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191.发明公开분지형 카본계 물질을 포함하는 전자 방출원, 이를 포함한전자 방출 소자 및 상기 전자 방출원 형성용 조성물 无效包含分支碳基材料的电子发射源，包含其的电子发射装置，用于制备电子发射源的组合物
公开(公告)号：KR1020070014748A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050069648
申请日：2005-07-29
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
Inventor： 정광석
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y40/00 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
Abstract: An electron emission source comprising a branch carbon-based material, an electron emission device comprising the same, and a composition for preparing electron emission source are provided to reduce a screening effect between electron emission sources by dispersing uniformly a carbon-based material in an electron emission site. An electron emission source includes three branches. The length of each branch is 1 to 10 micrometers. The electron emission source includes branch carbon-based material and vehicles. Angles among the three branches are 40 to 160 degrees. The sum of the angles among the three branches is 360 degrees. Two angles of the three branches are 90 degrees and the remaining angle is 180 degrees. The carbon-based material is carbon nano-tube, graphite, or diamond.
Abstract translation: 提供了包括分支碳基材料的电子发射源，包含该电子发射源的电子发射装置和用于制备电子发射源的组合物，以通过将碳基材料均匀分散在电子中来减少电子发射源之间的屏蔽效应 排放现场。 电子发射源包括三个分支。 每个分支的长度为1至10微米。 电子发射源包括分支碳基材料和车辆。 三枝之间的角度为40〜160度。 三个分支之间的角度之和为360度。 三个分支的两个角度为90度，剩余角度为180度。 碳基材料是碳纳米管，石墨或金刚石。
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公开(公告)号：KR1020070014742A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050069640
申请日：2005-07-29
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y40/00 , H01J9/025 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
Abstract: An electron emission device and a preparing method thereof are provided to improve current density and electron emission lifetime by forming a coating layer having a band gap material on an electron emission source. A first substrate(110) and a second substrate are disposed to each other. A cathode electrode(120) is formed on the first substrate. An electron emission source(160) is electrically connected with the cathode electrode formed on the substrate and includes a carbon-based material. An anode electrode(180) is formed on the second substrate. A phosphor layer(170) is used for radiating light by using electrons emitted from the electron emission source. A coating layer is formed on the electron emission source. The coating layer is formed of a band gap material.
Abstract translation: 提供电子发射器件及其制备方法，通过在电子发射源上形成具有带隙材料的涂层来改善电流密度和电子发射寿命。 第一基板（110）和第二基板彼此配置。 阴极电极（120）形成在第一基板上。 电子发射源（160）与形成在基板上的阴极电连接并且包括碳基材料。 在第二基板上形成阳极电极（180）。 荧光体层（170）用于通过使用从电子发射源发射的电子来照射光。 在电子发射源上形成涂层。 涂层由带隙材料形成。
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公开(公告)号：KR1020070014622A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020050069426
申请日：2005-07-29
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J1/30 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
Abstract: An electron emission device is provided to suppress abnormal discharge due to a high voltage of an anode electrode by forming a protective layer on edges of drive electrodes exposed to an internal vacuum space. A first substrate(2) and a second substrate(4) are disposed opposite to each other in order to form an internal vacuum space. An electron emission unit(10) is provided on the first substrate and includes electron emission units and drive electrodes(14,16,18) for controlling electron emission operations and electron beam paths of the electron emission units. An emission unit is provided on the second substrate and includes phosphor layers(24) and anode electrodes(28) formed on one side of each the phosphor layer. A protective layer(36) is formed to cover edges of the drive electrode facing the anode electrodes.
Abstract translation: 提供一种电子发射装置，通过在暴露于内部真空空间的驱动电极的边缘上形成保护层来抑制由于阳极电极的高电压引起的异常放电。 第一基板（2）和第二基板（4）彼此相对设置，以形成内部真空空间。 电子发射单元（10）设置在第一基板上，并且包括用于控制电子发射操作和电子发射单元的电子束路径的电子发射单元和驱动电极（14,16,18）。 发射单元设置在第二基板上，并且包括形成在每个荧光体层一侧的荧光体层（24）和阳极电极（28）。 形成保护层（36）以覆盖面向阳极电极的驱动电极的边缘。
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公开(公告)号：KR1020060131385A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020050051795
申请日：2005-06-16
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J1/30 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , H01J2329/4682
Abstract: An electron emission device and a method for fabricating thereof are provided to obtain initial voltage by differently forming height of an insulating layer in a sub electrode. An electron emission device comprises a cathode electrode(21), a sub electrode(22), a first insulating layer(23), a first gate electrode(24), a second insulating layer(26), a second gate electrode(27), and an electron emission unit(28). The cathode electrode is formed by depositing conductive material on a substrate(20). The sub electrode is formed as a predetermined pattern on the cathode electrode. The first insulating layer is formed having different height in the sub electrode. An insulating hole(25a) is formed to expose a portion of the cathode electrode. The first gate electrode is formed by metal material in the first insulating layer. The second insulating layer is formed by insulating material on the first gate electrode. The electron emission unit is formed in the insulating hole of the cathode electrode.
