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公开(公告)号:KR1019930009551B1
公开(公告)日:1993-10-06
申请号:KR1019900021808
申请日:1990-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: A passivation layer of hetero-barrier transistor for reducing surface leak current of a semiconductor device, is prepared by (1) forming a sulfur passivation layer with ammonium sulfide ?(NH4)2Sx(x=0.2-2.0)? on the barrier transistor, (2) forming a aluminum arsenide layer(9) and an insulation gallium arsenide layer(10) on the passivation layer by MBE (molecular beam epitaxy) under room temperature and low temperature. It is also used for passivation layer of MESFET, HEMF and laser diode.
Abstract translation: 用于减少半导体器件的表面漏电流的异质阻挡晶体管的钝化层是通过以下步骤制备的:(1)用硫化铵β(NH4)2Sx(x = 0.2-2.0) 在阻挡晶体管上,(2)在室温和低温下通过MBE(分子束外延)在钝化层上形成砷化铝层(9)和绝缘砷化镓层(10)。 它也用于MESFET,HEMF和激光二极管的钝化层。
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公开(公告)号:KR1019930015534A
公开(公告)日:1993-07-24
申请号:KR1019910022459
申请日:1991-12-07
IPC: H04M3/02
Abstract: 본 발명은 전자교환기의 망동기에 관한 것으로서 특히 동기신호 및 클럭공급장치에 관한 것이다.
본 발명은 시스템내의 클럭 주파수를 달리 사용하는 장치등에 대한 동기장치로 사용될 수 있으며, 전전자 교환기의 스페이스 스위치 장치와 하이웨이 데이타 장치에 대한 동기 장치로 사용될 수 있는 효과가 있다.
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