公开(公告)号：KR100258173B1

公开(公告)日：2000-06-01

申请号：KR1019970034952

申请日：1997-07-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍윤식 ,  이종현 ,  이창승 ,  김수현 ,  백종태 ,  유형준

IPC: G01C19/56

Abstract: PURPOSE: A micro-gyroscope is provided to ensure detection electrodes easy in formation and excellent in sensitivity by using a micro-bridge stationary wave capable of being manufactured by micro-machining. CONSTITUTION: An anchor(17) is placed at both ends of a silicon beam(11) for fixing the beam(11). The first pseudo-vibration electrode(12) is positioned the upper center of the silicon beam(11). The second and third pseudo-vibration electrodes(15,16) are positioned at both ends of the silicon beam(11). The first and second detection electrodes(13,14) are positioned at inflection points of the first vibration mode due to the bending of the silicon beam(11). When the silicon beam(11) is resonated along the direction(A) perpendicular to the plane defined by the silicon beam(11) and a resonance mode is deformed by the Coriolis' force generated by a rotative angular velocity(B) perpendicular to the longitudinal direction and the vibration direction(B) of the silicon beam(11), the detection electrodes(13,14) detect the magnitude of the deformation.

Abstract translation: 目的：提供一种微型陀螺仪，通过使用能够通过微加工制造的微桥静止波，确保检测电极形成容易，灵敏度高。 构成：锚固件（17）被放置在用于固定梁（11）的硅梁（11）的两端。 第一伪振动电极（12）位于硅光束（11）的上部中心。 第二和第三伪振动电极（15,16）位于硅光束（11）的两端。 第一和第二检测电极（13,14）由于硅梁（11）的弯曲而位于第一振动模式的拐点处。 当硅光束（11）沿与垂直于由硅光束（11）限定的平面垂直的方向（A）共振时，共振模式由垂直于...的旋转角速度（B）产生的科里奥利力变形 长度方向和硅梁（11）的振动方向（B），检测电极（13,14）检测变形的大小。

公开(公告)号：KR100249790B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019970070302

申请日：1997-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  장원익 ,  최창억 ,  백종태 ,  김보우

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 진공 밀봉이 요구되는 멤즈 소자의 형성시, 웨이퍼위에 형성된 모든 소자를 한꺼번에 진공 밀봉하고 또한 진공 성능을 높일 수 있는 진공 밀봉 방법을 사용하는 멤즈 소자의 제조 방법을 제공한다.
SOI 하부 실리콘(21)상에 절연 산화막(22)과 상부 실리콘(23)을 증착하고, 상부 실리콘 및 절연 산화막을 식각하여 트랜치(27)를 형성하는 것에 의해 가동 구조체(24)와 실리콘 전극(25)을 형성하여 멤즈소자의 영역을 정의하고, 실리콘 전극(25)상에 절연막(32)과 완충막(33)을 개재한 금속배선(34)을 형성한 후, 가동 구조체(24)의 영역을 제외한 전 표면상에 평탄화된 접착용 산화막(35)을 형성하고, 가동구조체(24)의 하부의 절연 산화막(22)과 실리콘 전극(25)측면의 트랜치 내부의 절연막(32)을 제거하여 멤즈소자 구조체을 정의한 후, 진공상태에서 유리기판(38)을 접착용 산화막(35)에 진공상태에서 접착하여 가동구조체(24) 및 실리콘 전극(25)이 진공상태에 있는 멤즈소자를 제조한다.

