公开(公告)号：CN109564843A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780047022.5

申请日：2017-01-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 菲利普·艾伦·克劳斯 ,  蔡泰正

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/334

Abstract: 实施方式包括模块式微波源。在一个实施方式中，模块式微波源包括电压控制电路、电压控制振荡器，其中来自该电压控制电路的输出电压驱动电压控制振荡器中的振荡。模块式微波源也可包括耦接至电压控制振荡器的固态微波放大模块。在一个实施方式中，固态微波放大模块将来自电压控制振荡器的输出放大。模块式微波源也可包括耦接至该固态微波放大模块的施加器(applicator)，其中施加器是介电谐振器。

公开(公告)号：CN107393798A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710275334.3

申请日：2017-04-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤野丰 ,  小松智仁 ,  池田太郎 ,  中入淳 ,  和久津岳生

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/327 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4615

Abstract: 本发明提供能够使处理气体在与气体的特性对应的适当的解离状态下解离的、且能够兼顾处理气体的导入均匀性和所需的等离子体均匀性的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：腔室(1)、载置晶片的载置台(11)、经由顶壁(10)向腔室内导入微波的等离子体源(2)、从顶壁(10)将第一气体导入腔室内的第一气体导入部(21)、从顶壁与载置台(11)之间将第二气体导入腔室内的第二气体导入部(22)。第二气体导入部包括：环状部件(110)，形成有多个气体排出孔(116)，设置成位于顶壁与载置台(11)之间的规定高度位置；和连接顶壁与环状部件的脚部(111a)，第二气体向环状部件的供给经由脚部(11a)进行。

公开(公告)号：CN106661732A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580027337.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 六号元素技术有限公司

Inventor： J·R·布兰登 ,  I·福里尔 ,  M·A·库珀 ,  G·A·斯卡斯布鲁克 ,  B·L·格林

IPC: C23C16/511 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/274 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  C30B25/105 ,  C30B25/205 ,  C30B29/04 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32284 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323 ,  C23C16/513

Abstract: 一种用于通过化学气相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器，该微波等离子体反应器包含：等离子体腔室，所述等离子体腔室限定用以支持具有主微波谐振模式频率f的主微波谐振模式的谐振腔；多个微波源，所述多个微波源耦合至等离子体腔室以生成具有总微波功率PT的微波并将其供入等离子体腔室中；气体流动系统，所述气体流动系统用于将工艺气体供入等离子体腔室以及将它们从那里去除；和基底支座，所述基底支座设置在等离子体腔室中并且包含用于支持基底的支持表面，在使用中合成金刚石材料有待沉积在所述基底上，其中配置所述多个微波源以便以主微波谐振模式频率f将总微波功率PT的至少30％耦合到等离子体腔室中，并且其中所述多个微波源中的至少一些是固态微波源。

公开(公告)号：CN103608892A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280020919.6

申请日：2012-04-25

Applicant: 塞勒姆电子与微波工业应用研究公司

Inventor： 阿德里安·格朗德芒格 ,  让-玛丽·雅各米诺 ,  玛丽莱娜·拉多尤 ,  路易斯·拉特拉斯

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H05B6/6447 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32678 ,  H05B6/664 ,  H05B6/74

Abstract: 本发明涉及一种负载微波处理设备，包括至少一个应用装置（30）;至少一个固态类型的在微波范围内的发生器（4），该发生器通过用于引导电磁波的装置（5）连接到至少一个应用装置（30）;至少一个频率调整系统（40），该频率调整系统设计用于调整所述对应的发生器（4）产生的电磁波的频率;所述或每个应用装置（30）的测量系统（31），该测量系统设计用于测量由该应用装置（30）发射的反射功率PR（i）;自动控制装置（6），该自动控制装置连接至所述或每个频率调整系统（40）和每个测量系统（31），从而根据该发射的功率控制对电磁波频率f（i）的调整,进而调整反射功率PR（i）和/或调整发射功率PT（i）。

公开(公告)号：CN101808458A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200910146412.5

申请日：2009-06-02

Applicant: 浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 崔峻 ,  李在九 ,  沈载润

IPC: H05H1/46 ,  G05D23/19

CPC classification number: H01J37/32825 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H05H1/46

Abstract: 提供了一种用于生成微波等离子体的便携式电源装置，通过使用具有特殊频率的微波生成等离子体、在生成等离子体之后监控从等离子体生成装置反射的功率、检测改变的阻抗匹配条件并校正频率，该便携式电源装置能够使从等离子生成装置反射的功率最小化并能够改善等离子体生成装置的功耗。

公开(公告)号：CN101107693A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680002469.2

申请日：2006-08-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河西繁 ,  长田勇辉

IPC: H01J23/34 ,  C23C16/511 ,  H01J23/04 ,  H01L21/3065 ,  H05B6/68 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05B6/666 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/043

