公开(公告)号：WO2011020923A2

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：PCT/EP2010/062256

申请日：2010-08-23

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  ERBERT, Götz ,  SPREEMANN, Martin ,  WENZEL, Hans ,  FRICKE, Jörg

Inventor： ERBERT, Götz ,  SPREEMANN, Martin ,  WENZEL, Hans ,  FRICKE, Jörg

CPC classification number: H01S5/125 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/1089 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/2036 ,  H01S2301/166

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Diodenlaser und Laserresonator für einen Diodenlaser mit verbesserter lateraler Strahlqualität ohne Verwendung eines externen Resonators, insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung einen Breitstreifenlaser mit hohen Ausgangsleistungen. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Diodenlaser und einen Laserresonator für einen Diodenlaser anzugeben, der bei hohen Ausgangsleistungen eine hohe laterale Strahlqualität aufweist, einen geringen Justageaufwand erfordert und preiswert herstellbar ist. Der erfindungsgemäße Laserresonator weist eine Gewinnsektion (GS), einen ersten planaren Bragg Reflektor (DBR1) und einen zweiten planaren Bragg Reflektor (DBR2) auf, wobei die Gewinnsektion (GS) trapezförmig ausgebildet ist und der erste planare Bragg Reflektor (DBR1) an einer ersten Grundseite der trapezförmigen Gewinnsektion (GS) und der zweite planare Bragg Reflektor (DBR2) an der gegenüberliegenden Grundseite der trapezförmigen Gewinnsektion (GS) angeordnet sind, wobei sich die Breite (D1) des ersten planaren Bragg Reflektors (DBR1) von der Breite (D2) des zweiten planaren Bragg Reflektors (DBR1) unterscheidet.

Abstract translation: 本发明涉及一种二极管激光器和一个激光谐振器为具有改进的横向光束质量的二极管激光器，而无需使用外部谐振器，特别是，本发明涉及一种宽条形激光器具有高输出功率。 本发明提供一种二极管激光器和一个激光谐振器为二极管激光器，其具有在高功率输出的高侧的光束质量的目的，要求在调整一个低的费用和制造成本低。 根据本发明的激光谐振器包括一个增益部分（GS），第一平面布拉格反射器（DBR1）和第二平面布拉格反射器（DBR2），其中，所述增益部（GS）在形状上是梯形的，并且在第一第一平面布拉格反射器（DBR1） 梯形增益部（GS）和在梯形增益部分（GS）的相对的基侧上的第二平面布拉格反射器（DBR2）的基端侧被布置，其中，所述宽度在第一平面反射镜的宽度的（DBR1）的（D1）（D2） 第二平面布拉格反射器（DBR1）不同。

公开(公告)号：WO2010023273A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：PCT/EP2009/061129

申请日：2009-08-28

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  WUERFL, Hans-Joachim ,  BAHAT-TREIDEL, Eldad

Inventor： WUERFL, Hans-Joachim ,  BAHAT-TREIDEL, Eldad

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/47 ,  H01L29/417 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462

Abstract: Ein Hetero Field Effect Transistor (HFET) mit einem Substrat, einer auf dem Substrat angeordneten Pufferschicht, einer auf der Pufferschicht angeordneten Barrierenschicht, einer Sourceelektrode, einer Drainelektrode und einer Gateelektrode, wobei Pufferschicht und Barrierenschicht ausgebildet sind, an einer gemeinsamen Grenzfläche ein zweidimensionales Elektronengas auszubilden, dadurch gekennzeichnet, dass die Drainelektrode ausgebildet ist, das zweidimensionale Elektronengas als Schottky-Kontakt zu kontaktieren.

