公开(公告)号：KR1019960026437A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940036334

申请日：1994-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송윤호 ,  박경호 ,  남기수

IPC: H01L21/334

Abstract: 본 발명은 고화질의 액티브 매트릭스 액정표시장치(active matrix LCD)에서 패널의 픽셀 스위치(pixel switch) 또는 주변 구동집적회로(drive IC)에 유용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(polysilicon thin film transistor)를 제조하는 방법에관한 것이다.
본 발명은 박막 트랜지스터의 채널영역인 다결정 실리콘박막의 형성을 위한 비정질 실리콘의 고상결정화 공정을 고압의 산소분위기에서 수행함으로써, 결정핵 생성 및 결정립 공정을 짧은 시간내에 유도하여 전체적인 고상결정화 열처리 시간을 단축함과 동시에 균일한 결정립을 가진 양질의 다결정 실리콘으로 이루어진 채녈영역을 형성한다.

公开(公告)号：KR1019960004903B1

公开(公告)日：1996-04-17

申请号：KR1019920025025

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 송윤호 ,  백종태 ,  남기수

IPC: C30B29/06

Abstract: The method of fabricating a semiconductor device is proceeded in such a manner that amorphous silicon is deposited on a substrate(1) and undergoes rapid thermal process to form crystalline nucleus, and then the amorphous silicon undergoes low temperature thermal process to grow grain boundary, thereby forming polycrystalline silicon(3) in high quality.

Abstract translation: 制造半导体器件的方法以非晶硅沉积在衬底（1）上并进行快速热处理以形成晶核的方式进行，然后非晶硅经历低温热处理以生长晶界，由此 以高品质形成多晶硅（3）。

公开(公告)号：KR1019940016941A

公开(公告)日：1994-07-25

申请号：KR1019920025019

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 남기수 ,  백종태 ,  송윤호

IPC: H01L29/772

Abstract: 본 발명은 LCD용 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 유리 혹은 석영기판(10) 위에 비정질 실리콘이나 다결정 실리콘 박막을 증착하고 결정화하여 다중채널을 갖는 활성층(20)을 형성하고, 게이트 산화막(30)을 형성한 후 이중 게이트전극을 만든 다음 불순물을 주입하여 소오스, 드레인(40)을 형성한 다음, 금속막 또는 투명전도막을 증착한 후 전극을 형성함으로써 이중게이트, 다중채널 구조를 갖는 N-채널 혹은 P-채널 박막 트랜지스터를 제조할 수 있는 것이다.