公开(公告)号：WO2013040483A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：PCT/US2012/055611

申请日：2012-09-14

Applicant: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION ,  HITACHI LTD. ,  NEALEY, Paul Franklin ,  KANG, Huiman ,  LIU, Guoliang ,  YOSHIDA, Hiroshi ,  RAMIREZ-HERNANDEZ, Abelardo ,  DE PABLO, Juan Jose ,  TADA, Yashuhiko

Inventor： NEALEY, Paul Franklin ,  KANG, Huiman ,  LIU, Guoliang ,  YOSHIDA, Hiroshi ,  RAMIREZ-HERNANDEZ, Abelardo ,  DE PABLO, Juan Jose ,  TADA, Yashuhiko

IPC: B82Y30/00

CPC classification number: B32B3/10 ,  B32B37/14 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  Y10T428/24851

Abstract: Provided are methods of fabricating thin film structures that involve assembling block copolymer materials in the presence of condensed phase surfaces on both sides of the thin film, at least one of which is a chemically patterned surface configured to direct the assembly of the block copolymer material. According to various embodiments, the other of the condensed phase surfaces can be a chemically homogenous surface or a chemically patterned surface. Also provided are structures, morphologies, and templates formed in the domain structure of block copolymer materials. In certain embodiments, complex 3-D morphologies and related structures not present in bulk block copolymer materials are provided.

Abstract translation: 提供了制造薄膜结构的方法，其涉及在存在薄膜两侧上的凝聚相表面的情况下组装嵌段共聚物材料，其中至少一个是构造成引导嵌段共聚物材料组装的化学图案化表面。 根据各种实施方案，另一个冷凝相表面可以是化学均匀的表面或化学图案化的表面。 还提供了在嵌段共聚物材料的畴结构中形成的结构，形态和模板。 在某些实施方案中，提供了本体嵌段共聚物材料中不存在的复合体3-D形态和相关结构。

公开(公告)号：WO2012106120A2

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：PCT/US2012021780

申请日：2012-01-18

Applicant: SEAGATE TECHNOLOGY LLC ,  YANG XIAOMIN ,  HU WEI ,  YU ZHAONING ,  HWU JUSTIN J ,  LEE KIM Y

Inventor： YANG XIAOMIN ,  HU WEI ,  YU ZHAONING ,  HWU JUSTIN J ,  LEE KIM Y

IPC: B29C59/02 ,  G11B5/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/165 ,  Y10T428/24479

Abstract: A method of self-assembling density multiplied block copolymers (BCP) structures includes applying a block copolymer (BCP) to a feature-imprinted resist layer. The BCP is thermally annealed to laterally segregate the BCP into self-assembled columns of a first polymer block surrounded by a second polymer block.

Abstract translation: 自组装密度倍增嵌段共聚物（BCP）结构的方法包括将嵌段共聚物（BCP）施加到特征印记的抗蚀剂层上。 BCP被热退火以将BCP横向分离成由第二聚合物嵌段包围的第一聚合物嵌段的自组装柱。

公开(公告)号：WO2012048870A3

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：PCT/EP2011005122

申请日：2011-10-12

Applicant: MAX PLANCK GESELLSCHAFT ,  MORHARD CHRISTOPH ,  PACHOLSKI CLAUDIA ,  SPATZ JOACHIM P ,  FACHHOCHSCHULE JENA ,  BRUNNER ROBERT

Inventor： MORHARD CHRISTOPH ,  PACHOLSKI CLAUDIA ,  SPATZ JOACHIM P ,  BRUNNER ROBERT

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B29C59/002 ,  B81C99/009 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0002

Abstract: The present invention relates to an improved process for producing highly ordered nanopillar or nanohole structures, in particular on large areas, which can be used as masters in NIL, hot embossing or injection molding processes. The process involves decorating a surface with an ordered array of metal nanoparticles produced by means of a micellar block- copolymer nanolithography process; etching the primary substrate to a depth of 50 to 500 nm, where the nanoparticles act as a mask and an ordered array of nanopillars or nanocones corresponding to the positions of the nanoparticles is thus produced; using the nanostructured master or stamp in a structuring processes. Also the finished nanostructured substrate surface can be used as a sacrificial master which is coated with a continuous metal layer and the master is then etched away to leave a metal stamp having an ordered array of nanoholes which is a negative of the original array of nanopillars or nanocones.