Abstract translation: 异质结场效应晶体管（HFET）与底物培养，设置在衬底缓冲层上，设置在缓冲层势垒层，源电极，漏电极和栅电极上，所述上的共同边界表面的二维电子气形成缓冲层和阻挡层 其特征在于，所述漏电极形成为接触所述二维电子气体作为肖特基接触。

公开(公告)号：WO2007071608A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：PCT/EP2006/069684

申请日：2006-12-13

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  HOFFMANN, Thomas ,  LIERO, Armin

Inventor： HOFFMANN, Thomas ,  LIERO, Armin

IPC: G01R1/067 ,  G01R15/26

CPC classification number: G01R15/26 ,  G01R1/06777 ,  G01R1/06788

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung, einen Tastkopf sowie ein Verfahren zur galvanisch entkoppelnden Übertragung eines Messsignals. Ein Mikrowellensignal wird von einem Transceiver 1 über einen galvanisch entkoppelten Wellenleiter 2 auf einen Sensor 3 gegeben. Im Sensor 3 wird dieses Signal teilweise reflektiert, wobei die Amplitude, Phase und/oder Polarisation des reflektierten Mikrowellensignals die Information über den Messwert Enthält. Das reflektierte Mikrowellensignal lauft durch den selben Wellenleiter 2 zurück zum Transceiver 1 und wird in diesem ausgewertet. Dies ist ein einfacherer und kostengünstigerer Aufbau als herkömmliche Vorrichtungen des Standes der Technik, da insbesondere auf der Sensorseite durch die Reflexion keine Spannungsversorgung benötigt wird. Dadurch kann der Sensor 3 auch sehr kompakt realisiert werden, was die Beeinflussung des Messsignals durch den Sensor 3 minimiert.

Abstract translation: 本发明涉及一种装置，探针和电解耦的测量信号的发送的方法。 的微波信号从收发信机1经由电流去耦合波导2到传感器发送。3 在该信号的传感器3被部分地反射，其中，含有关于所测量的值的信息反射的微波信号的振幅，相位和/或偏振。 反射的微波信号通过相同的波导2跑回到所述收发器1并在此进行了评价。 这是一个比现有技术的常规装置更简单和更便宜的结构，如由反射没有电源特别需要在传感器一侧。 这允许传感器3也可以实现非常紧凑的，最小化由传感器的测量信号的影响。3

公开(公告)号：WO2006134103A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：PCT/EP2006/063141

申请日：2006-06-13

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KLEHR, Andreas ,  SUMPF, Bernd ,  MAIWALD, Martin ,  SCHMIDT, Heinar

Inventor： KLEHR, Andreas ,  SUMPF, Bernd ,  MAIWALD, Martin ,  SCHMIDT, Heinar

IPC: G01J3/44 ,  G01J3/10 ,  G01N21/65 ,  H01S5/0625

CPC classification number: G01N21/65 ,  G01J3/10 ,  G01J3/44 ,  G01J2003/4424 ,  G01N2021/656

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung und Detektion eines Raman-Spektrums. Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung und Detektion eines Raman-Spektrums eines zu untersuchenden Mediums anzugeben, mit welchen das Raman-Spektrum eines zu untersuchenden Mediums mit einer hohen Empfindlichkeit bei vergleichsweise geringem apparativen Aufwand ermittelt werden kann. Das Verfahren ist gekennzeichnet durch Einkoppeln von Anregungsstrahlung in ein zu untersuchendes Medium (8), Einkoppeln der vom zu untersuchenden Medium (8) gestreuten elektromagnetischen Strahlung in ein spektral-optisches System (10), wobei eine Laserdiode (1) zur Erzeugung von Anregungsstrahlung mindestens zweier unterschiedlicher Wellenlängen (λ1, λ2) mit mindestens zwei unterschiedlichen Anregungsbedingungen angesteuert wird und aus der gestreuten Strahlung für die unterschiedlichen Anregungswellenlängen (λ1, λ2) jeweils mindestens ein Raman-Spektrum (16, 17) detektiert wird und aus den mindestens zwei detektierten Raman-Spektren (16, 17) das Raman-Spektrum (20) des zu untersuchenden Mediums (8) ermittelt wird, wobei die zwei unterschiedlichen Anregungsbedingungen für die Laserdiode (1) durch den an die Laserdiode (1) angelegten elektrischen Strom eingestellt werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于产生和检测的拉曼光谱的方法和装置。 本发明的目的是提供一种用于产生和检测的被检查介质，利用该具有高灵敏度的被检查介质的拉曼光谱可以在上装置相对低的支出来确定的拉曼光谱的方法和装置。 该方法的特征在于，耦合激发辐射到被检体内待检查介质（8），待检查的耦合介质（8）散射的电磁辐射的光谱光学系统（10），用于产生激发辐射的激光二极管（1）至少 两种不同波长的被驱动与至少两个不同的激发条件（2？1，？）和出散射辐射的在每种情况下的不同的激发波长（λ1，？2）至少一种拉曼光谱（16，17）被检测并从该至少 两个检测到的拉曼光谱（16，17）时，要被检查介质（8）被确定的拉曼光谱（20），其特征在于，被设置施加由所述激光二极管（1）的电流的激光二极管（1）的两个不同的激励条件 是。

