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公开(公告)号：KR1020030088424A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：KR1020037009356
申请日：2002-01-11
Applicant: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
Inventor： 데스폰트,마이클 , 드레츠슬레르,우테 , 매그너슨,로이,에이치.
IPC: B81B3/00
CPC classification number: H01L21/30604 , B81B2201/12 , B81B2203/0118 , B81C1/00801 , B81C2201/0107 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , C23F13/14
Abstract: 한 물질과 귀금속 층(8)을 포함하는 마이크로구조의 상기 물질을, 제조 중 원하지 않는 갈바닉 에칭으로부터 보호하기 위한 방법으로서, 상기 마이크로구조 상에 상기 물질보다 낮은 산화환원 전위를 갖고 상기 귀금속 층(8)에 전기적으로 접속되는 희생 금속 층(12)을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020030073432A
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1020020012985
申请日：2002-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0078 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81C2201/0107 , B81C2201/014 , H01H59/0009
Abstract: PURPOSE: A MEMS device and a method for fabricating the same are provided to improve reliability of the MEMS device with achieving a stable driving characteristic of the MEMS device. CONSTITUTION: A driving electrode layer(320) is formed on a substrate(310) by patterning a driving electrode. A planar mold is formed on the substrate(310) having the driving electrode layer(320). The planar mold functions as an insulating layer(330). After patterning the insulating layer(330), the insulating layer(330) formed in a predetermined area, in which a fixing section and a contact section are formed, is etched. Then, a metal layer(340) is formed on the substrate(310) including the fixing section and contact section.
Abstract translation: 目的：提供一种MEMS器件及其制造方法，以通过实现MEMS器件的稳定的驱动特性来提高MEMS器件的可靠性。 构成：通过对驱动电极进行构图，在基板（310）上形成驱动电极层（320）。 在具有驱动电极层（320）的基板（310）上形成平面模具。 平面模具用作绝缘层（330）。 在图案化绝缘层（330）之后，形成在其中形成有固定部分和接触部分的预定区域中的绝缘层（330）被蚀刻。 然后，在包括固定部和接触部的基板（310）上形成金属层（340）。
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公开(公告)号：TW201722836A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105126789
申请日：2016-08-22
Applicant: 通用電機股份有限公司 , GENERAL ELECTRIC COMPANY
Inventor： 布魯爾 喬琳 , BREWER, JOLEYN EILEEN , 凱摩 克里斯塔佛 , KEIMEL, CHRISTOPHER FRED , 艾米 馬可 , AIMI, MARCO FRANCESCO , 米尼克 安德魯 , MINNICK, ANDREW JAMES , 魯法洛 瑞納 , RUFFALO, RENNER STEPHEN
CPC classification number: B81B3/0027 , B81B3/0075 , B81B7/0003 , B81B7/008 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2201/0228 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/053 , B81B2207/015 , B81B2207/115 , B81C1/00134 , B81C1/0015 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , B81C1/00373 , B81C2201/0107 , G01L9/0042 , G01L9/0044
Abstract: 一種用於微機電系統(MEMS)裝置的系統和方法，包括基板和形成在基板上的獨立和懸置的電鍍金屬MEMS結構。獨立和懸置的電鍍金屬MEMS結構包括機械耦接至基板的金屬機械元件和機械耦接至並電連接於機械元件的晶種層，晶種層包含耐火金屬和耐火金屬合金之至少一者，其中機械元件的厚度本質上大於晶種層的厚度，使得獨立和懸置的電鍍金屬MEMS結構之機械和電性質被機械元件的材料性質定義。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于微机电系统(MEMS)设备的系统和方法，包括基板和形成在基板上的独立和悬置的电镀金属MEMS结构。独立和悬置的电镀金属MEMS结构包括机械耦接至基板的金属机械组件和机械耦接至并电连接于机械组件的晶种层，晶种层包含耐火金属和耐火金属合金之至少一者，其中机械组件的厚度本质上大于晶种层的厚度，使得独立和悬置的电镀金属MEMS结构之机械和电性质被机械组件的材料性质定义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201409072A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102123492
申请日：2013-07-01
Applicant: 高通微機電系統技術公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
Inventor： 吉里珊迪普K , GIRI, SANDEEP K.
