公开(公告)号：CN1016973B

公开(公告)日：1992-06-10

申请号：CN89102980.X

申请日：1989-04-28

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 神尾宽 ,  荒木健治 ,  岛芳延 ,  铃木真 ,  风间彰 ,  堀江重豪 ,  中滨泰光

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/12

Abstract: 本发明是关于用切克劳斯基法(Czochralskimethod)制备硅单晶的方法和设备，其中包括步骤：分隔盛熔融硅的坩埚为单晶生长区和外加料区以使熔融硅运动缓慢，以及一面给加料区连续地加入硅原料一面从单晶生长区拉出硅单晶，其中改进包括加料区和熔融硅的温度保持在高于硅的熔点至少12℃以上。

公开(公告)号：CN1016234B

公开(公告)日：1992-04-15

申请号：CN88107605

申请日：1988-11-05

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 小仓康嗣 ,  前田隆一

IPC: B22D11/10 ,  B22D41/08

CPC classification number: B22D43/00 ,  B22D43/002

Abstract: 一种在钢水连续浇铸中将钢水浇入铸模的设备，包括：一个容纳钢水的浇口盘；一个位于所述浇日盘底部的注口，一个位于所述注口下部用于打开和关闭所述注口的滑板；一个位于所述滑板下方的浸入注口，通过该注口钢水被浇入铸模；一个内部有芯体的塞块，其毛体积比重为3.0-6.0，其外层由耐熔材料制成并有一球形表面，该表面大的足以覆盖所述注口的开口，并且其曲率半径是注口开口直径的0.7-3倍。

公开(公告)号：CN1015649B

公开(公告)日：1992-02-26

申请号：CN87101952

申请日：1987-03-13

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 神尾宽 ,  中冈一秀 ,  荒木健治 ,  村上胜彦 ,  风间彰 ,  堀江重豪

IPC: C30B15/02 ,  C30B29/06

Abstract: 一种制造半导体单晶用的装置，制造时是在半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制出半导体单晶棒条。该装置至少包括一长条半导体原材料、加热装置、支撑装置和表面镇静装置。加热装置用以加热初始原料体以便在料下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将料体支撑在熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的凝固。

公开(公告)号：CN1015522B

公开(公告)日：1992-02-19

申请号：CN88108440

申请日：1988-10-13

Applicant: 日本钢管株式会社 ,  日本酸素株式会社

Inventor： 杉谷司 ,  西泰彦 ,  勘定义弘

IPC: B23K9/12 ,  B23K9/127

Abstract: 一种自动焊接圆柱形容器的装置，具有容器回转装置：移动小车；装在小车上的操纵器。带有紧固在小车上的立柱、可在水平方向上和沿立柱的垂直方向上移动的水平柱和可旋转地安装在水平柱前端的伸缩臂；带有焊接喷嘴、坡口拍摄装置的焊头通过L形安装件装在伸缩臂的顶端；安装在小车上的焊丝进给器、焊接电源和由图象处理机、焊接电流控制器、焊条进给控制器、焊接速度控制器和坡口仿形控制器所组成的焊接控制器。

公开(公告)号：CN1056165A

公开(公告)日：1991-11-13

申请号：CN91102921.4

申请日：1991-04-27

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 川岛章浩 ,  佐藤晨夫 ,  大川登志男

IPC: G01B11/08 ,  C30B15/26

CPC classification number: G01B11/105 ,  Y10T117/1004

Abstract: 本发明涉及一种测定单晶硅直径的方法和设备。在用CZ法提拉单晶的一规定转动周期的间隔内，用光学装置对熔融环的亮度分布进行取样，由此得出该提拉单晶的直径测定值，再用低通滤波器处理该直径测定值，以产生转换成时序直径数据的滤波器输出值，然后求出滤波器输出值的移动平均值，从而计算出直径值。本发明涉及的设备包括能完成上述测定方法的光学装置、一低通滤波器和计算装置。