公开(公告)号：WO2006128898A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：PCT/EP2006/062824

申请日：2006-06-01

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  KRÜGER, Olaf ,  WÜRFL, Joachim ,  SCHÖNE, Gerd

Inventor： KRÜGER, Olaf ,  WÜRFL, Joachim ,  SCHÖNE, Gerd

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von vertikalen elektrischen Kontaktverbindungen (Mikro-Vias) in Halbleiterwafern zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen. Das Verfahren ist gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: - Aufbringen eines Schutzlackes auf die Wafer-Vorderseite - Strukturieren des Schutzlacks auf der Wafer-Vorderseite so, dass die mit der Wafer-Rückseite zu verbindenden Kontakte frei werden - Laserbohren von Durchgangslöchern an den Kontaktverbindungsstellen von der Wafer-Rückseite her durch das Halbleitersubstrat, die aktiven Schichten und die zu verbindenden Kontakte auf der Wafer-Vorderseite - Reinigung des Wafers (Entfernen des Debris) - Aufbringen einer Plattierbasis auf die Wafer-Rückseite und in die lasergebohrten Durchgangslöcher - galvanischer Goldauftrag auf die metallisierte Wafer-Rückseite und die Durchgangslöcher - Ablacken des Schutzlacks - Aufbringen einer Antibenetzungsschicht im Bereich der Eintrittsöffnungen der Durchgangslöcher an der Wafer-Rückseite.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造用于半导体器件的制造中的半导体晶片的垂直电接触连接（微通孔）的方法。 该方法的特征在于以下步骤： - 在晶片前表面上施加保护涂层 - 构建在晶片前侧，使得与在晶片背侧触点连接保护清漆自由 - 激光通孔在所述的接触连接点钻 晶片背面通过半导体基板侧，有源层和接触被连接在晶片前侧 - 在晶片的清洗（除去碎片） - 将电镀基座到晶片背面侧并进入激光通孔钻 - 金电镀施加到金属化 晶片背面和贯通孔 - 涂料去除保护清漆 - 的穿过晶片背面上的孔中的入口开口的区域施加一个反润湿层。

公开(公告)号：WO2006089801A2

公开(公告)日：2006-08-31

申请号：PCT/EP2006/001960

申请日：2006-02-24

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  FREUND, Christian ,  ZIMMERMANN, Jürgen

Inventor： FREUND, Christian ,  ZIMMERMANN, Jürgen

IPC: C07K14/435 ,  G01N33/50

CPC classification number: C07K14/47

Abstract: Die Erfindung betrifft bevorzugt eine Aminosäuresequenz EKKEQKEKEK KEQEIKKKFK LTGPIQVIHL AKACCDVKGG KNELSFKQGE QIEIIRITDN PEGKWLGRTA RGSYGYIKTT AVEIDYDSLK LKKD (= SEQ ID Nr. 1), eine Proteinerkennungsdomäne umfassend diese Aminosäuresequenz und die Verwendung der Aminosäuresequenz oder der Proteinerkennungsdomäne zur Identifizierung von Redox-abhängigen Protein-Protein oder Protein-Lipid-Wechselwirkungen und ein Verfahren zur Detektion von Target-Molekülen in Abhängigkeit vom Redoxpotential; die Erfindung betrifft zudem die Verwendung der Aminosäuresequenz als Marker zur Messung des Redoxpotentials in Zellen.

