公开(公告)号：KR1019980047253A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960065729

申请日：1996-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 백종태 ,  강승열

IPC: H01L21/28

Abstract: 100℃ 이하의 저온에서 반응 생성물인 CuCl
x 가 퇴적되고, 100℃ 이상의 온도에서는 감광막이 손상되는 문제가 발생되므로 사실상 구리의 식각이 불가능 하였던 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 구리 식각 마스크로 사용하는 감광막의 표면층을 화학적 물리적 방법으로 처리하여 감광막의 하부층은 당초 감광막의 특성을 유지시키고, 표면의 얇은 층을 식각용 마스크 특성이 우수하도록 변화시킴으로써 이중 층의 식각 마스크를 형성시키고, 이중 층을 구리 식각용 마스크로 사용하여 구리를 식각함으로써 구리 배선막을 용이하게 형성할 수 있도록 한 구리 배선막 형성 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR1019980046161A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960064454

申请日：1996-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강승열 ,  장원익 ,  백종태

IPC: H01L21/316

Abstract: 본 발명은 0.18 um급 이상의 디자인 룰을 갖는 차세대 반도체 소자에 적용할 수 있는 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 낮은 온도에서 양질의 게이트 산화막을 형성하는 방법이다. 불소기를 포함하는 가스를 이용하여 게이트 영역의 자연산화막을 제거하고 동시에 불소에 의한 표면 처리효과를 이용하는 것으로 이로 인해 다음의 플라즈마 산화공정에 의한 산화막의 계면특성을 우수하게 하고 산화막의 성장속도를 쉽게 조절할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980025934A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960044252

申请日：1996-10-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강승열 ,  김윤태 ,  장원익 ,  백종태

IPC: H01L21/318

Abstract: 저유전체 SiOxFy 박막의 흡습성 문제를 해결하기 위한 목적으로 배선 금속막 패턴이 형성된 반도체 기판에 SiOF 박막을 증착하고, 급속 열질화 방법으로 SiOxFy 상부에 절연막으로 질화 실리콘 산화막을 얇은 두께로 형성함으로써, 저유전율 특성을 유지시키면서 고신뢰성 특성을 함께 가질 수 있도록 한 절연막 형성 방법이 개시된다.

公开(公告)号：KR1019970023838A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950038771

申请日：1995-10-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 장원익 ,  강승열 ,  유병곤 ,  백종태

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 자연산화막 제거를 수반한 저유전율 SiOxFy박막형성 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명은 저유전율 SiOxFy박막형성장치는 마이크로 웨이브 공급부, 플라즈마 발생부, 반응부, 웨이퍼 이송부, 및 제어부를 포함하며, 본 발명의 저유전율 SiOxFy박막형성방법은 전기한 SiOxFy박막형성장치를 사용하여, SiF
4 /O
2 /Ar의 혼합가스의 플라즈마를 실리콘 웨이퍼 상에 반응시켜 실리콘 웨이퍼에 형성된 40내지 50Å의 자연산화막 중 30내지 40Å의 준산화막영역을 식각하는 공정; 및, 전기한 식각공정에서 사용된 혼합가스와 동일한 SiF
4 /O
2 /Ar혼합가스의 플라즈마를 전기 공정에서 식각이 이루어진 실리콘 웨이퍼 상에 반응시켜 실리콘 계면에서 6 내지 10Å 이내의 단층에 위치한 Si
+1 와 Si
+2 활성종과 기상 F원자 및 O원자의 반응에 의해 SiOxFy박막을 증착시키는 공정을 포함한다.
본 발명의 박막형성공정 및 박막형성장치틀 사용할 경우 자연산화막의 식각공정과 SiOxFy박막의 증착공정을 동일한 반응실 내에서 순차적으로 수행하여 단시간에 경제적으로 고품질의 저유전율 SiOxFy 박막을 형성할 수 있다는 것이 확인되었다.