公开(公告)号：KR100236934B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019970049653

申请日：1997-09-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이종현 ,  최창억 ,  이용일 ,  백종태 ,  유형준 ,  장원익

IPC: H01L29/82

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
멤즈 소자의 형성 방법.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
진공 밀봉이 요구되는 멤즈 소자의 형성시, 웨이퍼 위에 형성된 모든 소자를 한꺼번에 진공 밀봉하고 또한 진공 성능을 높일 수 있는 진공 밀봉 방법을 사용하여 제조된 멤즈 소자의 형성 방법을 제공하고자 함을 그 목적으로 한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
하부 기판 상에 절연막, 상부 기판을 형성한후, 상기 상부 기판 및 절연막의 선택적 식각으로 상기 하부 기판을 다수군데 노출시키는 단계; 상기 노출된 하부 기판을 메우는 희생막 패턴을 형성하되, 적어도 상기 노출된 하부 기판중 두군데를 연결하여 이루어지는 희생막 패턴을 형성하는 단계; 상기 희생막 패턴 상부에 제1밀봉 박막을 형성하는 단계; 상기 제1밀봉 박막에 상기 희생부 패턴의 끝부분과, 상기 상부 기판을 노출시키는 다수의 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통하여 상기 희생막 패턴을 완전히 제거하는 단계; 및 상기 콘택홀 및 제1밀봉 박막을 덮는 제2밀봉 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

公开(公告)号：KR1019990050454A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970069573

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전치훈 ,  김윤태 ,  백종태 ,  신현국

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 종래의 알루미늄계 반도체 배선에 비해 비저항 및 전자이주(EM: electromigration) 특성면에서 우수한 구리 배선박막을 화학증착법(CVD: chemical vapor deposition)으로 형성시 발생되는 제반 문제점들을 해결하기 위한 것이다.
발명은 구리전구체로서 β-diketonate계 (hfac)CuL 구리화합물에서 리간드 L로써 1-pentene(C
5 H
10 )을 사용하여 구리-리간드(Cu-L)를 약하게 결합시킴으로써 증기압을 높여 박막 증착율을 향상시킬 수 있도록 새롭게 합성한 (hfac)Cu(1-pentene) [1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedionato(1-pentene)copper(I): C
10 H
11 CuF
6 O
2 ] 화합물을 사용하였다. 이때 (hfac)Cu(1-pentene)에 1-pentene을 첨가한 혼합용액을 구리 증착반응의 전구체로서 사용함으로써 Cu(I)계 액체 전구체의 열적 안정성 문제를 해결하였다. 이와같이 (hfac)Cu(1-pentene) 또는 (hfac)Cu(1-pentene)+(1-pentene) 혼합용액을 구리원으로써 증발시켜 일정온도, 일정압력으로 유지된 화학증착 반응로에 도입함으로써 열에너지에 의한 구리원-기판간 증착반응에 의해 전도체, 절연체, 반도체 기판상에 벌크치에 가까운 낮은 전기비저항과 결정배향성을 갖는 고순도의 구리박막을 높은 증착율로 재현성있게 형성할 수 있다. 따라서 본 발명에 의한 구리 화학증착법을 사용하여 물리, 화학적으로 우수한 특성을 가져 반도체 배선공정에 적합한 구리박막을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR100159199B1

公开(公告)日：1999-05-01

申请号：KR1019950042594

申请日：1995-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이춘수 ,  백종태 ,  조문호 ,  박형호

IPC: G01N1/28

Abstract: 본 발명은 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 X-선 회절분석용 시료를 대기로부터 밀폐하여 고정밀도로 X-선 회절분석을 수행할 수 있는 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대에 관한 것이다.
본 발명의 X-선 회절분석용 밀폐형 시료지지대는 일면은 개방되고 타면에는 시료지지부(22)가 형성된 시료창(21)이 상부 중앙에 형성되어 시료를 지지하기 위한 시료지지판(20); 반원통체의 외주면 중앙부에 차단막 지지대(33)의 좌우로 띠 형태의 전면 창(31)이 절개형성되고 전기한 전면창(31)은 차단막(32)으로 차단되며, 전기한 반원통체의 평면 중앙부에는 관통구가(34)가 형성되어 전기한 시료지지판(20)상의 시료를 외부 대기로부터 밀폐하기 위한 시료지지판 덮개(30); 및, 전기한 시료지지판(20)에 덮개(30)를 고정하기 위한 고정수단(40)으로 구성된다.