Abstract translation: 本发明优选涉及的氨基酸序列EKKEQKEKEK KEQEIKKKFK LTGPIQVIHL AKACCDVKGG KNELSFKQGE QIEIIRITDN PEGKWLGRTA RGSYGYIKTT AVEIDYDSLK LKKD（= SEQ ID NO。1），蛋白质识别结构域包含该氨基酸序列以及使用的氨基酸序列的或用于氧化还原蛋白依赖性蛋白或蛋白的鉴定的蛋白识别结构域 脂质相互作用，以及用于响应于该氧化还原电位检测目标分子的方法; 本发明还涉及使用该氨基酸序列的作为用于测量在细胞中的氧化还原电势的标记。

公开(公告)号：WO2006045632A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：PCT/EP2005/011656

申请日：2005-10-26

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  ERBERT, Götz ,  FRICKE, Jörg ,  WENZEL, Hans ,  JOHN, Wilfried ,  GÜTHER, Reiner

Inventor： ERBERT, Götz ,  FRICKE, Jörg ,  WENZEL, Hans ,  JOHN, Wilfried ,  GÜTHER, Reiner

IPC: G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  H01S5/125

CPC classification number: G02B6/136 ,  G02B6/124 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optisches Element mit einer planaren vertikalen Wellenleiterstruktur (1), auf deren Oberfläche ein Braggsches Gitter (5) und ein Rippenwellenleiter (6) angeordnet sind sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optisches Element mit einem Braggschen Gitter (5) mit Rippenwellenleiter (6) anzugeben, welches bei vorgegebenen optischen Anforderungen kostengünstiger und schneller als nach dem Stand der Technik hergestellt werden kann. Dazu wird eine Fotolackschichtstruktur (3) auf einer im Wesentlichen ebenen planaren vertikalen Wellenleiterstruktur (1) ausgebildet, wobei die Fotolackschichtstruktur (3) im Wesentlichen der Struktur des Braggschen Gitters (5) und des Rippenwellenleiters (6) entspricht und im Bereich des Braggschen Gitters (5) im Wesentlichen linienförmig mit einer Stegbreite ausgebildet wird, die mindestens 70 % des Abstandes zweier benachbarter Linien entspricht, nachfolgend die planare vertikale Wellenleiterstruktur (1) mit darauf angeordneter Fotolackschichtstruktur (3) geätzt und die Fotolackschichtstruktur (3) von der planaren vertikalen Wellenleiterstruktur (1) abgelöst.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有平面垂直波导结构的光学元件（1），其表面的布拉格光栅（5）和一个脊形波导（6）被布置，以及用于其生产的方法上。 这是本发明的一个目的，具有布拉格光栅的光学元件（5）肋形波导（6），其可以制造更便宜，比在预定的光学要求在现有技术中更快提供。 为了这个目的，一个光致抗蚀剂层结构（3）（1）上形成有大致平坦的平面垂直波导结构中，光致抗蚀剂层结构（3）基本上对应于布喇格光栅（5）和肋状波导（6）和结构（在布喇格光栅的区域 在与web宽度是两条相邻线之间的距离的至少70％的基本上线性的方式形成5），随后被蚀刻，平面垂直波导结构（1）具有设置在其上的光致抗蚀剂层的结构（3）和所述光致抗蚀剂层结构（3）从平面垂直波导结构（ 1）分离。

公开(公告)号：WO2005091438A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：PCT/EP2005/003303

申请日：2005-03-16

Applicant: Forschungsverbund Berlin e.V. ,  HEINRICH, Wolfgang ,  TALUKDER, Prodyut

Inventor： HEINRICH, Wolfgang ,  TALUKDER, Prodyut

IPC: H01Q23/00

CPC classification number: H01Q13/18 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/38 ,  H01Q13/02 ,  H01Q13/0283 ,  H01Q19/32 ,  H01Q21/0093 ,  H01Q23/00

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Mikrowellenantenne für in Flip-Chip-Technologie hergestellte Halbleiterbaugruppen mit zwei an ihrer Oberfläche metallisierten Halbleitersubstraten. Bekannt sind sogenannte Patch-Antennen, das heißt metallisierte, von der übrigen Schaltung isolierte flächige Bereiche auf einer äußeren Oberfläche einer solchen Baugruppe mit einer Zuleitung zur Schaltung. Sie bewirken eine vertikale Abstrahlung in einem relativ großen Winkel. Vorgeschlagen wird, dass zwischen den Halbleitersubstraten (a, b) ein geschlossener Zug von Bumps so angeordnet sind, dass der Abstand der Bumps (2) zueinander kleiner ist als die halbe Wellenlänge (l0/2) des abzustrahlenden oder zu empfangenden Mikrowellen-Signals und an mindestens einem Seitenwandpaar (3, 4) der Halbleitersubstrate (a, b) ein offener Abstrahlschlitz entsteht und dass zwischen den Bumps (2) und dem Abstrahlschlitz ein mit der Schaltung der Halbleiterbaugruppe verbundener Bump (6) angeordnet ist, über den die Anregung der Mikrowellenantenne erfolgt.

