公开(公告)号：CN107074528A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580046699.8

申请日：2015-06-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·斯顿珀尔 ,  B·施泰因 ,  C·舍林

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00801

Abstract: 本发明提出一种层材料，该层材料特别好地适用于实现在MEMS构件(102)的层结构中的具有电极(7)的悬置的结构元件(31)。根据本发明所述悬置的结构元件(31)应至少部分由基于硅碳氮化物(Si1‑x‑yCxNy)的层组成。

公开(公告)号：CN107055459A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710024010.2

申请日：2017-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  李久康

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/096 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0785 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2203/01 ,  B81B2203/03

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括静止结构、弹簧和质量块。静止结构具有第一部分和第二部分。弹簧在衬底上方。弹簧具有从边缘突出的且朝向静止结构的第一部分延伸的第一突起。质量块在衬底上方且由弹簧支撑。质量块具有从边缘突出的且朝向静止结构的第二部分延伸的第二突起。第一突起和第一部分之间的第一间隙小于第二突起和第二部分之间的第二间隙。本发明的实施例还提供了一种微机电系统器件。

公开(公告)号：CN107036591A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610987197.1

申请日：2016-11-09

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 邵鹏

IPC: G01C19/5712

CPC classification number: G01C19/5712 ,  B81B3/0078 ,  B81B5/00 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/025 ,  B81B2203/04 ,  B81B2203/055 ,  B81B2207/03 ,  G01C19/5733

Abstract: 一种MEMS装置包括能够沿着驱动轴进行振荡驱动运动并沿着垂直于所述驱动轴的感测轴进行振荡感测运动的质量系统。正交校正单元包括固定电极和耦合到所述可移动质量系统的可移动电极，它们各自沿着所述驱动轴纵向朝向。所述可移动电极通过具有初始宽度的间隙与所述固定电极间隔开。所述固定和可移动电极中的至少一个电极包括向所述固定和可移动电极中的另一个电极延伸的挤压区。所述可移动电极与所述质量系统一起进行振荡运动，以使得所述挤压区通过展现小于第一宽度的第二宽度的间隙与所述固定和可移动电极中的另一个电极周期性地间隔开，由此实现所述电极之间的电容增强。

公开(公告)号：CN109553059A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811114351.X

申请日：2018-09-25

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： B·P·赫措根拉特 ,  D·古格尔 ,  J·瓦尔德曼 ,  M·雅克斯 ,  M·科斯特

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01D5/02

CPC classification number: B81B3/0018 ,  B81B3/0051 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/025 ,  G01P15/08 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0837 ,  G01P2015/0871 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0228 ,  B81C1/00134 ,  G01D5/02

Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器组件，包括质量，该质量至少沿z方向可偏移，其中，在所述质量上在沿z方向取向的侧面的至少一个上通过连接装置布置有弹动地构造的止挡装置。

公开(公告)号：CN103373695B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210390963.8

申请日：2012-10-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张嘉诚 ,  范成至 ,  周正三

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0067 ,  B81B3/007 ,  B81B7/00 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0016 ,  B81B7/0029 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/0051 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00325 ,  B81C2203/0118

Abstract: 本发明涉及MEMS器件结构及其形成方法。其中，一种微机电系统(MEMS)器件可以包括在第一衬底上方的MEMS结构。MEMS结构包括中心静态元件、可移动元件和外静态元件。在中心静态元件与第一衬底之间的接合材料部分。在MEMS结构上方的第二衬底而介电层的部分在中心静态元件与第二衬底之间。支撑柱包括接合材料部分、中心静态元件和电介质材料部分。

公开(公告)号：CN104340948A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410364783.1

