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公开(公告)号：CN115545209A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211279470.7
申请日：2022-10-19
Applicant: 国开启科量子技术(北京)有限公司 , 启科量子技术(珠海)有限公司
Abstract: 本申请公开了一种用于离子阱的针极对位方法。该方法包括：调节第一针极、第二针极和第三针极中的至少一者，以使第一针极、第二针极和第三针极三者共面；在轴向上调节第二针极和/或第五针极的位置，以使第二针极的尖端与第五针极的尖端之间的距离小于或等于第一预设值；在径向上调节第二针极和/或第五针极的位置，以使第二针极的中心轴与第五针极的中心轴相互平行且两个中心轴之间的距离小于或等于第二预设值；调节第一针极、第三针极、第四针极和第六针极中的至少一者，以使各个相邻针极之间的距离均相等且此距离小于或等于第三预设值。利用本申请公开的实施例能够便捷地实施离子阱的针极对位过程。
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公开(公告)号：CN115527820A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210659516.1
申请日：2022-09-14
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01J3/02
Abstract: 本发明公开了一种扩展栅极结构的垂直型纳米间隙电子源及其制备方法，所述纳米间隙电子源，包括发射极、收集极、栅极以及氧化物绝缘层；所述纳米间隙，指代收集极与发射极、栅极与发射极之间的距离保持在亚100nm尺度，电子在真空沟道内部以弹道输运或者隧穿的方式进行输运，且因真空沟道小于/接近电子在空气中的平均自由程，驱动电压小于分子的第一离子化势，所述器件无需严格真空封装也可正常工作。该结构拟突破传统电真空器件的技术瓶颈，结合现行半导体加工工艺，获得小型化和集成化的真空电子源，以期获得低工作电压、高输出电流、快速响应和无需严格真空封装的技术优势，在新型电子元器件和微纳加工工艺具有较高的应用潜力，为未来实现片上集成电子源、微焦点X射线管奠定技术基础。
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公开(公告)号：CN115424908A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211122667.X
申请日：2022-09-15
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本发明提供了一种电子源发射器，由单晶LaB6电子源发射体和夹持所述单晶LaB6电子源发射体的机械夹持单元组成；所述单晶LaB6电子源发射体为具有尖端的单晶体LaB6。本申请电子源发射器中单晶LaB6电子源发射体的引入，使其具有低工作电压、高电流密度发射和化学惰性的电子发射特性；同时单晶LaB6极高的抗离子轰击能力和导电能力，从根本上防止阴极被回轰正离子损坏或阴极中毒，延长了阴极使用寿命，提高了电子源发射器的稳定性。
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公开(公告)号：CN113628944B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110686254.3
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种场电子发射阴极的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；将形成有纳米晶金刚石薄膜的衬底在含氧气氛中退火，从而得到金刚石纳米毛刺结构；以及将所述金刚石纳米毛刺结构的表面处理为氢终端。本发明方法可制备具有纳米级密排结构的纳米晶金刚石薄膜，该薄膜生长速率快，并且利用该薄膜通过高选择比氧化反应可容易地获得大长径比、高密度的金刚石纳米毛刺结构，其可大大提高场增强因子。本发明方法中的高选择比的氧化反应使得金刚石消耗量小。另外，本发明方法无需图形化掩膜工艺，因此相关设备和工艺简单，可大大降低加工成本。
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公开(公告)号：CN109767961B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201811619109.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十二研究所
Abstract: 本发明公开了一种带屏蔽结构的尖锥阵列型场发射电子源，其特征在于，包括从下到上依次设置的基底、发射尖锥、绝缘层、屏蔽层和栅极；所述发射尖锥至少部分暴露于所述绝缘层外，所述屏蔽层位于由所述发射尖锥、绝缘层和栅极构成的空腔中，以隔断所述发射尖锥和栅极。该场发射电子源带有防止沿络电弧的屏蔽结构，能有效防止传统场发射电子源的常见的沿络电弧失效的问题发生。本发明还公开了一种带屏蔽结构的尖锥阵列型场发射电子源的制作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109690287B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201780035894.X
申请日：2017-04-09
Applicant: WI-电荷有限公司
