公开(公告)号：CN1484303A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03152398.6

申请日：2003-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡边健一

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/562 ,  H01L23/58 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有将导体埋入形成在绝缘膜上的孔状图形和槽状图形中的结构，可以防止埋入导体的埋入不良和随之而来的绝缘膜的龟裂。该半导体装置包括：形成在基板上、至少在表面侧埋入有配线层的绝缘膜；形成在该绝缘膜上的绝缘膜；形成在配线层上的绝缘膜上、具有孔状通路和向直角方向弯曲的槽状图形的槽状通路；填充到孔状通路及槽状通路内的埋入导体，槽状通路的宽度小于孔状通路的宽度。

公开(公告)号：CN104752399B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410848151.2

申请日：2014-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡政勋 ,  李忠儒 ,  陈海清 ,  包天一 ,  眭晓林

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了互连结构和形成互连结构的方法。互连结构包括位于衬底上方的低k(LK)介电层；位于LK介电层中的第一导电部件和第二导电部件；沿着第一导电部件的第一侧壁的第一间隔件；沿着第二导电部件的第二侧壁的第二间隔件，其中，第二导电部件的第二侧壁面向第一导电部件的第一侧壁；位于第一间隔件和第二间隔件之间的气隙；以及位于第一导电部件上方的第三导电部件，其中，第三导电部件连接至第一导电部件。

公开(公告)号：CN104571413B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201310545592.0

申请日：2013-11-06

Applicant: 纬创资通股份有限公司

Inventor： 周慧莹 ,  康立杰

IPC: G06F1/20 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L23/13 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53204 ,  H05K3/0005 ,  H05K3/3442 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0969 ,  H05K2201/10636 ,  Y02P70/611

Abstract: 本发明提供了一种散热式镂空的形成方法及形成的散热式镂空结构，该散热式镂空的形成方法至少包括：载入单个或多个条件参数于一搜寻单元；搜寻单元依据单个或多个条件参数于所有焊盘中搜寻出一预选焊盘群；判断单元判断该预选焊盘群中的各焊盘是否符合一预定处理条件，进而产生一待处理焊盘群；一执行单元根据待处理焊盘群中各焊盘的至少一顶点坐标执行镂空作业，以在各焊盘所在一接触面上对应焊盘的顶点处形成一穿孔。本发明的散热式镂空的形成方法及形成的散热式镂空结构，可对筛选出的焊盘有效率地进行挖空处理，于对应焊盘角落的接触表面上形成穿孔，以有效率地大幅改善零组件的立碑效应。

公开(公告)号：CN105870102A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201510027762.5

申请日：2015-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭泰彥 ,  吴佳典 ,  郑价言

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件的结构和形成方法。该半导体器件包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的第一导电部件。该半导体器件也包括位于半导体衬底上方并且围绕第一导电部件的第一介电层。该半导体器件还包括位于第一导电部件上方的第二导电部件，并且第二导电部件延伸到第一导电部件内。此外，该半导体器件包括位于第一介电层上方并且围绕第二导电部件的第二介电层。本发明还涉及镶嵌结构的结构和形成方法。

公开(公告)号：CN105679784A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510779495.7

申请日：2015-11-13

Applicant: 上海磁宇信息科技有限公司

Inventor： 肖荣福

IPC: H01L27/22 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/222 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53261 ,  H01L2221/1073

Abstract: 本发明是关于在纳米尺寸的MRAM中，制备高质量的周边导电通路(ECM，Electrical Conducting Means)的方法，具有高电导率和更好的阻止Cu电迁移。通过对扩散阻止层(DBL，Diffusion Barrier Layer)和粘附增强层(AEL，Adhesion Enhancement Layer)选择合适的材料，可以得到可靠性高的MRAM器件。为进一步减低DBL与AEL的总厚度，可以采用单层合金扩散阻止层(ADBL，Alloyed Diffusion Barrier Layer)。ADBL材料可选自Co、Ru或Cr的合金，合金的其它元素选自W、Ti、Pt、Rd、Hf、Nb、Zr、V，这些元素的含量在5％至40％之间。

公开(公告)号：CN104716140A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410060158.8

申请日：2014-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖宏仁 ,  陈蓉萱 ,  田倩绮 ,  吴经纬 ,  蔡睿哲 ,  郑宏正 ,  王中兴

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L23/50 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53204 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/11 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了在存储器MUX1布局中具有多层引脚的器件。一种集成电路（IC）存储器件，包括：第一导电层；电连接至第一导电层的第二导电层，第二导电层形成在第一导电层上方；与第二导电层间隔开的第三导电层，第三导电层形成在第二导电层上方；电连接至第三导电层的第四导电层，第四导电层形成在第三导电层上方；形成在第一导电层或第二导电层中并且电连接至第一导电层或第二导电层的2P2E引脚框；以及形成在第三导电层或第四导电层中并且电连接至第三导电层或第四导电层的1P1E引脚框。

公开(公告)号：CN103871957A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201210546509.7

申请日：2012-12-17

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 陈征 ,  林剑 ,  崔铮

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/76801 ,  H01L23/53204 ,  H01L2221/1005 ,  H01L2221/1068

Abstract: 本发明涉及一种导电互联的方法包括：S1、在基底上布置透明氧化物导电层，获得互不连通的两导电块；S2、在两导电块及基底上覆盖绝缘层；S3、在对应两导电块上方的绝缘层区域制作穿通剂图案；S4、加热处理穿通剂图案，实现两导电块的导电互联。本发明提供的导电互联的方法，避免了图案化绝缘层且能实现绝缘层上下的导电连接；绝缘层采用整个基底淀积，容易获得均匀的绝缘层；采用透明氧化物导电层使得可以采用光波加热来实现穿通，从而降低衬底温度和非穿通区域的温度；透明氧化物导电层可以方便的形成透明电子电路，工艺温度较低，也易于采用印刷方法制作。

公开(公告)号：CN1294653C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN03152398.6

申请日：2003-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡边健一

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/562 ,  H01L23/58 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0619 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具有将导体埋入形成在绝缘膜上的孔状图形和槽状图形中的结构，可以防止埋入导体的埋入不良和随之而来的绝缘膜的龟裂。该半导体装置包括：形成在基板上、至少在表面侧埋入有配线层的绝缘膜；形成在该绝缘膜上的绝缘膜；形成在配线层上的绝缘膜上、具有孔状通路和向直角方向弯曲的槽状图形的槽状通路；填充到孔状通路及槽状通路内的埋入导体，槽状通路的宽度小于孔状通路的宽度。

公开(公告)号：CN108538810A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201710888495.X

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  权奇相 ,  白在职 ,  高镛璿 ,  李光旭

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L23/53204 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/5226 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。

公开(公告)号：CN107851667A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680032544.3

申请日：2016-06-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  中野文树

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53204 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N21/435 ,  H04N21/439 ,  H04N21/44 ,  H04N21/462 ,  H04N21/4884 ,  H04N21/8456

Abstract: 使有源矩阵基板的配线的阻抗变小。一种有源矩阵基板，包含:基板31；配置于基板31，沿第一方向延伸的多数个的第一配线也就是栅极线；配置于基板31，沿与所述第一方向相异的第二方向延伸的多数个的第二配线也就是源极线Si；对应栅极线与源极线的各交点配置，与栅极线以及源极线连接的晶体管2；以及绝缘层；所述栅极线以及源极线的至少一方为，经由所述绝缘层的接触孔连接所述晶体管的电极，且与经由所述绝缘层的接触孔连接的所述晶体管的电极相比，透过厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的至少一个的方式形成。