公开(公告)号：KR100331032B1

公开(公告)日：2002-04-06

申请号：KR1019990040257

申请日：1999-09-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남기수 ,  김상기 ,  구진근 ,  조경익

IPC: H01L27/085

Abstract: 본발명은리튬이온이차전지보호회로, DC-DC 변환기, 모터등에사용되는저전압대전류고집적트렌치게이트전력소자제조방법에관한것이다. 본발명은 P-웰 (또는 N-웰) 마스크와소오스마스크를사용하지않고트렌치게이트마스크를이용하여먼저 P-웰 (또는 N-웰영역)을형성한후, 측벽막을형성하여이를마스크로사용하여트렌치구조와트렌치게이트를순차형성하고, 소오스영역을형성함으로써사용되는마스크의수를줄여제조공정을단순화한것이다. 따라서, 본발명의트렌치게이트전력소자제조방법을이용하면적은수의마스크사용으로생산성향상과더불어제조원가를낮출수 있다. 또한트렌치게이트를중심으로마스크사용없이 P-웰영역(또는 N-웰영역)과 N+ 소오스영역(또는 P+ 영역)을형성함에따라소자의정렬오차가줄어고집적화함으로써전력소자의주요변수인온 저항을낮출수 있으며, 고집적트렌치게이트전력소자를제조할수 있다.

公开(公告)号：KR100306744B1

公开(公告)日：2001-12-17

申请号：KR1019980049309

申请日：1998-11-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남기수 ,  노태문 ,  김상기 ,  김종대 ,  이대우 ,  구진근 ,  김대용

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 스텝모터, 자동차, 평판 디스플레이 구동 집적회로 등에 사용되는 고 전압 전력소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 실리콘 기판 위에 웰을 형성하고, 드레인 영역과 소오스 영역을 형성하는 공정과; 트렌치 구조를 형성하는 공정과; 산화막을 성장한 후, 트렌치 측벽에 실리콘 질화막을 형성하는 공정과; 드리프트 영역의 상기 실리콘 질화막 측벽을 제거 한 후 제 1필드 산화막을 성장하고, 채널 영역의 상기 실리콘 질화막을 제거한 다음 상기 제 1필드 산화막 보다는 얇은 두께의 게이트 산화막을 성장하는 공정과; 불순물이 도핑된 다결정실리콘 박막을 증착하여 게이트 전극을 형성하는 공정과; 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정을 포함하는 트렌치 게이트 전력소자 제조방법을 제공한다. 또, 본 발명은 먼저 트렌치 구조를 형성한 후, 웰, 소오스, 드레인 영역을 형성하고, 트렌치 게이트를 형성하는 순서로 트렌치 게이트 전력소자를 제조할 수 있다. 이와 같은 본 발명은, 수직채널 구조를 제공하고, 소자가 차지하는 면적을 줄임과 동시에 높은 항복 전압과 낮은 ON-저항값을 갖는 전력소자를 제조할 수 있고, 얇은 게이트 단일 산화막을 사용한 전력소자보다 전류 이득의 감소 없이 항복 전압 특성을 향상시킬 수 있는 전력소자 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020010017802A

公开(公告)日：2001-03-05

申请号：KR1019990033494

申请日：1999-08-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 노태문 ,  이대우 ,  남기수 ,  구진근

IPC: H01L27/08

Abstract: PURPOSE: A power integrated circuit structure which is easily manufactured and whose characteristic is easily controlled is provided to simplify a manufacturing process, by mixing a lateral double-diffused metal oxide semiconductor(LDMOS) transistor of a non reduced-surface(RESURF) type and an LDMOS transistor of a non-RESURF type. CONSTITUTION: A power integrated circuit includes a lateral double-diffused metal oxide semiconductor(LDMOS) transistor of the first conductivity type, an LDMOS transistor of the second conductivity type and a complementary metal oxide semiconductor(CMOS) transistor which are supplied on an active silicon layer of a silicon-on-insulator(SOI) substrate. The LDMOS transistor of the first conductivity type is formed in the deep second conductive well of the active silicon layer as a reduced-surface (RESURF) field type. The LDMOS transistor of the second conductivity type is formed in the deep second conductive well of the active silicon layer as a non-RESURF field type.

