隧道磁阻效应元件、磁存储器、内置型存储器及制作隧道磁阻效应元件的方法

    公开(公告)号:CN111226324B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN201780095962.1

    申请日:2017-10-16

    Inventor: 佐佐木智生

    Abstract: 本发明提供一种TMR元件,该TMR元件(1)具备磁隧道接合元件部(2)和设置于磁隧道接合元件部的侧面且含有绝缘材料的侧壁部(17),磁隧道接合元件部具有:参照层(3)、磁化自由层(7)、在层叠方向上层叠于参照层和磁化自由层之间的隧道势垒层(5)、以及层叠于磁化自由层的与隧道势垒层侧相反侧的盖层(9),侧壁部含有绝缘材料,具有覆盖磁隧道接合元件部的参照层、隧道势垒层、磁化自由层、及盖层中的至少一个侧面的第一区域(R1),第一区域含有构成磁隧道接合元件部的参照层,隧道势垒层,磁化自由层,及盖层中的至少一个层的元素(除氧以外)中的至少一种作为含有元素。

    天线
    213.
    发明授权
    天线 有权

    公开(公告)号:CN113036434B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202011549586.9

    申请日:2020-12-24

    Abstract: 本发明提供在动作频带中隔离特性良好的天线。天线(100)具备:电介质层,其层叠配置有第一平面和第二平面;环状的环状导体层(13),其形成于第一平面;第一供电线路(14)和第二供电线路(16),其从第二平面观察处于第一平面侧,并且形成于与第一平面和第二平面不同的位置;基准电位导体层(18),其形成于第二平面;以及导体销(19),其从层叠方向俯视时位于环状导体层(13)的内径内,连接于基准电位导体层(18)。从层叠方向俯视时,第一供电线路(14)和第二供电线路(16)具有与环状导体层(13)重叠的部分,第一供电线路(14)的延伸方向与第二供电线路(16)的延伸方向交叉。环状导体层(13)不与基准电位导体层(18)和导体销(19)连接,第一供电线路(14)和第二供电线路(16)不与导体销(19)连接。

    磁性体芯和磁性部件
    214.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116631719A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310117279.0

    申请日:2023-02-15

    Abstract: 磁性体芯含有金属磁性粉和树脂,金属磁性粉的含有比例满足60%≤(A1/A2)≤90%。金属磁性粉包含在磁性体芯的截面上的黑乌德直径为1μm以下的小颗粒和5μm以上且小于40μm的大颗粒。与小颗粒的边缘间距离相关的(L1av/dav)×100为5以上且70以下。另外,将大颗粒与小颗粒的边缘间距离设为L2、将L2的平均值设为L2av、将L2的标准偏差设为σ,L2av为0.02μm以上且0.13μm以下,σ为0.25μm以下。

    线圈部件
    215.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113035498B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202011536231.6

    申请日:2020-12-23

    Abstract: 本发明的线圈部件中,在素体截面中,非磁性部在第一线圈和第二线圈之间通过。因此,在第一线圈和第二线圈之间,沿着第一线圈的磁芯和第二线圈的磁芯的方向的磁通量受到非磁性部的阻碍。从而,第一线圈的磁通量和第二线圈的磁通量难以相互干扰。

    高电压贯通型电容器
    216.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116612982A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202211422950.4

    申请日:2022-11-15

    Abstract: 本发明提供一种高电压贯通型电容器,其在素体上形成有在相互对置的第一主面和第二主面上开口的贯通孔。贯通导体具有位于贯通孔内的第一部分和从第二主面突出的第二部分。绝缘壳以包围素体的方式配置。绝缘罩以包围第二部分的方式配置。绝缘管覆盖第一部分。树脂以到达素体的内表面和绝缘管之间的空间的方式填充于绝缘罩的内侧。绝缘管的电阻率为树脂的电阻率以上。

    磁阵列、磁阵列的控制方法和磁阵列的控制程序

    公开(公告)号:CN116602074A

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202180084198.4

    申请日:2021-01-12

    Abstract: 该磁阵列具有多个磁阻效应元件和对所述多个磁阻效应元件分别施加脉冲的脉冲施加装置,所述多个磁阻效应元件分别具有磁畴壁移动层、铁磁性层和夹在所述磁畴壁移动层与所述铁磁性层之间的非磁性层,所述脉冲施加装置构成为能够对所述多个磁阻效应元件分别施加初始化脉冲和动作脉冲,所述初始化脉冲具有通过多次施加而使所述多个磁阻效应元件的电阻值的分布从初始分布扩展的第1脉冲,所述第1脉冲各自的电压比所述动作脉冲的电压小,或者所述第1脉冲各自的脉冲长度比所述动作脉冲的脉冲长度短。

    超声波接合头、超声波接合装置及超声波接合方法

    公开(公告)号:CN110660692B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN201910573891.2

    申请日:2019-06-28

    Abstract: 本发明提供实现装置的小型化并可进行良好的超声波接合的超声波接合头、超声波接合装置及超声波接合方法。超声波接合头(40)具有:振子单元(50),在长边轴的前端侧形成有被推到应接合的接合预定部分的按压部(52a);保持部(60),以沿着长边轴振子单元的前端成为自由端的方式,沿着振子单元的长边轴以悬臂梁状保持基端侧;加压轴(80),以振子单元沿着与长边轴大致垂直的垂直轴移动的方式与保持部(62)连结,传递将按压部(52a)压附到接合预定部的力。在保持部(60)具备在处于从保持部保持振子单元的主保持位置沿着长边轴(X)朝向振子单元的自由端的中途的反作用力分散位置上与振子单元抵接的抑制部(90)。

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