公开(公告)号：KR1020070091763A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：KR1020060021286

申请日：2006-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종진 ,  선요한 ,  오태석 ,  주성재 ,  김범석 ,  장윤호 ,  김세영 ,  육근찬

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14601 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: An image sensor is provided to adjust a drain voltage by including a DPW(deep p-well). A first-type semiconductor layer is formed on a semiconductor substrate(110), including pixels that detects light from the outside to convert photo charges into an electrical signal. A drain voltage is applied to a second-type semiconductor layer that as a different potential from that of the first-type semiconductor layer. A first-type well adjust a power supply voltage by the drain voltage. The first-type well can be formed under the pixel in the first-type semiconductor layer. The power supply voltage can electrically be connected to the second-type semiconductor layer by a power connection part(140).

Abstract translation: 提供图像传感器以通过包括DPW（深p阱）来调节漏极电压。 第一型半导体层形成在半导体衬底（110）上，包括检测来自外部的光以将光电荷转换为电信号的像素。 漏极电压施加到与第一类型半导体层的电位不同的电位的第二类型半导体层。 第一类井通过漏极电压调节电源电压。 第一型阱可以形成在第一型半导体层的像素的下方。 电源电压可以通过电源连接部分（140）电连接到第二类型半导体层。

公开(公告)号：KR1020070075567A

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：KR1020060003966

申请日：2006-01-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김세영 ,  김범석 ,  안정착 ,  선요한 ,  장윤호 ,  알렉산더겟뜨만 ,  육근찬 ,  이종진

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14627

Abstract: A high-sensitivity image sensor is provided to separate light without causing a loss by using three micro lenses, a prism and three inner lenses. Three unit pixels(211,212,213) receive R(red), G(green) and B(blue) color signals. A prism(23) refracts rays of radiant light according to its wavelength and obtain the R, G and B color signals, formed on the three unit pixels. Three inner lenses(221,222,223) focuses the R, G and B color signals separated by the prism on the three unit pixels, positioned between the three unit pixels and the prism. A micro lens(24) controls the incident light through the prism by vertical light, formed on the prism. The three unit pixels can be arranged in a straight line, having square structures, respectively.

Abstract translation: 提供高灵敏度图像传感器以通过使用三个微透镜，棱镜和三个内透镜来分离光而不会造成损失。 三个单位像素（211,212,213）接收R（红色），G（绿色）和B（蓝色）颜色信号。 棱镜（23）根据其波长折射辐射光线，并获得形成在三个单位像素上的R，G和B彩色信号。 三个内部透镜（221,222,223）将由棱镜分离的R，G和B颜色信号聚焦在位于三个单位像素和棱镜之间的三个单位像素上。 微透镜（24）通过在棱镜上形成的垂直光来控制通过棱镜的入射光。 三个单位像素可以分别布置成具有正方形结构的直线。

公开(公告)号：KR1020070025046A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020050080787

申请日：2005-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김세영 ,  김범석 ,  선요한 ,  장윤호 ,  알렉산더겟뜨만 ,  육근찬

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14685

Abstract: An image sensor and its manufacturing method are provided to reduce the loss of an incident light, to improve the sensibility, and to decrease cross-talk by connecting directly a microlens and a photodiode with each other using a cavity. An image sensor includes a photodiode, a microlens, and a cavity. The photodiode(211) is formed in a semiconductor substrate. The photodiode is used for transforming an incident light into an electric signal. The microlens(250) is used for condensing the incident light to the photodiode. The cavity(241,243) is used for connecting directly the photodiode and the microlens with each other. A color filter material is filled in the cavity. The color filter material is capable of transmitting a wavelength along the incident light.

Abstract translation: 提供一种图像传感器及其制造方法，以减少入射光的损失，提高感光度，并且通过使用空腔将微透镜和光电二极管直接连接来减少串扰。 图像传感器包括光电二极管，微透镜和空腔。 光电二极管（211）形成在半导体衬底中。 光电二极管用于将入射光转换成电信号。 微透镜（250）用于将入射光聚焦到光电二极管。 空腔（241,243）用于将光电二极管和微透镜彼此直接连接。 滤色器材料填充在空腔中。 滤色器材料能够沿着入射光发射波长。

公开(公告)号：KR1020070008914A

公开(公告)日：2007-01-18

申请号：KR1020050062810

申请日：2005-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선요한

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14685

Abstract: A CMOS image sensor is provided to reduce optical crosstalk by using as a diffusion barrier layer a material with a good optical absorption characteristic. A diffusion barrier layer having a thickness of 200~1100 angstroms is formed on a first insulation layer pattern and a first metal interconnection pattern, avoiding diffusion of a metal material of the first metal interconnection pattern. An interlayer dielectric(270) is formed on the diffusion barrier layer. An etch stop layer(272) having a thickness of 200~1100 angstroms is formed on the interlayer dielectric. A second insulation layer pattern is formed on the etch stop layer, having a second unevenness part exposing the upper surface of the etch stop layer. The second unevenness part is filled with a second metal interconnection pattern. The diffusion barrier layer or the etch stop layer is made of a silicon oxynitride layer. The first and the second metal interconnection patterns are made of copper.

