이종접합 트랜지스터의 표면보호막 형성방법
    212.
    发明授权
    이종접합 트랜지스터의 표면보호막 형성방법 失效
    用于形成异质结晶体管的表面保护膜的方法

    公开(公告)号:KR1019930009551B1

    公开(公告)日:1993-10-06

    申请号:KR1019900021808

    申请日:1990-12-26

    Abstract: A passivation layer of hetero-barrier transistor for reducing surface leak current of a semiconductor device, is prepared by (1) forming a sulfur passivation layer with ammonium sulfide ?(NH4)2Sx(x=0.2-2.0)? on the barrier transistor, (2) forming a aluminum arsenide layer(9) and an insulation gallium arsenide layer(10) on the passivation layer by MBE (molecular beam epitaxy) under room temperature and low temperature. It is also used for passivation layer of MESFET, HEMF and laser diode.

    Abstract translation: 用于减少半导体器件的表面漏电流的异质阻挡晶体管的钝化层是通过以下步骤制备的:(1)用硫化铵β(NH4)2Sx(x = 0.2-2.0) 在阻挡晶体管上,(2)在室温和低温下通过MBE(分子束外延)在钝化层上形成砷化铝层(9)和绝缘砷化镓层(10)。 它也用于MESFET,HEMF和激光二极管的钝化层。

    슬립방지용 동기신호 및 클럭 공급장치
    213.
    发明公开
    슬립방지용 동기신호 및 클럭 공급장치 失效
    同步信号和时钟提供睡眠预防

    公开(公告)号:KR1019930015534A

    公开(公告)日:1993-07-24

    申请号:KR1019910022459

    申请日:1991-12-07

    Abstract: 본 발명은 전자교환기의 망동기에 관한 것으로서 특히 동기신호 및 클럭공급장치에 관한 것이다.
    본 발명은 시스템내의 클럭 주파수를 달리 사용하는 장치등에 대한 동기장치로 사용될 수 있으며, 전전자 교환기의 스페이스 스위치 장치와 하이웨이 데이타 장치에 대한 동기 장치로 사용될 수 있는 효과가 있다.

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