公开(公告)号：KR1020070102456A

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：KR1020070096399

申请日：2007-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14636

Abstract: A pixel cell, an image sensor adopting the same, and an image processing system including the image sensor are provided to minimize a dark level by not forming a metal contact on a photodiode. An image sensor adopting a pixel cell includes a first semiconductor pattern(111), a second semiconductor pattern(113), a photoelectric converting device(115), and at least one of transistors. An isolation layer is located between the first and second semiconductor pattern(111,113) so that the first and the second semiconductor patterns(111,113) face each other. The photoelectric converting device(115) is formed on the second semiconductor pattern(113). The transistor is formed on the first semiconductor pattern. The transistor is coupled with the photoelectric converting device(115) for detecting a signal charge generated at the photoelectric converting device(115). The photoelectric converting device(115) includes a first conductive region(113n) and a second conductive region(113p).

Abstract translation: 提供像素单元，采用该像素单元的图像传感器和包括图像传感器的图像处理系统，以通过在光电二极管上不形成金属接触来最小化暗度。 采用像素单元的图像传感器包括第一半导体图案（111），第二半导体图案（113），光电转换装置（115）和至少一个晶体管。 隔离层位于第一和第二半导体图案（111,113）之间，使得第一和第二半导体图案（111,113）彼此面对。 光电转换元件（115）形成在第二半导体图案（113）上。 晶体管形成在第一半导体图案上。 晶体管与用于检测在光电转换装置（115）处产生的信号电荷的光电转换装置（115）耦合。 光电转换元件（115）包括第一导电区（113n）和第二导电区（113p）。

公开(公告)号：KR1020070075567A

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：KR1020060003966

申请日：2006-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김세영 ,  김범석 ,  안정착 ,  선요한 ,  장윤호 ,  알렉산더겟뜨만 ,  육근찬 ,  이종진

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14627

Abstract: A high-sensitivity image sensor is provided to separate light without causing a loss by using three micro lenses, a prism and three inner lenses. Three unit pixels(211,212,213) receive R(red), G(green) and B(blue) color signals. A prism(23) refracts rays of radiant light according to its wavelength and obtain the R, G and B color signals, formed on the three unit pixels. Three inner lenses(221,222,223) focuses the R, G and B color signals separated by the prism on the three unit pixels, positioned between the three unit pixels and the prism. A micro lens(24) controls the incident light through the prism by vertical light, formed on the prism. The three unit pixels can be arranged in a straight line, having square structures, respectively.

Abstract translation: 提供高灵敏度图像传感器以通过使用三个微透镜，棱镜和三个内透镜来分离光而不会造成损失。 三个单位像素（211,212,213）接收R（红色），G（绿色）和B（蓝色）颜色信号。 棱镜（23）根据其波长折射辐射光线，并获得形成在三个单位像素上的R，G和B彩色信号。 三个内部透镜（221,222,223）将由棱镜分离的R，G和B颜色信号聚焦在位于三个单位像素和棱镜之间的三个单位像素上。 微透镜（24）通过在棱镜上形成的垂直光来控制通过棱镜的入射光。 三个单位像素可以分别布置成具有正方形结构的直线。

公开(公告)号：KR1020070062777A

公开(公告)日：2007-06-18

申请号：KR1020050122550

申请日：2005-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착

IPC: H04N5/355 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/374 ,  H01L27/14609 ,  H04N5/355 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/361 ,  H04N5/378

Abstract: A circuit and a method for detecting a saturation level of an image sensor, and an image sensor with the circuit are provided to accurately detect the saturation level of the image sensor by comparing a voltage signal of a reset level and a voltage signal of the saturation level. A pixel part(345) includes a floating diffusion node(FDN) electrically connected/disconnected to a photo-diode(PD) and outputs a voltage signal corresponding to a voltage of the floating diffusion node. A rest node(RN) is electrically connected or disconnected to the floating diffusion node. A detection control part(343) applies a power supply voltage(VDD) or a reference voltage(GND) to the reset node. The detection control part includes the first rest switch(RTr1) for electrically connecting or disconnecting the rest node and the floating diffusion node, the second rest switch(RTr2) for applying the power supply voltage to the reset node, and a reference voltage switch for applying the reference voltage to the reset node.