Abstract translation: 目的：提供易于制造且易于控制其特性的功率集成电路结构，以通过将非还原表面（RESURF）型的横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管和 非RESURF型的LDMOS晶体管。 构成：功率集成电路包括第一导电类型的横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，第二导电类型的LDMOS晶体管和互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管，其被提供在活性硅上 绝缘体上硅（SOI）衬底的层。 第一导电类型的LDMOS晶体管形成在活性硅层的深第二导电阱中作为还原表面（RESURF）场型。 第二导电类型的LDMOS晶体管作为非RESURF场类型形成在有源硅层的深第二导电阱中。

公开(公告)号：KR100273132B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019970051196

申请日：1997-10-06

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강진영 ,  이대우 ,  김상기 ,  남기수 ,  구진근 ,  노태문 ,  김종대

IPC: H01L27/10

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a power integrated circuit device having a reverse well structure is provided to easily make an n-type or p-type deep junction of a low density drift region by preventing surface density of a deep well from being unnecessarily high, to maximize a reduced surface field(RESURF) effect in the drift region by making a well density under the drift region have a high density structure, and to prevent punch-through caused by the drift region and a p-type substrate. CONSTITUTION: An n- buried layer(39) is formed in a portion where a high voltage p-type metal-oxide-semiconductor(PMOS) device is to be formed on a p-type substrate(21). A p- buried layer(40) is formed in a portion where a high voltage n-type metal-oxide-semiconductor(NMOS) device and a complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) device are to be formed on the substrate. An oxide layer is entirely removed. After a cleaning process, an n- epi layer(22) is grown on the entire surface of a wafer. P-type impurity ions are implanted into the n- epi layer portion grown on the p- buried layer, and annealed to form a deep p- well(41). The high voltage PMOS device is formed in the n- epi layer portion grown on the n- buried layer. The high voltage NMOS device and the CMOS device are formed in the deep p- well portion.

Abstract translation: 目的：提供一种制造具有反向阱结构的功率集成电路器件的方法，通过防止深阱的表面密度不必要地高而容易地形成低密度漂移区的n型或p型深结， 通过在漂移区域下方的阱密度具有高密度结构并且防止由漂移区域和p型衬底引起的穿通而使漂移区域中的减小的表面场（RESURF）效应最大化。 构成：在p型衬底（21）上将形成高压p型金属氧化物半导体（PMOS）器件的部分中形成n埋层（39）。 在衬底上要形成高电压n型金属氧化物半导体（NMOS）器件和互补金属氧化物半导体（CMOS）器件的部分中形成p埋层40。 氧化层被完全去除。 在清洁过程之后，在晶片的整个表面上生长n-外延层（22）。 将P型杂质离子注入到在p埋层上生长的n-epi层部分中，并退火形成深p-阱（41）。 高电压PMOS器件形成在n埋层上生长的n-epi层部分中。 高电压NMOS器件和CMOS器件形成在深p-阱部分中。

公开(公告)号：KR100270334B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019970064080

申请日：1997-11-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최성우 ,  남기수 ,  이해권 ,  심규환 ,  백문철

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: An adaptor for an epitaxial apparatus is provided to prevent air pollution of a vacuum chamber, by repairing broken parts or exchanging raw materials induced to the vacuum chamber while maintaining the vacuum state of the vacuum chamber and eliminating the vacuum state in a local portion. CONSTITUTION: A switching unit induces and maintains vacuum, mounted in a flange of an inlet of a vacuum chamber. A bellows-type adaptor(13) extends and contracts to eliminate only local vacuum between the switching unit and a flange of a crucible. A flange is mounted in upper and lower portion of the bellow-type adaptor. One side of a guide bar(17) is fixed in an upper flange of the adaptor, and the other side of the guide bar penetrates a lower flange of the adaptor. A length control unit(16) is mounted in the guide bar penetrating the lower flange of the adaptor.

