公开(公告)号：FR2956764B1

公开(公告)日：2012-11-09

申请号：FR1051205

申请日：2010-02-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： LIARDET PIERRE-YVAN ,  TEGLIA YANNICK ,  TOURNEMILLE JEROME

IPC: G06F12/14 ,  G06F21/72 ,  G06F21/75

公开(公告)号：FR2963682B1

公开(公告)日：2012-09-21

申请号：FR1003270

申请日：2010-08-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TEISSIER MAXIME ,  TROISE CYRIL

IPC: G01V3/00 ,  G01D5/24

公开(公告)号：IT1394898B1

公开(公告)日：2012-07-20

申请号：ITTO20090420

申请日：2009-06-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： VISCONTI ANDREA ,  CAMINADA CARLO

IPC: G01C19/56

公开(公告)号：FR2968455A1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：FR1060128

申请日：2010-12-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  RIVERO CHRISTIAN

IPC: H01L23/544 ,  H01L27/08

Abstract: Procédé d'identification d'un produit comportant une zone métallique formée lors de la fabrication du produit, le procédé comprenant une détermination (10) d'une empreinte représentative de la structure granulaire de ladite zone métallique (ZM) et une élaboration (11) d'une information d'identification (Id) dudit produit à partir de ladite empreinte.

公开(公告)号：FR2968421A1

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：FR1004665

申请日：2010-12-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： BEYLY LAURENT ,  TROISE CYRIL ,  TEISSIER MAXIME

IPC: G06F3/044 ,  G01D5/24 ,  H03K17/955

Abstract: L'invention concerne un procédé de commande d'une surface tactile, comprenant un mode de localisation d'un objet sur la surface tactile comportant des étapes consistant à : déterminer une mesure de capacité (Cij) de chacune des paires d'électrodes (Ti, Rj) de la surface tactile (TS), chaque paire comprenant une électrode en ligne (Rj) et une électrode en colonne (Ti) transversale à l'électrode en ligne, comparer chaque mesure à un premier seuil de détection, et si la comparaison d'au moins une mesure avec le premier seuil révèle la présence d'un objet sur la surface tactile, localiser l'objet sur la surface tactile en fonction des mesures de capacité, le procédé comprenant un mode de détection de proximité comportant des étapes consistant à : déterminer une mesure représentative de la capacité entre une ou deux électrodes et une ou deux autres électrodes de la surface tactile, et comparer une mesure obtenue à un second seuil de détection distinct du premier seuil.

公开(公告)号：FR2966676A1

公开(公告)日：2012-04-27

申请号：FR1058571

申请日：2010-10-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： FORNARA PASCAL ,  WUIDART SYLVIE

IPC: H04L29/10 ,  H04L5/02 ,  H04L29/02

Abstract: Procédé de communication d'informations à un objet comportant un circuit intégré (CI), dans lequel on équipe ledit circuit intégré (CI) d'un accéléromètre (ACC), on soumet l'objet à une vibration dont les caractéristiques sont représentatives des valeurs desdites informations et on récupère lesdites informations au sein du circuit intégré (CI) à partir du signal électrique délivré par ledit accéléromètre soumis à ladite vibration.

公开(公告)号：FR2958078B1

公开(公告)日：2012-04-20

申请号：FR1001177

申请日：2010-03-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： MARINET FABRICE ,  LISART MATHIEU

IPC: H01L23/485 ,  H03K19/003

公开(公告)号：IT1392742B1

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：ITTO20080983

申请日：2008-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： CONTI SEBASTIANO ,  PERLETTI MATTEO

公开(公告)号：IT1392741B1

公开(公告)日：2012-03-16

申请号：ITTO20080981

申请日：2008-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： CALCATERRA GIACOMO ,  CAZZANIGA GABRIELE ,  CORONATO LUCA

IPC: G01C19/56

公开(公告)号：FR2964483A1

公开(公告)日：2012-03-09

申请号：FR1057051

申请日：2010-09-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: G06F11/16 ,  G11B20/18 ,  G11C8/06 ,  G11C29/04

Abstract: Le procédé comprend : - lors d'un adressage de la mémoire pour écrire un deuxième (M2) mot à l'adresse d'un premier mot (M1) contenant un bit (bi) ayant une valeur logique erronée correspondant à un emplacement mémoire défectueux, a) une lecture (20) du premier mot, b) une détection (22) par un code de correction d'erreur de la présence dans la mémoire de ce bit (bi) ayant une valeur logique erronée, c) une écriture (31) d'au moins une partie dudit deuxième mot dans ladite mémoire non volatile à ladite adresse et d) une écriture (32) dans des moyens de mémoire auxiliaires (MMAX) d'une information (INF) contenant au moins ladite adresse et d'un bit relocalisé (bj) situé dans un emplacement mémoire auxiliaire de ces moyens de mémoire auxiliaires et affecté de la valeur logique souhaitée du bit du deuxième mot situé audit emplacement mémoire défectueux, et - lors d'un adressage ultérieur (50) de ladite mémoire pour lire le deuxième mot, e) une lecture des bits non erronés du deuxième mot comprenant une lecture (52) dans les moyens de mémoire auxiliaires d'au moins ledit bit relocalisé (bj) ayant ladite valeur logique souhaitée.