Abstract translation: 提供电子发射器件及其制造方法，以通过不同地形成子电极中绝缘层的高度来获得初始电压。 电子发射装置包括阴极电极（21），副电极（22），第一绝缘层（23），第一栅电极（24），第二绝缘层（26），第二栅电极（27） ，和电子发射单元（28）。 阴极通过在基板（20）上沉积导电材料而形成。 子电极在阴极电极上形成为预定图案。 在副电极中形成具有不同高度的第一绝缘层。 形成绝缘孔（25a）以暴露阴极电极的一部分。 第一栅电极由第一绝缘层中的金属材料形成。 第二绝缘层由第一栅电极上的绝缘材料形成。 电子发射单元形成在阴极电极的绝缘孔中。
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公开(公告)号：KR1020060113191A
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：KR1020050036113
申请日：2005-04-29
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
Inventor： 류경선
CPC classification number: H01J1/30 , H01J1/90 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
Abstract: A method for manufacturing an electron emission device is provided to increase an aspect ratio of an opening of an insulating layer by removing an undercut generated on an electrode or underneath the electrode. An insulating layer(14) and an electrode layer(16') having an opening(16a) are sequentially laminated on an upper surface of a substrate(10). An opening(14a) is formed on the insulating layer by etching a part of the insulating layer exposed by the opening. An undercut is removed from the insulating layer by performing a thermal process for the insulating layer. The thermal process is performed at Œ5% of softening temperature.
Abstract translation: 提供一种用于制造电子发射器件的方法，通过去除在电极上或电极下方产生的底切来增加绝缘层的开口的纵横比。 具有开口（16a）的绝缘层（14）和电极层（16'）依次层压在基板（10）的上表面上。 通过蚀刻由开口暴露的绝缘层的一部分，在绝缘层上形成开口（14a）。 通过对绝缘层进行热处理，从绝缘层除去底切。 热处理温度为软化温度的5％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060113187A
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：KR1020050036109
申请日：2005-04-29
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J1/30 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
Abstract: An electron emission device is provided to fix firmly a spacer on a substrate by inserting and fixing the spacer into a groove part formed on an insulating layer. A first substrate(2) and a second substrate(4) are arranged opposite to each other. A first electrode(6) and a second electrode(10) are formed on both sides of an insulating state of the first substrate. An electron emission unit(12) is connected with one of the first electrode and the second electrode. A plurality of spacers(30b) are disposed between the first substrate and the second substrate in order to maintain a gap between the first substrate and the second substrate. A plurality of groove parts(31b) are formed on the insulating layer. A part of the spacers is inserted into the groove parts.
Abstract translation: 提供电子发射装置，通过将间隔件插入和固定在形成在绝缘层上的凹槽部分中，将衬垫牢固地固定在衬底上。 第一基板（2）和第二基板（4）彼此相对布置。 第一电极（6）和第二电极（10）形成在第一基板的绝缘状态的两侧。 电子发射单元（12）与第一电极和第二电极中的一个连接。 为了保持第一基板和第二基板之间的间隙，在第一基板和第二基板之间设置多个间隔件（30b）。 在绝缘层上形成有多个槽部（31b）。 间隔件的一部分插入槽部。
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公开(公告)号：KR1020060110122A
公开(公告)日：2006-10-24
申请号：KR1020050032340
申请日：2005-04-19
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/148 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , H01J2329/4608 , H01J2329/4673
Abstract: An electron emission device and a method for manufacturing the same are provided to prevent a malfunction of an electron emission device by improving an insulating characteristic between a cathode electrode and a gate electrode. A cathode electrode(11) is formed on a substrate(10). An insulating layer(12) is formed on a substrate in order to cover the cathode electrode. A sacrificial layer is formed on the insulating layer. An opening is formed at the sacrificial layer by patterning the sacrificial layer. An opening(12a) is formed at the insulating layer by etching an exposed part of the insulating layer. The sacrificial layer is removed therefrom. An organic material is removed from a wall face of the opening of the insulating layer in order to form the wall face of the opening of the insulating layer as a smooth inclined profile. A gate electrode(14) having an opening is formed on the insulating layer.