公开(公告)号：CN1056136A

公开(公告)日：1991-11-13

申请号：CN91102923.0

申请日：1991-04-27

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 岛芳延 ,  神尾宽 ,  铃木真

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B15/14 ,  C30B15/12 ,  C30B29/06

Abstract: 一种按照坩埚不旋转的切克劳斯基法高速提拉直径大、组成稳定的单晶硅的单晶硅生产设备。通过妥善维持单晶硅外周边与分隔件内侧熔融硅自由表面的热平衡，可以高速提拉大直径单晶硅。必须满足的条件如下：4＝18-24英寸，3/4＝0.75-0.84；2-1＝30-50毫米，α＝15-25度；及h＝10-30毫米，其中1为单晶硅直径，2为保温盖圆柱形侧面部分下端处的孔径，3为分隔件的直径，4为坩埚直径，h为熔融硅表面至2部分的距离。

公开(公告)号：CN1055965A

公开(公告)日：1991-11-06

申请号：CN91102343.7

申请日：1991-03-20

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 神尾宽 ,  荒木健治 ,  岛芳延 ,  钤木真 ,  兼头武 ,  中滨泰光 ,  钤木威 ,  藤林晃夫

IPC: C30B15/00

CPC classification number: C30B15/14

Abstract: 一种利用切克劳斯基单晶生长法的大直径单晶制造装置，在保温罩上部设置适当的开口，防止气体介质产生不良影响。开口总面积大于保温罩下端和硅熔液液面之间形成间隙的面积，保温罩和热屏蔽件用金属板构成。

公开(公告)号：CN1055964A

公开(公告)日：1991-11-06

申请号：CN91102023.3

申请日：1991-04-02

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 岛芳延 ,  神尾宽 ,  铃木真

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/10

CPC classification number: C30B15/12 ,  C30B15/14

Abstract: 一种制造硅单晶的设备，其中有一个隔离元件安装于旋转石英坩埚中，使它环绕着一边旋转一边拉制的大圆柱形硅单晶，该隔离元件至少有一个小孔通过其下部。隔离元件的全部或一部分由多孔石英玻璃制成，其孔含量(体积百分数)在0.01至15％之间。或者小于0.01％，但利用来熔化硅原料的热使其增加到0.01％至15％，这样就防止了与隔离元件内侧接触的熔融物料的温度降低，并防止了该部位的熔融物料发生凝固。

公开(公告)号：CN1055392A

公开(公告)日：1991-10-16

申请号：CN91102080.2

申请日：1991-03-28

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 长栋章生 ,  手浩一 ,  小峰勇

IPC: C21C5/46 ,  G01S13/06

CPC classification number: C21C5/4673 ,  G01F23/284 ,  G01S13/325 ,  G01S13/88

Abstract: 一种炉内熔渣料面测定仪，该测定仪具有一个微波雷达，用以测定转炉等之中的熔渣料面。根据检测信号的电平调节发射信号或接收信号的电平，从而将微波雷达中的信号电平调节到恒定不变。此外，输入料面测定值和检测信号，然后对在预定时间内得出的料面测定值求出其平均值。在求平均值的运算中，当检测信号小于某给定值时，进行平均运算而不考虑当时的料面测定值。

公开(公告)号：CN1013749B

公开(公告)日：1991-09-04

申请号：CN88107579

申请日：1988-09-09

Applicant: 日本钢管株式会社

Inventor： 杉谷司 ,  勘定義弘 ,  西村隆则

IPC: B23K9/127 ,  G01B11/24

Abstract: 探测坡口形状的设备包括：使用焊弧作为照明光形成被焊接金属工件的坡口和其表面的图象影象装置；存储装置，在成象影象装置形成图象的各象素上存储信息；积分装置，对存储在存储装置中存储器的预定方向上的各象素的信息积分；微分装置，在与存储器预定方向垂直的方向上，对积分信息微分：和探测装置，根据各象素上的微分信息探测坡口和其表面形状。及一处理装置，得出焊接电流和速度的指令值；一坡口朝向成象区的空气喷嘴。