-
公开(公告)号：KR102231275B1
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020160088781A
申请日：2016-07-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J35/08
CPC classification number: H01J35/08 , H01J2235/087
Abstract: 본 발명은 엑스선 튜브에 관한 것으로, 구체적으로 자기 렌즈 등 전자빔 집속에 필요한 구성 요소를 제거하고, 단순한 구조로 나노미터 급 크기의 포컬 스팟(focal spot)을 갖는 엑스선을 발생시키는 엑스선 튜브에 관한 것이다.
이에 따른 본 발명은, 전자빔을 방출하는 전자빔 발생부, 상기 전자빔 발생부에서 방출된 전자빔을 제한하는 제한 전극부 및 상기 제한된 전자빔이 충돌하여 엑스선을 방출하는 타겟 물질을 포함하는 타겟부로 구성되되, 상기 제한 전극부는, 상기 방출된 전자빔 중 일부의 전자빔을 통과시켜 상기 타겟부로 전달하는 전자빔 제한 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 엑스선 튜브에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR102238574B1
公开(公告)日：2021-04-12
申请号：KR1020170082825A
申请日：2017-06-29
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J35/14 , H01J35/065
Abstract: 본 발명은 전계 방출 장치에 관한 것이다. 본 발명의 전계 방출 장치는 서로 이격된 캐소드 전극과 아노드 전극; 상기 캐소드 전극 상의 에미터; 상기 캐소드 전극과 상기 아노드 전극 사이에 위치되고, 상기 에미터와 중첩되는 게이트 개구를 갖는 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극 상에 위치되고, 상기 게이트 개구와 중첩되는 복수의 미세 개구들을 갖는 전자 투과 시트를 포함한다.
-
-
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101868009B1
公开(公告)日：2018-06-18
申请号：KR1020120064759
申请日：2012-06-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J35/065 , H01J3/14 , H01J29/481 , H01J29/488 , H01J29/51 , H01J29/58 , H01J29/82 , H01J35/14
Abstract: 전계방출엑스선원이제공된다. 이엑스선원은진공용기의일 단부에구비되되, 전계방출에미터를포함하는캐소드전극, 캐소드전극에인접하도록진공용기의내부에구비되되, 제 1 개구를갖는게이트전극, 게이트전극과전기적으로연결되면서, 캐소드전극으로부터게이트전극보다먼 상기게이트전극의일 면상에구비되되, 제 1 개구보다넓은폭을갖는제 2 개구를갖는집속전극, 및진공용기가연장되는방향의타 단부측의진공용기의내부에구비되는애노드전극을포함한다. 집속전극의높이는제 2 개구의폭과동일하고, 그리고제 1 개구의폭은제 2 개구의폭의 1/3 이하이다.
-
公开(公告)号：KR101858230B1
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：KR1020120064758
申请日：2012-06-18
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01J35/14
Abstract: 엑스선원이제공된다. 이엑스선원은진공용기의일 단부에구비되되, 전자를방출하는에미터를포함하는캐소드전극, 캐소드전극에인접하도록진공용기의내부에구비되는게이트전극, 진공용기가연장되는방향의타 단부측의진공용기의내부에구비되되, 캐소드전극에대해기울어져있는애노드전극, 및게이트전극과애노드전극사이의진공용기의내주면을따라구비되는집속전극을포함한다. 집속전극은평단면이서로다른최소폭 및최대폭을갖는개구를가진다.
