Patent search cpc:"H01L2224/85201" Page 2

11.

发明公开
与铜焊接相容的焊接垫板结构和方法有权转让

公开(公告)号：CN101083239A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710109255.1

申请日：2007-05-25

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 弗兰克斯·赫尔伯特 , 安荷·叭剌

IPC: H01L23/485 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05017 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4807 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48824 , H01L2224/85201 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

Abstract: 本发明披露了一种与Cu焊接相容的焊接垫板结构和相应的方法。该器件焊接垫板结构包括一种过渡缓冲结构，由各互连金属区和各不导电钝化材料区构成，该过渡缓冲结构提供了对于下埋各层和器件结构的缓冲隔离。

12.

发明授权
一种半导体器件失效

公开(公告)号：CN100339986C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN03120225.X

申请日：2003-03-07

Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 中岛靖之 , 守田俊章 , 松泽朝夫 , 友井晴一 , 川邉直树

IPC: H01L23/48 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/53223 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/48507 , H01L2224/48624 , H01L2224/49175 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0496 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/20106 , H01L2924/20305 , H01L2924/20306 , H01L2924/20307 , H01L2924/20308 , H01L2924/20752 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/00012

Abstract: 提供一种半导体器件，该半导体器件包括形成于半导体芯片上的第一金属膜，形成于所述第一金属膜上并由第二金属形成的球部分，以及所述第一金属和所述第二金属的合金层，该合金层在所述第一金属膜和所述球部分之间形成，其中所述合金层达到所述第一金属膜的底部，并且所述球部分用树脂覆盖；以及该半导体器件的制造方法。本发明使得能够改进键合焊盘部分和互连上键合线的球部分之间的粘附，从而提高半导体器件的可靠性。

13.

发明公开
在铜金属化集成电路之上具有保护性防护层可焊金属接头的接触点的结构和方法无效

公开(公告)号：CN1957455A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580016536.1

申请日：2005-03-23

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： L·李 , E·R·霍塔勒扎

IPC: H01L21/66 , H01L21/44 , H01L29/40

CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02126 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05147 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05624 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/85201 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01061 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/00

Abstract: 一种用于集成电路(IC)接触点的金属结构，所述集成电路具有铜互连涂敷金属(311)。该涂敷金属的一部分(301)被暴露以向IC提供接触点。导电阻挡层(330)被置于铜涂敷金属的暴露部分上。厚度优选为约0.4至1.4微米之间的可焊金属接头(350)被置于到阻挡层上。保护性的防护层(320)包围着接头，而且其厚度(320b)使得接头的暴露表面(322)位于防护层的暴露表面(320a)处或之下。可选地，所述防护层的宽度为约0.1至0.3微米之间的一部分(321)可重叠在接头的周界上。

14.

发明公开
用于探针测试和布线接合的I/O位置无效

公开(公告)号：CN1879208A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200380110704.4

申请日：2003-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·S·彼得拉尔卡 , T-J·程 , S·H·尼克博克 , R·P·沃朗 , G·F·瓦尔克

IPC: H01L21/44 , H01L21/48 , H01L21/50 , H01L21/302 , H01L21/461

CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05109 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05176 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48644 , H01L2224/48655 , H01L2224/48664 , H01L2224/48669 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/20754 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015

Abstract: 本发明公开了形成输入－输出(I/O)结构的方法，其中通过在凹槽(25)中选择性形成的第一导电阻挡层(102)覆盖具有在第一介质层(10)中的凹槽(25)的底部暴露的铜导电部分(20)的衬底。在衬底表面上形成第二介质(105)，优选有机聚合物例如聚酰亚胺，并且在第二介质(105)中形成第二凹槽(27)以使第一导电阻挡层(102)的至少一部分暴露。保形沉积第二导电阻挡层(107)，之后保形沉积籽晶层(109)，二者均在真空下沉积以确保籽晶层(109)与第二导电阻挡层(107)的附着。选择性除去凹槽(27)外部的籽晶层(107)，之后镀覆含镍金属(113)和随后镀覆贵金属(115)，其将在凹槽(27)中的籽晶层(107)的剩余部分上，而不在第二导电阻挡层(107)镀覆。通过低偏置功率RIE从暴露的场区域除去第二导电阻挡层(107)。本发明提供了形成用于探针测试和布线接合的I/O结构的低成本方法，而不损坏下面的器件和降低芯片的面积。

15.

发明公开
包含有内部斜面的毛细管失效

公开(公告)号：CN1717294A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200480000776.8

申请日：2004-07-22

Applicant: 库利克-索法投资公司

Inventor： 吉尔·佩尔贝格 , 阿里·巴哈卢尔 , 丹·米罗内斯库 , 摩西·阿姆萨莱姆 , 约恩·布伦纳

IPC: B23K20/00

CPC classification number: H01L24/85 , B23K20/004 , B23K20/007 , B23K2101/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48451 , H01L2224/78302 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/0104 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/00015

Abstract: 一种用于将细焊丝焊接在具有非常细小间距的焊盘上的焊具。该焊具包括一位于其一端部处的工作顶端。该工作顶端包括一形成于其端部的内部处的内部环形斜面，该内部环形斜面具有小于大约60度的角度。该内部环形斜面与形成在该焊具中的一圆柱形通道的下部连接。

16.

发明公开
超声波发生器装置失效

公开(公告)号：CN1572382A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410046055.2

申请日：2004-06-03

Applicant: 先进自动器材有限公司

Inventor： 李庆良 , 洪建益 , 吴铭伟

IPC: B06B1/06

CPC classification number: H01L24/85 , B06B3/00 , B23K20/106 , B23K2101/40 , H01L24/45 , H01L24/78 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/78313 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/3011 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/00015

Abstract: 本发明提供了一种用于接合装置的超声波发生器装置，其包含有：接合工具，其安装于放大角体上，该放大角体固定在第一和第二超声波发生设备之间。本发明还提供了一种用于接合装置的形成发生器的方法，其包含有下述步骤：提供一放大角体；将第一和第二超声波发生设备固定于该放大角体上，以便于该放大角体设置于所述的第一和第二超声波发生设备之间；以及将接合工具安装于该放大角体上。