公开(公告)号：KR100174878B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019950042072

申请日：1995-11-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김윤태 ,  전치훈 ,  백종태

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L21/76856 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855

Abstract: 본 발명은 확산 장벽층 형성방법에 관한 것으로서, 소정 도전형의 확산영역이 형성된 실리콘기판 상에 상기 확산영역을 노출시키는 개구를 갖는 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막의 표면 및 측면과 상기 확산영역의 상부에 고융점 금속을 증착하여 금속막을 형성하는 공정과, 상기 금속층을 질소 또는 암모니아 분위기에서 제1 및 제2 급속 열처리 단계로 저저항층과 확산 장벽층을 형성하는 공정을 구비한다.
따라서, 저저항층을 얇게 하면서 확산 방지층을 두껍게 형성할 수 있어 확산 방지 특성을 향상시키면서 반도체기판과의 계면에서 스트레스를 감소시킬 수 있으며, 또한, 실리콘기판과 저저항층의 계면을 균일하게 하고 저저항층의 부피 변화를 감소시켜 접합 누설이 발생되는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100160916B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950053654

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유병곤 ,  장원익 ,  강승열 ,  김광호 ,  백종태

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 저유전율 박막 제조방법에 관한것으로, 불소계 원료개스를 사용하여 저유전율을 갖는 SiOF 저유전율 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 상기 본 발명은 RPCVD 장치의 반응로에 반도체기판을 실장하고 불소의 원료개스로서 SF
6 + N
2 O 혼합 개스 또는 SF
6 + O
2 혼합 개스를 주입하고 산화 실리콘(SiO)의 원료개스 로서 SiH
2 개스 또는 TEOS(OC
2 H
5 )
4 를 주입하여 반도체기판상에 SiOF 저유전율 박막을 형성함을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100139726B1

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019940033481

申请日：1994-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박형호 ,  조경익 ,  김경수 ,  이춘수 ,  백종태

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 시료의 표면분석 장비에 관한 것으로 구체적으로는 건식 세정된 시료를 오염없이 표면 분석 장비내로 이송하기 위한 시료 이송장치에 관한 것이다. 종래의 세정 방법중 습식세정 방법은 화학약품의 사용으로 인해 위험도 및 금속오염의 증가를 유발한다는 문제점이 있었다. 이를 대체하기 위한 건식 세정 방법은 세정후 공기노출에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하는 것이 관건이었다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 건식세정후 웨이퍼의 공기노출에 의한 오염 가능성을 배제하는 (시료 장입수단과, 기밀유지수단, 진공수단을 구비한 시료이송장치를 형성하여) 세정분위기(cleaning gas atmosphere) 또는 불활성 가스 분위기(inert gas atmosphere) 하에서 YPS나 AES등의 고진공 분석장비로 시료를 이송할 수 있도록 하여 건식 세정 공정의 진성기구(intrinsic mechanism)연구가 가능할 수 있도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1019980022353A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019960041474

申请日：1996-09-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정회환 ,  이종현 ,  이창승 ,  백종태 ,  유형준

IPC: H01L21/20

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 집적회로 제작 공정을 기반으로 한 표면 마이크로 머시닝 기술.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
희생층을 사용한 미소구조체를 제조할시, 희생산화막 제거로 인해 나타나는 미소구조체의 고착 현상을 방지하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
희생층을 폴리실리콘막 상에 형성하고 희생층을 증기상 식각 방법으로 제거하여, 잔류물의 발생을 방지하는 동시에 희생층 제거로 인한 공간에 상부 구조체가 침몰하여 발생되는 고착현상을 방지한다.
4. 발명의 중요한 용도
MEMS(micro electro mechanical system) 제작

公开(公告)号：KR1019970052592A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950050524

申请日：1995-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이진구 ,  윤형진 ,  이응호 ,  정철환 ,  정병훈 ,  백종태 ,  유형준

IPC: H01L21/302