Abstract translation: 目的：提供一种用于外延设备的适配器，以通过在保持真空室的真空状态并且消除局部部分中的真空状态的同时修复破碎的部件或更换感应到真空室的原料来防止真空室的空气污染 。 构成：开关单元引导和维持真空，安装在真空室入口的法兰中。 波纹管式适配器（13）延伸和收缩，以消除开关单元和坩埚的凸缘之间的仅局部真空。 波纹管式适配器的上部和下部安装有法兰。 引导杆（17）的一侧固定在适配器的上凸缘中，导杆的另一侧穿过适配器的下凸缘。 长度控制单元（16）安装在引导杆中，穿过适配器的下凸缘。

公开(公告)号：KR100258180B1

公开(公告)日：2000-06-01

申请号：KR1019970045655

申请日：1997-09-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남기수 ,  백문철

IPC: G02B5/00

Abstract: PURPOSE: A micro-convergent mirror manufacturing method is provided to enhance convergence and condensing capability of a micro-electromotive device by forming a micro-convergent mirror on the micro-electromotive device. CONSTITUTION: The first and second oxide films(2,3) are layered on a silicon substrate(1). A photosensitive film is coated on the second oxide film(3) with a circular hole. The oxide films(2,3) are etched to form a recess with a cross section shaped as an ellipse. The photosensitive film is removed, and an aluminum film is deposited on an etched face of the ellipse to form a mirror reflective layer. An aluminum thin film(6) is coated on the ellipse to form a convergent mirror. The aluminum thin film(6) is made as thin as possible to maintain the sphericity of the mirror. A transparent thin film is coated on the aluminum thin film(6) to protect the aluminum thin film(6).

Abstract translation: 目的：提供一种微聚光镜制造方法，通过在微电动装置上形成微会聚反射镜，提高微电动装置的会聚和冷凝能力。 构成：第一和第二氧化物膜（2,3）层叠在硅衬底（1）上。 在圆形孔的第二氧化膜（3）上涂布感光性膜。 氧化膜（2,3）被蚀刻以形成具有椭圆形的截面的凹部。 除去感光性膜，在该椭圆形蚀刻面上沉积铝膜，形成镜面反射层。 在椭圆上涂覆铝薄膜（6）以形成会聚反射镜。 铝薄膜（6）制成尽可能薄，以保持反射镜的球形度。 在铝薄膜（6）上涂覆透明薄膜以保护铝薄膜（6）。

公开(公告)号：KR1019990084634A

公开(公告)日：1999-12-06

申请号：KR1019980016540

申请日：1998-05-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이대우 ,  노태문 ,  구진근 ,  남기수

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 반도체 기술분야에 관한 것으로, 특히 원형 전류제어 전력소자(race-track type current-controlled power device)에 관한 것이며, 드레인 부근에서의 전계집중 효과를 완화시켜 항복전압을 높일 수 있고, 전류제어가 용이한 원형 전류제어 전력소자를 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 위해 본 발명의 원형 전류제어 전력소자는 채널영역이 표류영역에서 부분적으로 돌출된 톱니(이하 '톱니형 채널') 구조를 가지며, 동시에 채널과 채널 사이로 드레인 영역으로부터 돌출된 톱니(이하 '톱니형 드레인') 구조를 가진다. 즉, 본 발명에서 제안하는 원형 전류제어 전력소자는 원형의 LDMOS 소자로서 톱니형 채널 사이에는 필드 산화막이 있어서 채널과 채널간을 격리시키며, 이에 대응하여 톱니형 드레인이 표류영역의 길이만큼 떨어져서 톱니형 채널과 서로 어긋나게 맞물려있다. 따라서 톱니형 채널과 톱니형 드레인의 폭을 조절함으로서 드레인 전류를 쉽게 제어할 수 있으며, 전계집중 효과를 완화시킴으로서 종래의 원형 전력소자보다 항복전압을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990051082A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970070321

申请日：1997-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유현규 ,  박민 ,  이상국 ,  남기수

