公开(公告)号：TWI478233B

公开(公告)日：2015-03-21

申请号：TW100132510

申请日：2011-09-09

Applicant: 國立高雄應用科技大學 ,  NATIONAL KAOHSIUNG UNIVERSITY OF APPLIED SCIENCES

Inventor： 陳忠男

IPC: H01L21/3065 ,  H01L27/04

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0136 ,  H05B3/141

公开(公告)号：TWI404136B

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW099111450

申请日：2010-04-13

Applicant: 國立台北科技大學 ,  NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY

Inventor： 王子建 ,  WANG, TZYY JIANN ,  鄒岳勳 ,  TSOU, YUEH HSUN

IPC: H01L21/306

CPC classification number: B81C1/00103 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00571 ,  B81C2201/0136 ,  G02B6/12007 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/1204 ,  G02B2006/12045 ,  Y10T428/24479

公开(公告)号：TW200710017A

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：TW095126735

申请日：2006-07-21

Applicant: 高通微機電系統科技公司 QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC

Inventor： 照夫川 SASAGAWA, TERUO ,  克萊恩司 裘伊 CHUI, CLARENCE ,  曼尼須 克司里 KOTHARI, MANISH ,  蘇亞 帕克席 甘堤 GANTI, SURYA PRAKASH ,  傑佛瑞B 森派薩爾 SAMPSELL, JEFFREY B.

IPC: B81B ,  G02F

CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0136 ,  G02B6/3584 ,  G02B26/001

Abstract: 本發明揭示一種具有支撐結構之微機電系統裝置,該等支撐結構由使用一摻雜劑材料而選擇性地擴散之犧牲材料所形成,或由一經選擇性地氧化之金屬犧牲材料所形成。該微機電系統裝置包括一基板,該基板具有一形成於其上之電極。另一電極係由一空腔而與該第一電極隔開且形成一可移動層,其係由以一經擴散或經氧化之犧牲材料形成之支撐結構所支撐。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种具有支撑结构之微机电系统设备,该等支撑结构由使用一掺杂剂材料而选择性地扩散之牺牲材料所形成,或由一经选择性地氧化之金属牺牲材料所形成。该微机电系统设备包括一基板,该基板具有一形成于其上之电极。另一电极系由一空腔而与该第一电极隔开且形成一可移动层,其系由以一经扩散或经氧化之牺牲材料形成之支撑结构所支撑。

公开(公告)号：TW393735B

公开(公告)日：2000-06-11

申请号：TW087102543

申请日：1998-02-23

Applicant: 麥克那英特曼特有限公司

Inventor： 剛特.伊格爾 ,  馬丁.麥爾

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2203/0136 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/0173

Abstract: 一種由一本體（１）產生空間圖樣化構件（１０）之方法，在本體（１）背面設具有孔（９）之阻礙層（８）以阻礙本體材料之移除，且澱積可移植材料區（５）。本體（１）受到熱移植處理以形成移植區（７）。之後，在單一材料移除步驟下，構件（１０）由本體（１）分開，移植區（７）露出。

Abstract in simplified Chinese: 一种由一本体（１）产生空间图样化构件（１０）之方法，在本体（１）背面设具有孔（９）之阻碍层（８）以阻碍本体材料之移除，且淀积可移植材料区（５）。本体（１）受到热移植处理以形成移植区（７）。之后，在单一材料移除步骤下，构件（１０）由本体（１）分开，移植区（７）露出。