中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

204 records (took 0.058 seconds)

    用于制造半导体构件的方法以及半导体构件
    1.
    发明授权
    用于制造半导体构件的方法以及半导体构件 失效 复审申请

    公开(公告)号：CN1564780B

    公开(公告)日：2010-12-08

    申请号：CN02819846.8

    申请日：2002-07-25

    Applicant: 罗伯特-博希股份公司

    Inventor： H·本泽尔 ,  H·韦伯 ,  H·阿特曼恩 ,  T·帕内克 ,  F·沙弗

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042

    Abstract: 本发明涉及一种制造一个具有一个半导体载体(1)的半导体构件的方法，其中为形成无支撑式的用于一个构件的结构(3)而制造了一个平面的多孔的薄膜层(3)和一个在该多孔的薄膜层(3)之下的凹槽(2)。本发明的任务是避免在制造时或者在有规则地出现的使用情况下发生薄膜损坏。所述任务可以通过不同的方式措施来解决。在第一种解决方案中半导体载体(1)在形成薄膜的部位中与凹槽相比获得不同种类和程度的掺杂，因而可以制成不同的孔隙尺寸和/或孔隙率，这在产生凹槽时可以用来改善腐蚀气体的运输。然而该任务也可以在形成薄膜的部位中产生中孔隙，而在以后形成凹槽的部位中产生纳米孔隙来作为辅助结构。此外还建议了一个基于一种或多种所述方法的半导体构件。

    微机械半导体装置及制造微机械半导体装置的方法
    2.
    发明公开
    微机械半导体装置及制造微机械半导体装置的方法 无效

    公开(公告)号：CN1243576A

    公开(公告)日：2000-02-02

    申请号：CN98801650.8

    申请日：1998-01-05

    Applicant: 西门子公司

    Inventor： K·米勒 ,  S·科尔布

    IPC: G01P15/08

    CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0136 ,  G01P15/0802

    Abstract: 本发明涉及具有在一个空腔(9)内构成一个膜片(7)的一种微机械半导体装置。膜片(7)是由在半导体装置上的一个基片(1)内的或在一个基片(1)上安排的外延层序列内的一个结晶层构成的。膜片(7)的边缘区域是支撑在一个支柱(6)上的,和由支撑在一个支座(5)上的一个盖层(4)覆盖着的。支柱(6)和支座(5)为一方面和膜片(7)为另一方面,是用对一种预先规定的湿法化学腐蚀剂有不同的腐蚀速率的材料制造的,并且最好是用不同的掺杂材料构成的。

    Method for manufacturing mems/nems electromechanical component
    6.
    发明专利
    Method for manufacturing mems/nems electromechanical component 审中-公开
    制造MEMS / NEMS电子元件的方法

    公开(公告)号：JP2010012594A

    公开(公告)日：2010-01-21

    申请号：JP2009147930

    申请日：2009-06-22

    Applicant: Commissariat A L'energie Atomique ,  コミサリア ア レネルジィ アトミークCommissariat A L’Energie Atomique

    Inventor： PERRUCHOT FRANCOIS ,  DIEM BERNARD ,  LARREY VINCENT ,  CLAVELIER LAURENT ,  DEFAY EMMANUEL

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00507 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/0177 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/175 ,  H03H9/2436 ,  Y10S438/933

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an electromechanical device, including at least one active element, on at least one substrate.
    SOLUTION: The method includes a step for manufacturing a heterogeneous substrate including a first part 1, an interface layer 8, and a second part 9. The first part 1 includes a buried zone 3
    1 formed in a first monocrystalline material and the buried zone is formed of a second monocrystalline material 3 so as to make the buried zone selectively corrosive through an opening 20 connecting between the surface 1" and the buried zone, and a trench 26 connecting between the buried zone and the interface layer 8. The method further includes a step for forming at least one cavity 14 by etching at least a part of the buried zone 3
    1 .
    COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在至少一个基板上制造包括至少一个有源元件的机电装置的方法。 解决方案：该方法包括用于制造包括第一部分1，界面层8和第二部分9的异质衬底的步骤。第一部分1包括形成的掩埋区域3 1 在第一单晶材料中，并且所述掩埋区由第二单晶材料3形成，以便通过连接在所述表面1“和所述掩埋区之间的开口20使所述掩埋区选择性腐蚀，以及连接在所述掩埋区之间的沟槽26 该方法还包括通过蚀刻掩埋区域3的至少一部分来形成至少一个空腔14的步骤。版权所有：（C）2010，JPO和INPIT

    MICROMECHANICAL COMPONENT AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD
    9.
    发明申请
    MICROMECHANICAL COMPONENT AND CORRESPONDING PRODUCTION METHOD 审中-公开
    微机械结构及相应方法

    公开(公告)号：WO02036484A1

    公开(公告)日：2002-05-10

    申请号：PCT/DE2001/003839

    申请日：2001-10-06

    IPC: G01P15/125 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

    CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/036 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2203/0136

    Abstract: The invention relates to the production of a micromechanical component, comprising a substrate (10), made from a substrate material with a first doping type (p), a micromechanical functional structure arranged in the substrate (10) and a cover layer for the at least partial covering of the micromechanical functional structure. The micromechanical functional structure comprises regions (15; 15a; 15b; 15c; 730; 740; 830) made from the substrate material with a second doping type (n), at least partially surrounded by a cavity (50; 50a-f) and the cover layer comprises a porous layer (30) made from the substrate material.

    Abstract translation: 本发明提供具有与第一掺杂型（p）制成的基质材料构成的基板（10）上的微机械部件; 一个在设置于微机械功能结构的衬底（10）; 和用于至少部分地覆盖所述微机械功能结构的盖。 微机械功能结构包括区域（15; 830 15A; 15B; 15C; 730; 740），其通过一腔体（50; 50A-f）至少部分地用第二掺杂类型（n）的衬底材料的被包围，并且 覆盖层具有在基板材料的多孔层（30）。

    반도체 소자 제조 방법 및 반도체 소자
    10.
    发明公开
    반도체 소자 제조 방법 및 반도체 소자 有权
    반도체소자제조방법및반도체자

    公开(公告)号：KR1020040017852A

    公开(公告)日：2004-02-27

    申请号：KR1020047001817

    申请日：2002-07-25

    Applicant: 로베르트 보쉬 게엠베하

    Inventor： 벤첼후베르트 ,  베버헤리베르트 ,  아트만한스 ,  판넥토어스텐 ,  샤퍼프랑크

    IPC: H01L29/78

    CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2201/0136 ,  G01L9/0042 ,  H01L21/02203

    Abstract: In a method for manufacturing a semiconductor component having a semiconductor substrate, a flat, porous diaphragm layer and a cavity underneath the porous diaphragm layer are produced to form unsupported structures for a component. In a first approach, the semiconductor substrate may receive a doping in the diaphragm region that is different from that of the cavity. This permits different pore sizes and/or porosities to be produced, which is used in producing the cavity for improved etching gas transport. Also, mesopores may be produced in the diaphragm region and nanopores may be produced as an auxiliary structure in what is to become the cavity region.

    Abstract translation: 在用于制造具有半导体衬底的半导体部件的方法中，制造多孔隔膜层下面的平坦的多孔隔膜层和空腔以形成用于部件的无支撑结构。 在第一种方法中，半导体衬底可以在隔膜区域中接收不同于空腔的掺杂。 这允许产生不同的孔尺寸和/或孔隙率，其被用于生产用于改善蚀刻气体输送的空腔。 而且，可以在隔膜区域中产生中孔，并且可以在将成为空腔区域的情况下将纳米孔作为辅助结构产生。

Patent Agency Ranking