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公开(公告)号:CN100465720C
公开(公告)日:2009-03-04
申请号:CN200410092217.6
申请日:2004-11-03
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G02F1/1335 , H01J1/30 , H01J31/00 , G09G3/00 , G03F7/20
CPC classification number: H01J9/241 , H01J9/025 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2201/30469 , H01J2329/00
Abstract: 提供一种用于液晶显示器的场发射背光装置。背光装置包括:下衬底;以平行线交替形成在下衬底上的第一电极和第二电极;设置在第一和第二电极中至少第一电极上的发射器;与下衬底隔开预定距离的上衬底,使得上衬底和下衬底彼此面对;形成在上衬底的底面上的第三电极;以及形成在第三电极上的荧光层,其中沿第一和第二电极中至少第一电极的两边缘以预定间隔设置发射器。由于背光装置具有三极管型场发射构造,所以场发射非常稳定。由于第一电极和第二电极被形成在同一平面中,所以改善了亮度均匀度并简化了制造工艺。如果发射器被设置在第一电极和第二电极上,以及为第一电极和第二电极交替地施加阴极电压和栅极电压,则能够改善发射器的使用寿命和亮度。
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公开(公告)号:CN100463094C
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN03114064.5
申请日:2003-03-26
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种场发射显示器的制作方法,其包括如下步骤:(1)提供一种工作板;(2)根据预定的显示点阵在工作板上沉积栅极电极;(3)在栅极上形成一层绝缘介质膜;(4)在绝缘介质膜上沉积催化剂层;(5)根据上述预定的显示点阵在催化剂层上形成绝缘层,使该绝缘层的相应于显示点阵的位置留有一空间;(6)通过化学气相沉积法在上述绝缘层的空间内,催化剂层上生长碳纳米管阵列;(7)在碳纳米管阵列上沉积阴极电极;(8)封装阴极电极并去除工作板;(9)用湿法刻蚀工艺去除绝缘层;(10)与带有阳极电极的荧光屏封装。
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公开(公告)号:CN101365735A
公开(公告)日:2009-02-11
申请号:CN200680050241.0
申请日:2006-12-20
Applicant: 应用纳米技术控股股份有限公司
Inventor: 李运钧
CPC classification number: H01B1/18 , B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , Y10T428/2991
Abstract: 粘合材料即无机聚合物用于调配碳纳米管糊料。该材料可在200℃下固化,且在高达500℃下具有热稳定性。该粘合材料具有低释气性使其成为长使用寿命的场致发射设备的良好候选品。由于与该粘合材料具有更佳的粘附性,液态的可剥离强粘性聚合物可施加在CNT阴极,通过表面上的均匀的接触和压力而获得均一的激活。该可剥离聚合物膜既可用作激活层,也可用作掩模层,通过平版印刷法来制造用于场致发射设备的具有高分辨率图案的碳纳米管阴极。
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公开(公告)号:CN100459019C
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN01820211.X
申请日:2001-09-27
Applicant: 北卡罗来纳-查佩尔山大学
IPC: H01J35/22
CPC classification number: H01J35/14 , A61B6/032 , A61B6/4021 , A61B6/4028 , A61B6/405 , A61B6/4488 , A61B6/482 , B82Y10/00 , H01J35/065 , H01J35/22 , H01J2201/30469 , H01J2235/064 , H01J2235/068 , H05G1/34 , Y10S977/939
Abstract: 一种X-射线发生装置包括场发射阴极,该阴极至少部分地由具有至少4A/cm2的发射电子电流密度的包含纳结构(1110)的材料形成。由于在阴极(1110)和栅或阳极(1130)之间易于聚焦冷阴极发射电子和以不同的阳极材料(1130)聚焦电子束,因此可以实现高的能量转换效率和紧凑的设计(1100),并且从单个装置中可以产生具有不同能量的脉冲发送的X-射线辐射。
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公开(公告)号:CN100459014C
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200410097886.2
申请日:2004-11-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3048 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , Y10T29/49002 , Y10T29/49128 , Y10T29/49147 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49169
Abstract: 一种使用碳纤维作为电子部件的电子发射元件的制造方法,包括:准备具有多个含碳的纤维(4)的第一电极(3)、第二电极(2)之后,在第一电极(3)和第二电极之间施加电压,使第一电极(3)的电位比第二电极(2)还高,除去把第一电极(3)和第二电极短路的碳纤维(4’)。通过除去造成阴极和控制电极短路的碳纤维,能够提供具有均匀的电子发射特性的电子发射元件。