Abstract: 本发明以提高磁控管的寿命为目的，提供一种磁控管的寿命判定方法。本发明的微波发生装置，具备：具备包括灯丝(78)的阴极(80)和包括空腔谐振器(84)的阳极(82)的磁控管(74)；灯丝的电流测定部(100)；求出在灯丝上施加的电压的电压测定部(102)。基于电流测定部(100)和电压测定部(102)求出的电流和电压，在电阻值计算部(104)求出灯丝的电阻值。基于电阻－温度相关特性，在温度计算部(106)根据所述电阻值求出灯丝的温度。电源控制部(110)控制灯丝电源(98)，使得灯丝温度维持在规定的温度范围内。并且，逐渐降低在灯丝上施加的电压，求出发生模变现象时向灯丝施加的电压作为模变电压，基于该模变电压进行磁控管的寿命的判定。

公开(公告)号：EP1984975B1

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：EP07762965.7

申请日：2007-01-30

Applicant: Dublin City University

Inventor： OKSUZ, Lutfi ,  ELLINGBOE, Albert Rogers

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/463

公开(公告)号：EP1780304A2

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：EP06022262.7

申请日：2006-10-25

Applicant: Applied Films Corporation

Inventor： Stowell, Michael W.

IPC: C23C16/515 ,  C23C16/30 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C16/029 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32201

Abstract: A method of generating a film during a chemical vapor deposition process is disclosed. One embodiment includes generating a first electrical pulse having a first pulse amplitude; using the first electrical pulse to generate a first density of radicalized species; disassociating a feedstock gas using the radicalized species in the first density of radicalized species, thereby creating a first deposition material; depositing the first deposition material on a substrate; generating a second electrical pulse having a second pulse amplitude, wherein the second pulse amplitude is different from the first pulse width; using the second electrical pulse to generate a second density of radicalized species; disassociating a feedstock gas using the radicalized species in the second density of radicalized species, thereby creating a second deposition material; and depositing the second plurality of deposition materials on the first deposition material.

Abstract translation: 公开了一种在化学气相沉积工艺期间产生膜的方法。 一个实施例包括产生具有第一脉冲幅度的第一电脉冲; 使用第一电脉冲产生第一密度的激进化物种; 使用在自由基化物质的第一密度中的自由基化物质分解原料气体，从而产生第一沉积材料; 将第一沉积材料沉积在基底上; 产生具有第二脉冲幅度的第二电脉冲，其中所述第二脉冲幅度不同于所述第一脉冲宽度; 使用第二电脉冲产生第二密度的激进物质; 使用所述自由基化物质在第二密度的自由基化物质中分离原料气体，从而产生第二沉积材料; 以及将所述第二多个沉积材料沉积在所述第一沉积材料上。

公开(公告)号：EP2702604B1

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：EP12724152.9

申请日：2012-04-25

Applicant: Sairem Societe Pour L'application Industrielle De La Recherche En Electronique Et Micro Ondes

Inventor： GRANDEMENGE, Adrien ,  JACOMINO, Jean-Marie ,  RADOIU, Marilena ,  LATRASSE, Louis

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H05B6/6447 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32678 ,  H05B6/664 ,  H05B6/74

公开(公告)号：EP2784175A1

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：EP13161778.9

申请日：2013-03-28

Applicant: NeoCoat SA

Inventor： Rats, David ,  Provent, Christophe

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/511 ,  C23C16/27 ,  H05H1/18 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/274 ,  B81C1/00373 ,  C01B32/25 ,  C23C16/045 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/32293 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32678 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274

Abstract: La présente invention concerne un équipement de dépôt de diamant en phase vapeur comprenant :
- un réacteur sous vide (3) comprenant une chambre de réaction reliée à une source de vide,
- un porte-substrat (5) disposé dans le réacteur.
Selon l'invention, l'équipement comporte une pluralité de sources de plasma, disposées selon une matrice tridimensionnelle dans la chambre de réaction, chaque source présentant une zone active située dans la chambre de réaction, le nombre de sources ponctuelles étant compris entre 80 et 320 par mètre carré de surface de plasma.

Abstract translation: 该装置包括：真空反应器（3），包括连接到真空源的反应室; 布置在反应器中的衬底保持器（5） 以及沿着反应室中的三维矩阵布置的一组等离子体源。 每个等离子体源在反应室中具有活性区，并且多个点源为等离子体表面的80-320 / m 2，等离子体的点源为同轴施加器（6）。 同轴施加器在其位于反应室中的端部具有限定活动区域的窗口。 独立权利要求包括：（1）沉积纳米晶体金刚石的方法; 和（2）通过该方法获得的部分。