申请日：2014-07-28

Applicant: 原子能和替代能源委员会

Inventor： 格扎维埃·白琳 ,  伯纳德·迪埃姆 ,  简-菲利普·波利齐 ,  安德烈·罗扎德

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81B7/0058 ,  B81B7/0038 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00285 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00682 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0163 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明涉及一种包括机械加强盖并且具有吸气效应的封装结构。一种用于封装至少一个微型装置(104)的结构(100)，所述至少一个微型装置(104)被制造在基底(102)上和/或基底(102)中并且被定位在至少一个在所述基底和刚性地附接到所述基底上的盖(106)之间形成的腔(110)中，其中，所述盖至少包括：一层第一材料层(112)，所述第一材料层(112)的一个表面(114)形成了所述腔的内壁，以及刚性地附接到所述第一材料层的至少所述表面上的机械加强部分(116)，所述机械加强部分(116)部分地覆盖所述第一材料层的所述表面并且具有气体吸收和/或吸附性能，并且其中，所述机械加强部分的第二材料的杨氏模量高于所述第一材料的杨氏模量。

公开(公告)号：CN108731718A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810325794.7

申请日：2018-04-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M.库尔齐克 ,  O.维勒斯 ,  S.齐诺贝尔 ,  U.孔茨

IPC: G01D11/24 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B7/0012 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00539 ,  H04L9/0866 ,  G01D11/245 ,  B81B7/02

Abstract: 提出一种用于保护MEMS单元、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法，其中对于所述MEMS单元的表面的至少一个第一区域进行表面结构化，其中所述第一区域将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述区域上的红外线光吸收、反射或漫散射。

公开(公告)号：CN108083224A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711180689.0

申请日：2017-11-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： C·谢林

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0228 ,  B81C1/00015 ,  B81C2203/03

Abstract: 本发明涉及一种MEMS构件，具有第一衬底和第二衬底，该第一衬底具有在第一侧上的至少一个第一绝缘层和至少一个第一金属化部，该第二衬底具有在第二侧上的至少一个第二绝缘层和至少一个第二金属化部，其中，第二衬底具有微机械功能元件，该微机械功能元件与第二金属化部导电连接。本发明的核心在于，第一侧和第二侧彼此贴靠地布置，其中，第一绝缘和第二绝缘层相互连接，其中，第一金属化部和第二金属化部相互连接。本发明也涉及一种用于制造MEMS构件的方法。

公开(公告)号：CN107478198A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710633123.2

申请日：2017-07-28

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 孙鹏 ,  邱飞燕 ,  范冬青 ,  邢朝洋 ,  徐杰 ,  王超

IPC: G01C9/00 ,  G01C25/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: G01C9/00 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0228 ,  B81C3/001 ,  G01C25/00

Abstract: 一种高精度MEMS角度传感器敏感结构及加工方法，该敏感结构包括上玻璃极板、中间硅极板、下玻璃极板，及金丝引线；上玻璃极板和下玻璃极板上淀积有金属电极区域和介质膜区域形成电容的上极板和下极板；中间硅极板由两根悬臂梁连接一个方形质量块形成电容的中间极板；上玻璃极板、中间硅极板、下玻璃极板采用双电场静电键合方式形成“三明治”式敏感结构，再用金丝球焊机压焊金丝引出电容信号。本发明采用对称电容结构形式，采用湿法体硅加工方法，可以获得较大的质量块，提高角度分辨率和测量精度，可广泛应用于无人机、舰载设备、卫星通讯、工程机械、铁塔智能监测、太阳能追踪系统等平台的倾斜角度测量。

公开(公告)号：CN107285274A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710325438.0

申请日：2017-05-10

Applicant: 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所

Inventor： 王永 ,  王玉朝 ,  易华祥 ,  余才佳 ,  任伶

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00261 ,  B81B7/0074 ,  B81B2201/0228

Abstract: 本发明属于微机械惯性传感器封装领域，具体涉及一种微机械惯性传感器的三维封装方法。本发明采用三氧化二铝陶瓷烧成用于惯性微机械传感器的三维封装结构，该结构具有两个互相垂直的正方形端面，两个端面直接通过金属沟槽联通，将装载有微机械惯性传感器的敏感元件的标准定制陶瓷管壳接到三维封装结构的一个正方形端面上，再将三维封装结构的另一正方形端面按照对应的引脚定义焊接到基板上，能够实现对微机械惯性传感器的三维封装，并且具有体积小、结构简单、正交性好的特点。