Abstract translation: 提供用于检测图像传感器的饱和度水平的电路和方法以及具有电路的图像传感器，以通过比较复位电平的电压信号和饱和度的电压信号来精确地检测图像传感器的饱和度水平 水平。 像素部分（345）包括与光电二极管（PD）电连接/断开的浮动扩散节点（FDN），并输出与浮动扩散节点的电压对应的电压信号。 静止节点（RN）与浮动扩散节点电连接或断开。 检测控制部（343）向复位节点施加电源电压（VDD）或参考电压（GND）。 检测控制部分包括用于将休息节点和浮动扩散节点电连接或断开的第一休息开关（RTr1），用于将电源电压施加到复位节点的第二休息开关（RTr2）和用于 将参考电压施加到复位节点。

公开(公告)号：KR1020070036356A

公开(公告)日：2007-04-03

申请号：KR1020050091293

申请日：2005-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464

Abstract: An image sensor having pixels that include two patterned semiconductor layers. The top patterned semiconductor layer contains the photoelectric elements of pixels having substantially 100% fill-factor. The bottom patterned semiconductor layer contains transistors for detecting, resetting, amplifying and transmitting signals charges received from the photoelectric elements. The top and bottom patterned semiconductor layers may be separated from each other by an interlayer insulating layer that may include metal interconnections for conducting signals between devices formed in the patterned semiconductor layers and from external devices.

公开(公告)号：KR1020060058584A

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040097671

申请日：2004-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  아사바테츠오 ,  김이태 ,  김정연 ,  황성인

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14643

Abstract: 베리드 채널 MOS 트랜지스터를 사용한 CMOS 이미지 센서가 개시되어 있다. CMOS 이미지 센서는 광변환 소자, 및 소스 폴로워 트랜지스터를 구비한다. 광변환 소자는 입사하는 빛 에너지에 응답하여 전류 신호를 발생시키고 플로팅 노드의 전압을 변화시킨다. 소스 폴로워 트랜지스터는 제 1 도전형의 물질이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역, 제 1 도전형과 반대인 제 2 도전형의 물질이 도핑된 게이트 영역, 게이트 영역 아래 상기 소스 영역과 드레인 영역 사이에 위치하는 제 1 도전형의 베리드 채널을 구비한다. 또한, 소스 폴로워 트랜지스터는 플로팅 노드의 전압신호를 증폭하고 제 1 신호를 출력한다. 따라서, CMOS 이미지 센서는 감소된 노이즈를 갖고, 이미지 데이터를 정확하고 안전하게 출력할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060009965A

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：KR1020040058504

申请日：2004-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645

Abstract: 이미지 센서의 수광부를 확장하여 크로스토그(crosstalk) 현상 또는 차광 현상을 감소시키고 광을 효과적으로 집중시킴으로써 광감도를 높일 수 있는 이미지 센서가 개시된다. 광축상에 렌즈, 복수의 마이크로 렌즈들이 소정의 패턴으로 형성되는 마이크로 렌즈 어레이, 소정의 패턴으로 형성되는 컬러필터 어레이, 소정의 패턴으로 형성되는 메탈 어레이 및 복수의 수광소자들이 소정의 패턴으로 형성되는 수광소자 어레이 순으로 배열되는 이미지 센서에 있어서, 마이크로 렌즈 어레이는 중심에 위치한 마이크로 렌즈로부터 멀어질수록 입사각에 반비례하여 간격이 좁아지고, 수광소자 어레이는 중심에 위치한 수광소자로부터 멀어질수록 입사각에 비례하여 간격이 넓어지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020050080814A

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：KR1020040008926

申请日：2004-02-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  임수헌

IPC: H04N5/341

CPC classification number: H04N5/374 ,  H04N5/347

Abstract: 서브 샘플링 모드에서 디스플레이 품질을 개선한 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법이 개시된다. 상기 고체 촬상 소자는, 서브 샘플링 모드 시에, APS 어레이에서, 홀수번째 행들 또는 짝수번째 행들의 광소자로부터 광전 변환된 영상신호를 열단위로 합하여 출력한다. 이에 따라, 아날로그 합성 회로가 상기 합해진 영상신호들을 홀수번째끼리 및 짝수번째끼리 재차 합하여 출력함으로써, 수직 해상도를 낮출 수 있다. 또는, 상기 합해진 영상신호들을 디지털 신호로 변환한 후, 디지털 합성 회로에서 홀수번째끼리 및 짝수번째끼리 재차 합하여 출력함으로써, 수직 해상도를 낮출 수 있다.