-
公开(公告)号：KR101827495B1
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：KR1020120136141
申请日：2012-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J1/30 , H01L29/739
Abstract: 본발명은전류제어장치및 그것을포함하는전계방출시스템에관한것이다. 본발명의, 인가전압에응답하여전자를방출하는전계방출장치와연결되어, 전계방출전류를제어하는전류제어장치는, 제 1 게이트전압에응답하여전류통로를형성하는제 1 전류제어트랜지스터, 상기전계방출장치과상기제 1 전류제어트랜지스터사이에연결되고, 제 2 게이트전압에응답하여전류통로를형성하는제 2 전류제어트랜지스터및 상기제 1 및제 2 게이트전압을제어하기위한제어로직을포함하며, 상기제어로직은상기제 1 게이트전압을이용하여상기전계방출전류의임계값을제한한다. 본발명에의한전류제어장치및 그것을포함하는전계방출시스템에의하면, 전계방출전류는일정하게유지될수 있다. 또한일정하게유지되는전계방출전류의레벨은원하는값으로설정될수 있다.
Abstract translation: 电流控制装置以及包括该电流控制装置的场致发射系统 连接到响应于施加的电压而发射电子并控制场发射电流的场致发射器件的电流控制器件包括响应于第一栅极电压而形成电流通路的第一电流控制晶体管， 第二电流控制晶体管，连接在场致发射器件和第一电流控制晶体管之间，并响应于第二栅极电压而形成电流路径;以及控制逻辑，用于控制第一和第二栅极电压， 控制逻辑使用第一栅极电压来限制场发射电流的阈值。 根据本发明的电流控制装置和包括该电流控制装置的场致发射系统，场发射电流可以保持恒定。 而且，保持恒定的场发射电流的电平可以设定为期望的值。
-
公开(公告)号：KR101823876B1
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：KR1020110073203
申请日：2011-07-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01J35/02
CPC classification number: H01J35/04 , H01J35/08 , H01J35/16 , H01J2235/16
Abstract: 본발명은스페이서를이용한적층형엑스선관장치에관한것으로서, 상세하게는배기구, 캐소드, 게이트, 집속전극및 아노드사이에절연스페이서(예컨대, 세라믹등)를삽입하고접합물질로각각접합시켜적층형구조의엑스선관을제작하고, 캐소드기판상의전계방출에미터와게이트전극과연결된게이트홀 사이에스페이서를삽입함으로써, 각전극마다전기적절연및 기설정된간격이유지되면서도적층형제작하여엑스선관의크기를줄일수 있는, 스페이서를이용한적층형엑스선관장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种多层透视管道的节点和分别结合到所述层叠结构的接合材料X之间使用间隔物，特别是排气口，阴极，栅极，通过插入绝缘衬垫聚焦电极和O（例如，陶瓷等） 一种制造管和，通过将米和栅电极和连接到设置在阴极基板上的场致发射栅极孔之间的间隔物，是电绝缘的并且以预定的间隔给每个电极，而在层压板生产是这样可以降低X射线管的尺寸， 本发明涉及使用间隔物的多层x射线管道系统。
-
公开(公告)号：KR1020170114903A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：KR1020160096071
申请日：2016-07-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C09K5/14 , H01B3/30 , C01B21/064 , C01B31/02 , C01B31/04
Abstract: 열전도성조성물은고분자물질을포함하는베이스수지; 상기베이스수지내에분산된 0.1wt% 내지 30wt%의탄소계나노필러들; 상기베이스수지내에분산되고, 질화-붕소나노입자, 질화-붕소나노판및 이들의혼합물중 하나를포함하는 0.1wt% 내지 30wt%의질화-붕소계나노필러들; 및상기베이스수지내에분산되고, 상기탄소계나노필러들및 질화-붕소계나노필러들중 인접하는나노필러들을열적으로연결하는 0.1wt% 내지 20wt%의질화-붕소계나노튜브를포함할수 있다.
Abstract translation: 该导热组合物包含含有聚合物材料的基础树脂; 分散在基础树脂中的0.1-30重量％的碳纳米管; 硼基纳米填料，其分散在基础树脂中并且含有0.1重量％至30重量％的硝酸盐 - 硼纳米颗粒，氮化硼纳米颗粒及其混合物中的一种; 硼基纳米管分散在基础树脂中并且将碳基纳米填料和氮化硼基纳米填料中的相邻纳米填料热连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
243
records
(took 0.023 seconds)