IPC: G02B26/02
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2201/042 , B81C2201/0107
Abstract: 本案提供用於具有經改善電性質和設備壽命的機電系統設備的系統、方法和裝置。在一個態樣，在機電系統裝置的處在粗糙化表面上方的腔內形成共形抗靜摩擦層。該共形抗靜摩擦層可包括介電層。該共形抗靜摩擦層可包括形成在該介電層上方的自組裝單分子層(SAM)。該共形抗靜摩擦層可複製其所沉積於的表面的粗糙度。
Abstract in simplified Chinese: 本案提供用于具有经改善电性质和设备寿命的机电系统设备的系统、方法和设备。在一个态样，在机电系统设备的处在粗糙化表面上方的腔内形成共形抗静摩擦层。该共形抗静摩擦层可包括介电层。该共形抗静摩擦层可包括形成在该介电层上方的自组装单分子层(SAM)。该共形抗静摩擦层可复制其所沉积于的表面的粗糙度。
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225.发明专利微機電裝置之電調節及其絕緣層 ELECTRICAL CONDITIONING OF MEMS DEVICE AND INSULATING LAYER THEREOF 审中-公开微机电设备之电调节及其绝缘层 ELECTRICAL CONDITIONING OF MEMS DEVICE AND INSULATING LAYER THEREOF
公开(公告)号：TW200744938A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096106262
申请日：2007-02-16
Applicant: 高通微機電系統科技公司 QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
CPC classification number: B81C99/004 , B81B2201/047 , B81C1/00714 , B81C2201/0107 , G02B26/001
Abstract: 本發明揭示一種製作MEMS裝置之方法,其包括:在移除一導電性犧牲層之前,藉由經由該導電性犧牲層在一絕緣層兩端施加電壓達一時間週期來調節該絕緣層。該調節過程可用於使在絕緣層內所積聚之電荷達到飽和或穩定。亦可量測該絕緣層兩端之電阻,以偵測該絕緣層中之可能缺陷。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种制作MEMS设备之方法,其包括:在移除一导电性牺牲层之前,借由经由该导电性牺牲层在一绝缘层两端施加电压达一时间周期来调节该绝缘层。该调节过程可用于使在绝缘层内所积聚之电荷达到饱和或稳定。亦可量测该绝缘层两端之电阻,以侦测该绝缘层中之可能缺陷。
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226.发明专利
公开(公告)号：TW200626490A
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW094143810
申请日：2005-12-12
Applicant: 得分科技公司 TOUCHDOWN TECHNOLOGIES, INC.
Inventor： 唐威龍 TANG, WEILONG , 許財揚 HSU, TSENG-YANG , 沙雷 伊斯梅爾 ISMAIL, SALLEH , 尼姆 哈克 悌 TEA, NIM HAK , 梅文B. 庫 KHOO, MELVIN B. , 瑞菲 蓋洛貝迪恩 GARABEDIAN, RAFFI
IPC: B81C
CPC classification number: B81C1/00436 , B81C1/00666 , B81C2201/0107 , B81C2201/0197
Abstract: 本發明與在基板上形成微結構的方法相關。施加一個電鍍表面於基板上。第一光阻層施加在電鍍基材之上。第一光阻層以一個輻射線圖案暴露，以提供在第一圖案內可溶解的第一光阻層。除去可溶解光阻，然後電鍍第一層主要金屬在除去第一光阻層的區域上。然後除去剩餘的光阻部分，並且施加第二光阻層在電鍍基材以及第一層主要金屬上。第二光阻層然後暴露於第二輻射圖案，以使得光阻可溶解並且除去可溶解的光阻。第二圖案是一個圍繞主要結構的區域，但是它不包含整個基板。相反地它是圍繞主要金屬的一個島。然後機械加工次要金屬的暴露表面到主要金屬要求的一個高度。次要金屬然後被蝕刻掉。
Abstract in simplified Chinese: 本发明与在基板上形成微结构的方法相关。施加一个电镀表面于基板上。第一光阻层施加在电镀基材之上。第一光阻层以一个辐射线图案暴露，以提供在第一图案内可溶解的第一光阻层。除去可溶解光阻，然后电镀第一层主要金属在除去第一光阻层的区域上。然后除去剩余的光阻部分，并且施加第二光阻层在电镀基材以及第一层主要金属上。第二光阻层然后暴露于第二辐射图案，以使得光阻可溶解并且除去可溶解的光阻。第二图案是一个围绕主要结构的区域，但是它不包含整个基板。相反地它是围绕主要金属的一个岛。然后机械加工次要金属的暴露表面到主要金属要求的一个高度。次要金属然后被蚀刻掉。