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公开(公告)号:CN101321687A
公开(公告)日:2008-12-10
申请号:CN200680045753.8
申请日:2006-12-01
Applicant: 韩国电子通信研究院
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01J9/025 , B22F2999/00 , C22C2026/002 , H01J1/304 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , B22F1/0022 , B22F1/0018 , B22F1/0074
Abstract: 提供添加有纳米尺寸颗粒的碳纳米管(CNT)浆料的制造方法,以及用于场发射显示器(FED)具有高可靠性的CNT发射器的制造方法。该方法包括步骤:(i)将CNT粉末分散在溶剂中;(ii)添加有机粘合剂到分散有CNT粉末的溶液中;(iii)执行研磨工艺来调整添加有该有机粘合剂的分散溶液的粘性,其中在步骤(i)或(iii)中添加纳米尺寸金属颗粒。因此,纳米尺寸金属颗粒被添加作为CNT浆料的金属填料,且因此金属可以在CNT不劣化的低温下熔化。因此,CNT浆料和阴极之间的粘着力可以改善,并且阴极和CNT之间或者各CNT之间的电阻可以减小。另外,通过上述方法制造的CNT浆料用于制造CNT发射器,从而获得从CNT发射器的均匀电子发射并增加电子发射位置,且因此CNT发射器的可靠性可以进一步改善。
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公开(公告)号:CN101312907A
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200680043856.0
申请日:2006-11-27
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C01B31/02 , B01J20/20 , B82B3/00 , H01G9/058 , H01J1/304 , H01M4/02 , H01M4/58 , H01M4/96 , H01M10/40 , H01M12/06
CPC classification number: B01J20/205 , B01J20/20 , B01J23/28 , B01J23/745 , B01J23/75 , B01J37/347 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/04 , C01B2202/08 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , H01G11/36 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01M4/587 , H01M4/96 , H01M10/052 , Y02E60/13 , Y10T428/2918 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供:由多个定向双层碳纳米管构成的,高度0.1μm以上的定向双层碳纳米管整体结构体及双层碳纳米管,并在金属催化剂存在下,该催化剂的粒径、膜厚可以控制,优选在水分存在下使碳纳米管进行化学气相成长而制造。由此提供:不混入催化剂、高纯度,定向或成长的控制容易,并且可通过整体结构体的形成进行成膜,放电子特性优良的双层碳纳米管(特别是定向了的双层碳纳米管整体结构体)及其制造技术。
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公开(公告)号:CN101303955A
公开(公告)日:2008-11-12
申请号:CN200710074322.0
申请日:2007-05-09
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J27/02
CPC classification number: H01J27/26 , H01J27/024 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种离子源组件,该离子源组件包括冷阴极、栅极和离子加速极,冷阴极、栅极和离子加速极分别相向间隔设置,该栅极位于冷阴极与离子加速极之间,其中,冷阴极与栅极之间的距离小于或等于2毫米。该离子源组件的冷阴极采用碳纳米管作为场发射薄膜来发射电子,因此其具有低功耗、低放气率、发射电子稳定及抗离子轰击等优点。
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公开(公告)号:CN100406377C
公开(公告)日:2008-07-30
申请号:CN200610009255.X
申请日:2006-02-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455
Abstract: 本发明提供形成CNT的方法和制造使用该CNT的FED装置的方法。形成CNT的方法包括:准备其上形成有硅层的基板;在该硅层上顺序形成缓冲层和催化剂金属层;通过退火该基板通过该硅层、该缓冲层、以及该催化剂金属层之间的扩散部分形成金属硅化物畴;以及在该催化剂金属层的表面上生长CNT。
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公开(公告)号:CN100405519C
公开(公告)日:2008-07-23
申请号:CN03114068.8
申请日:2003-03-27
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种场发射元件的制备方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底具有一平整表面;在所述基底表面形成一催化剂层;通入碳源气体,加热至反应温度,碳源气体在催化剂作用下,生成碳纳米管阵列;在碳纳米管阵列顶端形成阴极电极;去除基底,露出碳纳米管阵列生长面。本发明方法形成的碳纳米管阵列发射端在同一平面,从而可实现电子均匀发射。
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