Abstract translation: 本发明涉及微波天线在倒装芯片技术制造的，用金属化在其表面上的半导体衬底的两个半导体组件。 是公知的所谓的补丁天线，其被金属化，从电路规模区域的其余部分隔绝在这样的组件的外表面与进料线连接到电路。 它们导致的相对大的角度的垂直波束宽度。 它提出，半导体衬底（A，B）凸点的封闭列车被布置成使得所述凸块（2）之间的距离较小彼此比辐射或接收的微波信号的波长的一半（L 0/2）之间，以及 至少一对侧壁（3,4）的半导体基板（A，b）形成，一个开放的辐射缝隙的，并且所述凸块（2）和辐射缝隙，一连接至所述半导体模块凸块（6）的电路之间设置，通过它的激励 微波天线发生。

公开(公告)号：WO2003019692A1

公开(公告)日：2003-03-06

申请号：PCT/EP2002/008267

申请日：2002-07-24

Applicant: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. ,  RUDOLPH, Matthias ,  HEYMANN, Peter

Inventor： RUDOLPH, Matthias ,  HEYMANN, Peter

IPC: H01L47/02

CPC classification number: H01L47/02

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Gunn-Effekt-Halbleiterbauelement wie ein GaAs-Hetero-Bipolar-Transistor (HBT) zur variablen, einstellbaren Erzeugung von elektrischen Schwingungen. Die Aufgabe der Erfindung, ein Gunn-Effekt-Halbleiterbauelement wie einen GaAs-HBT zu entwickeln, mit dem die beschriebenen Nachteile des Standes der Technik weitgehend vermieden werden und mit dem variable, einstellbare elektrische Schwingungen ohne externe Beschaltungen erzeugt werden können und welches als ein Frequenzvervielfacher und/oder als Oszillator in einer Schaltung eingesetzt werden kann, wird durch ein Gunn-Effekt-Halbleiter-Bauelement wie ein GaAs-Hetero-Bipolar-Transistor (HBT) zur variablen, einstellbaren Erzeugung von elektrischen Schwingungen gelöst, welches einen dicken Kollektor (3) aufweist, wobei in der Basis-Kollektor-Raumladungszone, deren Ausdehnung durch die angelegte Gleichspannung und -strom gesteuert wird, der Gunn-Effekt auftritt, sodass die Oszillationsfrequenz durch den Arbeitspunkt gesteuert wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种耿氏效应半导体器件，例如GaAs异质结双极晶体管（HBT），用于可变地调节产生的电振荡。 开发本发明以提供耿氏效应半导体器件中，如与该现有技术的上述缺点在很大程度上避免和可变的GaAs HBT的对象，可以无需外部配线来产生具有可调节的电振荡并用作倍频器 和/或可被用作在由耿氏效应半导体装置实现的电路，它是（HBT），例如用于可变地调节产生的电振荡，其厚集电极的的GaAs异质结双极晶体管的振荡器（3 ），其特征在于，所述耿氏效应在基极 - 集电极空间电荷区发生，其程度由所施加的直流电压控制和电流，以使振荡频率由工作点控制。

公开(公告)号：WO2023083900A1

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：PCT/EP2022/081345

申请日：2022-11-09

Applicant: TUBULIS GMBH ,  FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.

Inventor： HACKENBERGER, Christian ,  OCHTROP, Philipp ,  JAHZERAH, Jahaziel ,  MACHUI, Paul ,  SCHUMACHER, Dominik ,  HELMA-SMETS, Jonas ,  MAI, Isabelle ,  KASPER, Marc-André

IPC: A61K47/68

Abstract: The present invention relates to a conjugate having the formula (I): wherein a receptor binding molecule (RBM) is connected with a drug moiety (D). The present invention also relates to intermediates for producing the same, methods of preparing the same, pharmaceutical compositions comprising the same, as well as uses thereof.