METODO PARA PRODUCIR TRANSISTORES ORGANICOS DE EFECTO DE CAMPO.

    公开(公告)号:ES2370857T3

    公开(公告)日:2011-12-23

    申请号:ES07728760

    申请日:2007-05-03

    Abstract: Un método para producir un transistor orgánico de efecto de campo, que comprende las etapas de: a) proveer un sustrato que contiene una estructura de compuerta, un electrodo fuente y un electrodo de drenaje localizados sobre el sustrato, y b) aplicar un compuesto semiconductor orgánico tipo n al área del sustrato donde la estructura de compuerta, el electrodo fuente y el electrodo de drenaje están localizados, caracterizado porque el compuesto orgánico semiconductor de tipo n se selecciona de los compuestos de la fórmula I en donde R 1 , R 2 , R 3 and R 4 son independientemente hidrógeno, cloro o bromo, con la condición de que al menos uno de estos radicales no sea hidrógeno. Y 1 es NR a , en donde R a es hidrógeno, Y 2 es NR b , en donde R b es hidrógeno, Z 1 , Z 2 , Z 3 y Z 4 son O.

Patent Agency Ranking