的多个孔相对于所述第一栅格（302）中的相应孔偏置定位。由于所述第二栅格（304）中的孔偏置，因此通过偏置孔的离子被朝向下游偏置孔的最接近圆周部分静电吸引。由此，改变通过偏置孔的离子的轨迹。所述子束转向预定非对称角。所述预定转向角取决于孔偏置、施加给栅格（302、304）的电压及栅格（302、304）之间的距离。
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公开(公告)号：CN103094029A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210428083.5
申请日：2012-10-31
Applicant: 日新离子机器株式会社
Inventor： 井内裕
CPC classification number: H01J27/024 , H01J37/08 , H01J2237/0453
Abstract: 本发明公开一种离子束引出电极和离子源。一种离子束引出电极，包括：电极框架以及多个离子引出孔形成部件。多个离子引出孔形成部件在一方向上间隔地设置。各个离子引出孔形成部件的至少一端被可移动地支撑。多个离子引出孔形成部件包括至少一个第一离子引出孔形成部件，其具有基本上杆形的主体部以及从主体部延伸的第一过渡部。第一过渡部与邻近第一离子引出孔形成部件的第二离子引出孔形成部件接触。以及一种离子源，包括其中具有阴极的等离子体容器，以及邻近等离子体容器设置的至少一片离子束引出电极。
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公开(公告)号：CN101432840A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015342.9
申请日：2007-04-26
Applicant: 应用材料股份有限公司
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/024 , H01J2237/083
Abstract: 本发明是关于适于离子植入机的离子源的前板。根据本发明的前板包含：正及反侧；出口孔洞，其允许离子由离子源移出，且出口孔洞在正及反侧之间是实质平直地延伸穿过前板；及狭缝，由正侧向反侧以其至少一部分厚度的倾斜而穿透前板，且狭缝由前板的一侧延伸以与出口孔洞连结。狭缝是经过倾斜以阻挡在由前方观看时进入离子源的视线，且提供膨胀间隙。
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公开(公告)号：CN1894763A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200480037117.1
申请日：2004-12-09
Applicant: 山米奎普公司
Inventor： 托马斯·N·霍尔斯基 , 罗伯特·W·米尔加特三世 , 小乔治·P·萨科 , 戴尔·康拉德·雅各布森 , 韦德·艾伦·科鲁尔
IPC: H01J7/24
CPC classification number: H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/564 , H01J9/38 , H01J27/02 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J2209/017 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , Y10T137/0357 , Y10T137/7759 , Y10T137/776 , Y10T137/7761 , Y10T137/85954 , Y10T137/85978 , Y10T137/85986 , Y10T137/86002
Abstract: 通过具有使用反应性卤素气体(F1，F2)就地蚀刻清理一离子源(400)及一提取电极(405)的设置的源及通过具备可延长清理之间运行持续时间的特征来增强或延长离子源(400)的运行寿命。后者包括：进行精确的蒸气流量控制，进行离子束光学元件的精确聚焦，及对所述提取电极进行温度控制以防止形成沉积物或防止电极被破坏。一种由一用于产生掺杂剂离子以进行半导体晶片处理的离子源构成的装置耦接至一远端等离子体源，所述远端等离子体源向第一离子源输送F或Cl离子以便清理所述第一离子源及所述提取电极中的沉积物。这些方法及装置能在以可冷凝的溃入气体(例如升华的蒸气源)运行时实现长的设备正常运行时间，且尤其适用于与所谓的冷离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化砷元素及磷元素时能实现长的设备正常运行时间、并有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及装置。
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