Abstract: 引入了安全性特征的用于向接收器进行光学功率传输的系统，其包括：具有末端反射器和增益介质的光学谐振腔、向增益介质供应功率并且控制其小的信号增益的驱动器、波束转向装置和控制至少波束转向装置和驱动器的控制器。控制器通过输出命令以改变增益介质的小的信号增益、光束的辐射亮度、由该驱动器供应的功率、波束转向装置的扫描速度或扫描方向和位置中的至少一部分，或者记录确定所述光电功率变换器的位置的扫描姿态，从而响应在该系统中出现的安全性风险。控制器还可以确保高的总体辐射效率，并且可以警告并非由目标接收器接收的传输功率。
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公开(公告)号：CN114937585A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210698168.9
申请日：2018-04-10
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/065 , H01J37/067 , H01J37/07 , H01J37/10 , H01J37/244 , H01J37/317 , H01J37/04 , H01J1/88 , H01J3/02 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种用于产生和发射带电粒子束的带电粒子源模块，包括：框架，包括第一框架部分、第二框架部分以及布置在第一框架部分和第二框架部分之间的并且刚性地连接至它们的一个或多个刚性支撑构件，框架包括安装构件，安装构件通过挠曲连接件而连接到第二框架部分；用于产生带电粒子束的带电粒子源装置，其中带电粒子源装置被布置在第二框架部分处，包括：发射器装置，被配置用于发射带电粒子；以及电极，用于从由发射器装置发射的带电粒子形成带电粒子束；和布置在第一框架部分处的电力连接组件，电力连接组件刚性地连接到第一框架部分，并且带电粒子源装置刚性地连接到第二框架部分，其中带电粒子源装置经由电线电连接至电力连接组件。
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公开(公告)号：CN114927395A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210449439.7
申请日：2022-04-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法。具体方法为：建立反射率随温度变化的公式以及NEAGaN电子源反射率实时可变的模型；确定目标反射率R和工作时的入射光波长λ和初始偏离值s；获取工作温度T0以及当前NEAGaN电子源的反射率R0；将目标参数输入到温度校准模型，计算输出目标温度T1；获取温度为T1时NEAGaN电子源的反射率R1并计算偏离度s1，若s1小于偏离值s，输出温度T＝T1，若s1大于偏离值s，则根据T1、R1进行下一次修正，再次计算得到温度T2与偏离度，并与设定值进行比较。根据如上步骤校准温度，直至sn小于偏离值s，最终输出目标R对应的最优温度T。本发明通过温度控制NEAGaN电子源反射率，具有自校准的功能，且控制灵活，启动快，可靠性高，可以精确实现实时自动控制NEAGaN电子源反射率的需求，进而提高稳定性。
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公开(公告)号：CN114664614A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210262772.7
申请日：2022-03-17
Applicant: 中国科学技术大学
Abstract: 本申请公开了一种电子枪，所述电子枪包括：电子源、栅极和阳极，所述电子源用于出射电子束；所述电子源朝向所述栅极和所述阳极的一侧具有微凸起结构，所述微凸起结构在电场的作用下具有自汇聚的透镜效果，用于减小所述电子束的发散角；所述栅极用于对所述电子源施加预设电压，以使得所述电子源出射的电子束局限在所述微凸起结构上产生，减小所述电子束的发散角；其中，所述栅极具有第一通孔，所述微凸起结构和所述第一通孔相对设置，以使得所述电子束通过所述第一通孔入射至所述阳极上，减小所述电子束的交叉点直径。应用本申请提供的技术方案，通过采用具有微凸起结构的电子源，可以获得自汇聚的电子束，减小电子束的发散角。
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公开(公告)号：CN110729159B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201910969392.5
申请日：2019-10-12
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
Inventor： 周华佗
Abstract: 本发明涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种离子源的安装装置，离子源包括起弧室的一开口侧设有一阴极电极，阴极电极一端具有开口，灯丝位于开口内并与阴极电极保持一定间距，阴极电极自起弧室的开口侧向内突出，安装装置包括：阴极夹，用于固定阴极电极；两个灯丝夹，分别用于固定灯丝的两端于起弧室外，以使灯丝与阴极电极保持间距；绝缘盘，绝缘盘的正面具有一第一定位结构，阴极夹的一端固定于第一定位结构上；绝缘盘的背面具有一第二定位结构，两个灯丝夹的一端固定于第二定位结构上。有益效果：减少灯丝的安装时间，并且能够防止螺钉松动或受热变形造成的灯丝偏移；便于调节阴极电极和灯丝的位置，从而保证其间距。
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