IPC: H01L27/06

Abstract: 본 발명은 초고주파 공진 집적회로에 관한 것으로서, 특히 인덕터 내경에 커패시터를 배치한 초고주파 공진회로 설계방법 및 그 구조에 관한 것이다. 본 발명은 집적형 인덕터와 집적형 커패시터를 이용하여 초고주파 공진회로를 구성하는 단계; N층 금속선과 N-1층 금속선 및 금속층간 절연막으로 집적형 인덕터를 구성하는 단계; 인덕터의 입력단을 N층 금속선으로 구성하고 인덕터의 종단을 콘택홀을 통해 N-1금속층과 연결한뒤 N-1층 금속선으로 출력단을 구성하는 단계; 불순물이 도핑된 M층 다결정실리콘과 M-1층 다결정실리콘 및 다결정실리콘층간의 절연막으로 구성된 커패시터를 구성하는 단계; 상기의 커패시터를 인덕터의 내경에 배치하는 단계; N-1층 금속선을 이용하여 M층 및 M-1층 다결정실리콘을 각각 연결하여 커패시터를 구성하는 단계; 커패시터의 연결 금속선인 N-1층 금속선을 인덕터 내경에서 인덕터 바깥쪽인 입력단까지 연결하고 인덕터 입력단의 N층 금속막과 콘택홀을 통해 연결하는 단계; 인덕터 내경에 배치되어 있는 인덕터 종단의 N층 금속막과 커패시터의 연결 금속선인 N-1층 금속선을 콘택홀을 통해 연결하고 N-1층 금속막을 인덕터 외부로 연결, 배치하는 단계; 상기의 인덕터와 커패시터를 연결하는 단계에서 입력단 금속선과 연결되는 커패시터의 다결정실리콘이 M-1층이고 인덕터의 종단 금속선과 연결되는 커패시터의 다결정실리콘이 M층이 되게 구성하는 단계; 혹은 상기의 인덕터와 커패시터를 연결하는 단계에서 입력단 금속선과 연결되는 커패시터의 다결정실리콘이 M층이고 인덕터의 종단 금속선과 연결되는 커패시터의 다결정실리콘이 M-1층이 되게 함으로써 인덕터 내경에 커패시터를 배치하여 커패시터 배치를 위한 별도의 칩 면적을 없애줌으로써 칩면적을 줄이고 이와 동시에 별도배치에 따른 기생성분을 감소시키는 것을 특징으로 하는 초고주파 공진회로를 구현하는 것이다.

公开(公告)号：KR1019990051071A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970070310

申请日：1997-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김종대 ,  이상용 ,  김상기 ,  구진근 ,  남기수

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명에서는 고내압 LDMOSFET에서 항복전압의 향상을 위해서 드리프트 영역에 매몰된 전계제한링(Embeded Field Limiting Ring)을 형성시켜서 표면의 채널과 드리프트 영역 사이에서 일어나는 항복 현상을 효과적으로 줄이기 위한 구조이다. 매몰된 전계제한링은 고에너지의 이온 임플란터를 이용해서 드리프트 영역의 중간 깊이에 위치하게 공정이 가능하며 드리프트 영역과 반대되는 형의 도우판트를 주입시켜 형성시킨다. 따라서, 본 발명에서는 온 저항을 효과적으로 줄일 수 있는 수평전력소자의 드리프트 영역에 매몰되는 전계제한링을 제안하였는데 공핍현상이 드리프트 영역의 중앙에 위치하는 링의 위아래로 퍼져나가므로, 표면전계완화 효과를 더욱 쉽게 얻을 수 있어 소자의 온 저항을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990050453A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970069572

申请日：1997-12-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 여순일 ,  곽명신 ,  남기수

IPC: H04N17/00

Abstract: 본 발명은 무선으로 송수신되는 패턴 발생장치에 관한 것으로서, 본 발명에서 제공하는 패턴 발생장치는 상기 패턴 발생장치의 표시부로 데이터를 입출력하는 패턴 발생 장치 자체 입출력 수단과, 여러 가지 패턴들을 국제 규격에 맞추어 각 패턴에 해당하는 주파수의 형태로 각종 패턴들을 생성시켜 주는 패턴 발생 제어 수단과, 상기 TV 수상기나 컴퓨터 모니터와 무선 송수신을 수행하는 무선 입출력 인터페이스 수단과, 상기 TV 수상기나 컴퓨터 모니터로부터 수신된 정보를 분석하여 고장 여부 및 고장의 정도를 진단하여 그 결과를 알려주는 고장 진단 수단과, 상기 패턴 발생 장치 자체 입출력 수단과, 패턴 발생 제어 수단과, 무선 입출력 인터페이스 수단 및 고장 진단 수단의 처리를 제어하는 장치 전체 제어 수단과, 상기 TV 수상기나 컴퓨터 모니� � 측에 연결되어 패턴 발생 장치에서 보내준 패턴 정보를 수상기 쪽으로 정확하게 전달시켜주고, 상기 TV 수상기나 컴퓨터 모니터의 상태를 나타내는 정보를 패턴 발생 장치 쪽으로 전송하는 무선 송수신 수단으로 구성되어, 이동에 편리하며, 수상기 고장의 진단과 아울러 그 처방까지 보여주도록 함으로써 미숙련 기술자이더라도 고장에 대한 적절한 조치를 취할 수 있는 장점이 있다.