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公开(公告)号：TW201316385A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101132598
申请日：2012-09-06
Applicant: 高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
Inventor： 謝諾伊 雷文卓 法曼 , SHENOY, RAVINDRA VAMAN , 史蒂法諾 菲利浦 傑森 , STEPHANOU, PHILIP JASON , 蘭德甘 安納 瑞格洛法 , LONDERGAN, ANA RANGELOVA , 古賽夫 艾吉尼 佩卓維齊 , GOUSEV, EVGENI PETROVICH
CPC classification number: B81C1/0038 , B81B2203/0392 , B81C2201/0107 , B81C2201/0188 , B81C2201/038 , C23C18/1653 , C25D5/10 , C25D5/18 , C25D5/48 , C25D7/00 , Y10T428/12493 , Y10T428/24612
Abstract: 本發明提供高表面區域堆疊層金屬結構、器件、裝置、系統及相關方法之實施。可自一包括第一金屬及第二金屬之電鍍槽來製造位於基板上之複數個堆疊層。一調變之電鍍電流可沈積交替之第一金屬層及合金層，該等合金層包括該第一金屬及該第二金屬。可藉由選擇性地蝕刻第一金屬層之一些部分以界定堆疊層結構來形成合金層之間的間隙。堆疊層結構可在用以形成電容器、電感器、催化反應器、熱轉移管、非線性彈簧、過濾器、蓄電池及重金屬淨化器的應用中有用。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供高表面区域堆栈层金属结构、器件、设备、系统及相关方法之实施。可自一包括第一金属及第二金属之电镀槽来制造位于基板上之复数个堆栈层。一调制之电镀电流可沉积交替之第一金属层及合金层，该等合金层包括该第一金属及该第二金属。可借由选择性地蚀刻第一金属层之一些部分以界定堆栈层结构来形成合金层之间的间隙。堆栈层结构可在用以形成电容器、电感器、催化反应器、热转移管、非线性弹簧、过滤器、蓄电池及重金属净化器的应用中有用。
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228.发明专利
公开(公告)号：TWI291452B
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：TW094143810
申请日：2005-12-12
Applicant: 得分科技公司 TOUCHDOWN TECHNOLOGIES, INC.
Inventor： 唐威龍 TANG, WEILONG , 許財揚 HSU, TSENG-YANG , 沙雷 伊斯梅爾 ISMAIL, SALLEH , 尼姆 哈克 悌 TEA, NIM HAK , 梅文B. 庫 KHOO, MELVIN B. , 瑞菲 蓋洛貝迪恩 GARABEDIAN, RAFFI
IPC: B81C
CPC classification number: B81C1/00436 , B81C1/00666 , B81C2201/0107 , B81C2201/0197
Abstract: 本發明與在基板上形成微結構的方法相關。施加一個電鍍表面於基板上。第一光阻層施加在電鍍基材之上。第一光阻層以一個輻射線圖案暴露，以提供在第一圖案內可溶解的第一光阻層。除去可溶解光阻，然後電鍍第一層主要金屬在除去第一光阻層的區域上。然後除去剩餘的光阻部分，並且施加第二光阻層在電鍍基材以及第一層主要金屬上。第二光阻層然後暴露於第二輻射圖案，以使得光阻可溶解並且除去可溶解的光阻。第二圖案是一個圍繞主要結構的區域，但是它不包含整個基板。相反地它是圍繞主要金屬的一個島。然後機械加工次要金屬的暴露表面到主要金屬要求的一個高度。次要金屬然後被蝕刻掉。
Abstract in simplified Chinese: 本发明与在基板上形成微结构的方法相关。施加一个电镀表面于基板上。第一光阻层施加在电镀基材之上。第一光阻层以一个辐射线图案暴露，以提供在第一图案内可溶解的第一光阻层。除去可溶解光阻，然后电镀第一层主要金属在除去第一光阻层的区域上。然后除去剩余的光阻部分，并且施加第二光阻层在电镀基材以及第一层主要金属上。第二光阻层然后暴露于第二辐射图案，以使得光阻可溶解并且除去可溶解的光阻。第二图案是一个围绕主要结构的区域，但是它不包含整个基板。相反地它是围绕主要金属的一个岛。然后机械加工次要金属的暴露表面到主要金属要求的一个高度。次要金属然后被蚀刻掉。
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