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公开(公告)号：CN102124536A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980132525.8
申请日：2009-08-20
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/123 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , Y10T29/49885
Abstract: 本发明涉及制造用于场发射装置的阴极组合件的方法。
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公开(公告)号：CN102124535A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980131995.2
申请日：2009-08-20
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/123 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , Y10T29/49885
Abstract: 本发明涉及制造用于场发射装置的阴极组合件的方法。
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公开(公告)号：CN101959897A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106573.X
申请日：2009-02-13
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: C07F17/00 , C23C12/00 , C23C16/455 , C23C16/40
CPC classification number: H01J29/86 , C07F17/00 , C23C16/405 , C23C16/409 , C23C16/45553 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 在基底上形成含钛层的方法，该方法至少包括下述步骤：a)提供蒸气，其包含至少一种式Ti(Me5Cp)(OR)3(I)的前体化合物，其中R选自由甲基、乙基、异丙基组成的组；或至少一种式Ti(R1Cp)(OR2)3(II)的前体化合物，其中R1选自由H、甲基、乙基、异丙基组成的组，且R2独立地选自由甲基、乙基、异丙基或叔丁基组成的组；b)根据原子层沉积法，使所述包含所述至少一种式(I)或(II)的化合物的蒸气与基底反应，以在所述基底的至少一个表面上形成含钽的络合物层。
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公开(公告)号：CN101939811A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200880126426.4
申请日：2008-12-19
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01B1/24 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明公开了用于改善电子场发射体的发射的新型感光组合物。这些组合物由碳纳米管和金属树脂酸盐构成。
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公开(公告)号：CN101425439B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710124244.0
申请日：2007-11-02
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管长线；加热该碳纳米管长线；提供一电子发射源，使用该电子发射源轰击该碳纳米管长线，使该碳纳米管长线在被轰击处熔断；将熔断后的碳纳米管长线设置于导电基体上即得到场发射电子源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1988100B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200510121025.8
申请日：2005-12-20
Applicant: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
Inventor： 董才士
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极的制备方法，该方法包括下列步骤：提供一基板，在该基板上沉积一金属层；利用一模板在金属层表面压印形成多个凹槽；对金属层表面进行氧化处理，形成一金属氧化物层；去除多个凹槽底部的金属氧化物层；在凹槽底部设置一层金属盐溶液；在凹槽底部生长碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1998061B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN03820815.6
申请日：2003-07-02
Applicant: 新泰科有限公司
Inventor： 高波
CPC classification number: C25D15/02 , B82Y10/00 , C25D5/48 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 一种形成电子发射极的方法，包括步骤：(i)形成一种含毫微结构的材料；(ii)形成一种含毫微结构材料和一种基质材料的混合物；(iii)通过电泳淀积方法在基片至少一个表面的至少部分上淀积一层该混合物；(iv)烧结或熔化该层从而形成一种复合材料；和(v)用电化学方法蚀刻该复合材料，除去其表面上的基质材料，从而暴露含毫微结构的材料。
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公开(公告)号：CN101303955B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710074322.0
申请日：2007-05-09
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J27/02
CPC classification number: H01J27/26 , H01J27/024 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种离子源组件，该离子源组件包括冷阴极、栅极和离子加速极，冷阴极、栅极和离子加速极分别相向间隔设置，该栅极位于冷阴极与离子加速极之间，其中，冷阴极与栅极之间的距离小于或等于2毫米，冷阴极包括基底及场发射薄膜，场发射薄膜设置于基底上且面向栅极，所述场发射薄膜含有碳纳米管、低熔点玻璃及导电金属微粒。该离子源组件的冷阴极采用碳纳米管作为场发射薄膜来发射电子，因此其具有低功耗、低放气率、发射电子稳定及抗离子轰击等优点。
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公开(公告)号：CN101188179B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610156847.4
申请日：2006-11-15
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J29/04 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射电子源的制造方法，其包括：提供至少一个阴极导电体、制备一定量的碳纳米管浆料和导电浆料；在阴极导电体上涂敷一层导电浆料，将导电浆料加热形成导电浆料层；在导电浆料层上涂敷一层碳纳米管浆料，将碳纳米管浆料加热从而在导电浆料层上形成碳纳米管浆料层；以及将形成有导电浆料层和碳纳米管浆料层的导电体在300～600℃条件下进行烘干和焙烧从而在导电体的表面上形成导电层和碳纳米管电子发射层，进而得到场发射电子源。
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公开(公告)号：CN101097829B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610061416.X
申请日：2006-06-30
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J31/12 , H01J63/00 , H01J29/86 , H01J29/02 , H01J29/04 , H01J1/63 , H01J1/304 , H01J7/18 , C01B31/00 , B82B1/00
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y10/00 , H01J31/123 , H01J2201/30469 , H01J2329/86
Abstract: 本发明涉及一种二极型场发射像素管。该场发射像素管包括：一个中空壳体，该壳体具有一个出光部，该出光部的内壁依次涂敷有荧光物质和阳极层。所述壳体内部是真空密封的，并且该壳体内部与该出光部相对处有一个阴极发射体，该阴极发射体包括一阴极支撑柱以及设置于该阴极支撑柱尖端的碳纳米线，该阴极支撑柱垂直于所述出光部。该二极型场发射像素管利用碳纳米线的优异场发射性能和方便操作的机械特性，改善了场发射像素管的发光性能并简化了制造难度。
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