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公开(公告)号：CN105336560A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410288346.6
申请日：2014-06-25
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J25/22 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J23/04 , H01J23/06 , H01J2201/30469
Abstract: 一种反射式速调管包括电子发射装置，电子发射装置包括：一电子发射结构和一电子反射结构相对设置，其中，该电子反射结构包括：反射极、第二栅网；该电子发射结构包括：阴极、电子引出极、电子发射体、第一栅网，其中，该电子发射体与所述阴极电连接，该电子引出极具有一通孔对应所述电子发射体，所述电子发射体包括多个子电子发射体，每个子电子发射体具有一电子发射端，每一电子发射端至电子引出极的所述通孔的侧壁的最短距离基本一致，每一电子发射端与反射极之间的距离大于等于10微米小于等于200微米，所述反射式速调管内的压强小于等于100帕。本发明还提供一种电子发射装置。
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公开(公告)号：CN102714119B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180006212.5
申请日：2011-01-20
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , H01J2329/0444 , H01J2329/0455
Abstract: 本发明为一种电子发射源用膏料，其是含有电子发射源用碳材料、磷酸系玻璃和平均粒径为0.1μm～1.0μm的导电性颗粒的电子发射源用膏料，其中，磷酸系玻璃含有25摩尔%～70摩尔%的P2O5成分，导电性颗粒为含有导电性氧化物的颗粒、或者为氧化物表面的一部分或全部涂布有导电性氧化物的颗粒。本发明提供一种电子发射源，其中，通过所述电子发射源用膏料而能够同时良好地保持电子发射源用碳材料与阴极电极基板的强粘接性和电子发射源的导电性，并且能够在低电压下发射电子。
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公开(公告)号：CN103367074B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210087168.1
申请日：2012-03-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y99/00 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/842 , Y10S977/939
Abstract: 一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列形成于一生长基底；采用一拉伸工具从所述碳纳米管阵列中选定多个碳纳米管片段拉取获得一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括一三角区碳纳米管膜，所述拉伸工具所选定的多个碳纳米管片段为该三角区碳纳米管膜的一顶部；处理所述拉伸工具所选定的碳纳米管片段，使三角区碳纳米管膜的所述顶部形成一碳纳米管线；采用激光束以三角区碳纳米管膜的所述顶部为中心，沿着三角区碳纳米管膜的切割线切断所述三角区碳纳米管膜，所述三角区碳纳米管膜的切割线至三角区碳纳米管膜的顶部的距离为10微米~5毫米，得到一扇形或三角形的碳纳米管场发射体。
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公开(公告)号：CN103107054B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310031010.7
申请日：2010-05-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J3/02
CPC classification number: H01J3/021 , H01J9/148 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2203/0204 , H01J2329/0455 , H01J2329/46
Abstract: 本发明涉及一种场发射装置，其包括：一绝缘基底；一电子引出电极，该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面；一二次电子发射层，该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面；一阴极电极，该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置，所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间，该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置，该阴极电极具有一第一开口，该第一开口定义一电子出射部；一电子发射层，该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面；一阳极电极，该阳极电极与阴极电极间隔设置，且所述阴极电极设置在电子引出电极与阳极电极之间。
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公开(公告)号：CN103730303A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210381735.4
申请日：2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J3/021 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源阵列，包括多个场发射电子源并排设置，其中，每一场发射电子源包括一碳纳米管线状结构、一绝缘层以及至少一导电环同轴设置，所述绝缘层贴附于所述碳纳米管线状结构的表面，所述至少一导电环设置于所述碳纳米管线状结构至少一端部的绝缘层外表面，所述多个场发射电子源的所述导电环彼此电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103730302A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210380870.7
申请日：2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/3042 , B82Y30/00 , B82Y99/00 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0212 , H01J2329/0455 , H01J2329/4608
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源，所述场发射电子源包括一碳纳米管线状结构、一绝缘层以及至少一导电环，其中，所述碳纳米管线状结构及绝缘层同轴设置，所述绝缘层设置于所述碳纳米管线状结构的表面，所述导电环设置于所述碳纳米管线状结构至少一端部的绝缘层外表面，所述导电环靠近碳纳米管线状结构端部的一环面与该碳纳米管线状结构的该端部平齐。
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公开(公告)号：CN102184820B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201110097647.7
申请日：2011-04-19
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/174 , C01B2202/34 , H01B1/24 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/789 , Y10S977/842 , Y10S977/901
Abstract: 本发明涉及提供一种碳纳米管浆料的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列，其生长于一基底；采用激光扫描该碳纳米管阵列使碳纳米管阵列中碳纳米管被截短并具有均匀的高度；将激光截短后的碳纳米管阵列从基底上剥离得到长度均匀的碳纳米管；将所述长度均匀的碳纳米管、无机粘结剂以及有机载体混合形成碳纳米管浆料。本发明提供的碳纳米管浆料的制备方法简单且获得的碳纳米管浆料具有较好的场发射性能。
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公开(公告)号：CN101425435B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200710124240.2
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射电子源，其包括一导电基体和一碳纳米管长线。该碳纳米管长线具有一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管长线的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管长线的第二端从导电基体向外延伸。本发明还涉及一种场发射电子源的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管长线；熔断该碳纳米管长线；将熔断后的碳纳米管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。
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公开(公告)号：CN103107054A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310031010.7
申请日：2010-05-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J3/02
CPC classification number: H01J3/021 , H01J9/148 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2203/0204 , H01J2329/0455 , H01J2329/46
Abstract: 本发明涉及一种场发射装置，其包括：一绝缘基底；一电子引出电极，该电子引出电极设置于该绝缘基底的一表面；一二次电子发射层，该二次电子发射层设置于该电子引出电极的表面；一阴极电极，该阴极电极通过一第一绝缘隔离层与该电子引出电极间隔设置，所述电子引出电极设置在阴极电极与绝缘基底之间，该阴极电极具有一表面至少部分与该电子引出电极面对设置，该阴极电极具有一第一开口，该第一开口定义一电子出射部；一电子发射层，该电子发射层设置在阴极电极面对该电子引出电极设置的部分表面；一阳极电极，该阳极电极与阴极电极间隔设置，且所述阴极电极设置在电子引出电极与阳极电极之间。
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公开(公告)号：CN102024636B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010564701.X
申请日：2010-11-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供所述电子发射体包括一碳纳米管管状结构，所述碳纳米管管状结构具有一中空的线状轴心，所述碳纳米管管状结构为多个碳纳米管围绕该中空的线状轴心组成，所述碳纳米管管状结构沿所述线状轴心的一端延伸出多个电子发射尖端。所述电子发射体可以应用到场发射电子器件、扫描电子显微镜以及透射电子显微镜中。本发明还涉及一种电子发射元件。
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