Abstract translation: 提供CMOS图像传感器以通过使用具有良好光吸收特性的材料作为扩散阻挡层来减少光学串扰。 在第一绝缘层图案和第一金属互连图案上形成厚度为200〜1100埃的扩散阻挡层，避免第一金属互连图案的金属材料的扩散。 在扩散阻挡层上形成层间电介质（270）。 在层间电介质上形成厚度为200〜1100埃的蚀刻停止层（272）。 在蚀刻停止层上形成第二绝缘层图案，其具有暴露蚀刻停止层的上表面的第二凹凸部分。 第二不均匀部分填充有第二金属互连图案。 扩散阻挡层或蚀刻停止层由氮氧化硅层制成。 第一和第二金属互连图案由铜制成。

公开(公告)号：KR1020060066427A

公开(公告)日：2006-06-16

申请号：KR1020040105024

申请日：2004-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선요한

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/76224

Abstract: 이미지 센서에서 누화 현상을 방지할 수 있는 소자분리막 형성 방법을 개시한다. 상기 방법에 따르면 반도체 기판 상에 에피층을 형성한다. 상기 에피층 상에 패드 산화막 및 질화막을 차례로 형성한다. 상기 질화막, 상기 패드 산화막 및 상기 에피층의 소정 부분을 차례로 식각하여 트렌치를 형성한다. 절연막을 형성하여 적어도 상기 트렌치의 측벽과 바닥을 덮는다. 빛을 반사시키는 입자가 도핑된 소자분리막을 형성하여 상기 트렌치를 채운다. 평탄화 공정을 진행하여 상기 질화막을 노출시킨다. 그리고 상기 질화막을 제거한다.
이미지 센서, 누화 현상

公开(公告)号：KR100901368B1

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：KR1020060021286

申请日：2006-03-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종진 ,  선요한 ,  오태석 ,  주성재 ,  김범석 ,  장윤호 ,  김세영 ,  육근찬

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14601 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 이미지 센서 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 이미지 센서(image sensor)는 제 1 타입(type) 반도체 층, 제 2 타입 반도체 층 및 제 1 타입 웰(well)을 구비한다. 제 1 타입(type) 반도체 층은 외부로부터 빛을 감지하여 광전하를 전기적 신호로 변환하는 픽셀(pixel)들을 구비하고, 반도체 기판 위에 형성된다. 제 2 타입 반도체 층은 드레인(drain) 전압이 인가되어 상기 제 1 타입 반도체 층과 전위를 달리한다. 제 1 타입 웰(well)은 전원전압(VDD)을 상기 드레인 전압으로 조절한다. 본 발명에 따른 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법은 DPW(Deep P-Well)을 구비하여 드레인 전압을 조절함으로써, 이미지 센서의 감도/혼색 특성을 동시에 조절할 수 있는 장점이 있다.
이미지 센서, 감도, 혼색, 크로스 토크

公开(公告)号：KR1020070064452A

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：KR1020050124917

申请日：2005-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장윤호 ,  이준택 ,  이종진 ,  김범석 ,  김세영 ,  육근찬 ,  선요한

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: An image sensor and its manufacturing method are provided to improve a photo efficiency of a photodiode by aligning the focus of light transmitted through an RGB channel on a surface of the photodiode using a microlens with an optimum focus length. An image sensor includes a semiconductor substrate, a color filter layer, and microlenses. The substrate(1) includes a blue light detecting photodiode(BPD), a green light detecting photodiode(GPD) and a red light detecting photodiode(RPD). The color filter layer(12) includes color filters capable of filtering blue light, green light and red light. The microlenses(16 to 18) are arranged corresponding to the blue, green and red light detecting photodiodes. The microlenses have different focus lengths from each other. The focus of each microlens is aligned on the blue, green and red light detecting photodiodes.

Abstract translation: 提供一种图像传感器及其制造方法，以通过使用具有最佳聚焦长度的微透镜将通过RGB通道透射的光的焦点对准在光电二极管的表面上来提高光电二极管的光效率。 图像传感器包括半导体衬底，滤色器层和微透镜。 基板（1）包括蓝光检测光电二极管（BPD），绿光检测光电二极管（GPD）和红光检测光电二极管（RPD）。 滤色器层（12）包括能够滤除蓝光，绿光和红光的滤色器。 微透镜（16至18）对应于蓝色，绿色和红色光检测光电二极管布置。 微透镜具有彼此不同的焦距。 每个微透镜的焦点对准蓝色，绿色和红色光检测光电二极管。

公开(公告)号：KR1020060131508A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：KR1020050052012

申请日：2005-06-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 알렉산더겟뜨만 ,  아사바테츠오 ,  김범석 ,  선요한 ,  김세영

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/3696

Abstract: A pixel array is provided to reduce remarkably an allocated area per each unit pixel by using a symmetrical mirror structure. A pixel array includes a plurality of unit pixels, wherein the plurality of unit pixels are arranged like a two-dimensional structure. The plurality of unit pixels of the pixel array are symmetrically arranged by using a virtual horizontal line(H/L) as a first reference. The plurality of unit pixels of the pixel array are symmetrically arranged by using a virtual vertical line(V/L) as a second reference. The virtual horizontal line penetrates a geometrical center position of the pixel array. The virtual vertical line penetrates the geometrical center position of the pixel array.

Abstract translation: 提供像素阵列以通过使用对称的镜像结构来显着地减少每个单位像素的分配面积。 像素阵列包括多个单位像素，其中多个单位像素排列成二维结构。 通过使用虚拟水平线（H / L）作为第一参考，将像素阵列的多个单位像素对称地布置。 通过使用虚拟垂直线（V / L）作为第二基准来对称地排列像素阵列的多个单位像素。 虚拟水平线穿透像素阵列的几何中心位置。 虚拟垂直线穿透像素阵列的几何中心位置。