Abstract translation: 提供一种电子发射器件及其制造方法，用于通过改善阴极电极和栅电极之间的绝缘特性来防止电子发射器件发生故障。 阴极电极（11）形成在基板（10）上。 为了覆盖阴极，在基板上形成绝缘层（12）。 在绝缘层上形成牺牲层。 通过图案化牺牲层在牺牲层处形成开口。 通过蚀刻绝缘层的暴露部分，在绝缘层处形成开口（12a）。 从中除去牺牲层。 从绝缘层开口的壁面除去有机材料，以形成绝缘层开口的壁面为平滑的倾斜轮廓。 在绝缘层上形成具有开口的栅电极（14）。
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公开(公告)号：KR1020060104699A
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020050027053
申请日：2005-03-31
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
Inventor： 류경선
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
Abstract: 본 발명은 구동 전극들간 기생 캐패시턴스를 줄이기 위하여 절연층 형상을 개선한 전자 방출 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 서로 대향하여 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극과, 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극 위에 형성되는 게이트 전극과, 캐소드 전극과 게이트 전극과의 교차 영역에서 캐소드 전극 위에 형성되는 전자 방출부와, 제2 기판에 형성되는 형광층과, 형광층의 일면에 형성되는 적어도 하나의 애노드 전극을 포함한다. 여기서, 게이트 전극은 전자 방출부에 대응하는 개구부를 구비하고, 절연층은 전자 방출부에 대응하는 제1 개구부와 교차 영역에 대응하는 제2 개구부로 이루어진 개구부를 구비한다.
전자방출부, 캐소드전극, 게이트전극, 절연층, 개구부, 캐패시턴스, 캐패시터-
公开(公告)号：KR1020060104656A
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020050026989
申请日：2005-03-31
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469
Abstract: 본 발명은 아크 방전을 억제하기 위한 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 소자는 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판에 제공되며 전자들을 방출하는 전자 방출 유닛과, 제2 기판에 제공되며 전자들에 의해 가시광을 방출하는 발광부와, 제2 기판에서 발광부와 임의 거리를 두고 이를 둘러싸도록 형성되는 전도 구배층 및 전도 구배층으로부터 제2 기판의 일측 가장자리로 인출되며 접지 전압을 인가받는 리드선을 구비하는 아킹 방지부와, 전자 방출 유닛과 발광부 및 전도 구배층을 그 내부에 두며 제1 기판과 제2 기판 사이의 가장자리에 배치되는 측벽을 포함한다. 이 때, 전도 구배층은 발광부로부터 멀어질수록 큰 두께를 가지는 도전막으로 이루어진다.
전자방출유닛, 전자방출부, 발광부, 형광층, 흑색층, 애노드전극, 전도구배층-
公开(公告)号：KR1020060029075A
公开(公告)日：2006-04-04
申请号：KR1020040078063
申请日：2004-09-30
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y40/00 , H01J9/025 , H01J2201/30453
Abstract: 본 발명은 전자방출소자용 전자방출부의 형성방법 및 이를 이용한 전자방출소자의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 전자방출소자용 전자방출부의 형성방법은 하부 구조물 상에 전자방출영역을 정의하는 희생층을 선택적으로 형성하는 단계와, 하부 구조물 상부 전체에 전자방출물질을 도포하는 단계와, 희생층을 마스크로 하여 전자방출물질을 노광하는 단계와, 제1 현상액으로 전자방출물질을 현상하는 단계와, 제2 현상액으로 희생층을 현상하는 단계를 포함하는 전자방출소자용 전자방출부의 형성방법을 제공한다.
이러한 구성에 의하여, 본 발명은 전자방출부를 형성하는 공정에서 희생층 현상시 발생하는 전자방출물질의 잔류물로 인한 전자방출부 및 전극간 전기적 단락을 방지할 수 있다.
전자방출부, 전자방출소자
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