Abstract translation: 本发明涉及用于生产高度有序的纳米柱或纳米孔结构的改进方法，特别是在大面积上，其可以用作NIL，热压花或注射成型工艺中的主机。 该方法涉及用具有通过胶束嵌段共聚物纳米光刻法制备的金属纳米粒子的有序阵列来装饰表面; 将主衬底蚀刻至50至500nm的深度，其中纳米颗粒用作掩模，因此产生对应于纳米颗粒的位置的纳米级或纳米颗粒的有序阵列; 在结构化过程中使用纳米结构化的主体或印章。 此外，成品纳米结构化基材表面也可以用作涂覆有连续金属层的牺牲母体，然后将母体蚀刻掉，留下具有纳米孔的有序排列的金属印模，其是原始阵列的纳米柱的负数，或 纳米锥。

公开(公告)号：WO2010096363A3

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：PCT/US2010024248

申请日：2010-02-16

Applicant: ARKEMA INC ,  PAPAKONSTANTOPOULOS GEORGE J ,  OLSEN ADAM ,  DESPOTOPOULOU MARINA ,  JUHASZ NIKOLA

Inventor： PAPAKONSTANTOPOULOS GEORGE J ,  OLSEN ADAM ,  DESPOTOPOULOU MARINA ,  JUHASZ NIKOLA

IPC: B82B3/00 ,  B29C41/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B81C2201/0149

Abstract: The invention relates to a new nanofabrication method especially useful for patterns of two or more different sizes, shapes and/or heights. The method is especially useful for compositions containing block copolymers. The method involves coating the composition onto a multi-patterned substrate, with self-assembly of the polymer components to match the pattern, and the selective removal of the polymer components. A complementary technique is described where a polymer composition comprising domains of different chemical/physical properties can be used to create/change a structure after the application of a stimulus, where the polymeric composition is in bulk form, as a film, or as a coating on an unpatterned or patterned substrate. This structure can be dynamically controlled via the application of the stimulus. The invention is especially useful in the field of integrated circuits, and relates to a means of reducing transistor size and spacing.

Abstract translation: 本发明涉及对两种或更多种不同尺寸，形状和/或高度的图案特别有用的新的纳米制造方法。 该方法对于含有嵌段共聚物的组合物是特别有用的。 该方法包括将组合物涂覆到多图案化基底上，聚合物组分的自组装以匹配图案，以及选择性去除聚合物组分。 描述了一种补充技术，其中包含不同化学/物理性质的结构域的聚合物组合物可用于在施加刺激之后产生/改变结构，其中聚合物组合物为块状，作为膜，或作为涂层 在未图案化或图案化的衬底上。 可以通过应用刺激来动态地控制该结构。 本发明在集成电路领域中特别有用，并且涉及减小晶体管尺寸和间隔的手段。

公开(公告)号：WO2010079005A1

公开(公告)日：2010-07-15

申请号：PCT/EP2009/065847

申请日：2009-11-25

Applicant: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  IBM UNITED KINGDOM LIMITED ,  LI, Wai-Kin ,  YANG, Haining ,  COLBURN, Matthew

Inventor： LI, Wai-Kin ,  YANG, Haining ,  COLBURN, Matthew

IPC: G03F7/40 ,  G03F7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

Abstract: This invention provides a method for reducing tip-to-tip spacing between lines using a combination of photolithographic and copolymer self-assembling lithographic techniques. A mask layer is first formed over a substrate with a line structure. A trench opening of a width d is created in the mask layer. A layer of a self-assembling block copolymer is then applied over the mask layer. The block copolymer layer is annealed to form a single unit polymer block of a width or a diameter w which is smaller than d inside the trench opening. The single unit polymer block is selectively removed to form a single opening of a width or a diameter w inside the trench opening. An etch transfer process is performed using the single opening as a mask to form an opening in the line structure in the substrate.

Abstract translation: 本发明提供了使用光刻和共聚物自组装光刻技术的组合来减少线之间的尖端到尖端间隔的方法。 首先在具有线结构的衬底上形成掩模层。 在掩模层中形成宽度为d的沟槽开口。 然后将一层自组装嵌段共聚物施加在掩模层上。 对嵌段共聚物层进行退火以在沟槽开口内形成宽度或直径w小于d的单一单元聚合物嵌段。 选择性地去除单个单元聚合物嵌段以在沟槽开口内形成宽度或直径w的单个开口。 使用单个开口作为掩模进行蚀刻转印处理，以在基板中的线结构中形成开口。

公开(公告)号：WO2009117243A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：PCT/US2009/035861

申请日：2009-03-03

Applicant: MICRON TECHNOLOGY, INC. ,  MILLWARD, Dan, B. ,  QUICK, Timothy

Inventor： MILLWARD, Dan, B. ,  QUICK, Timothy

IPC: H01L21/033 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/76828 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  C08F299/02 ,  C08F299/0492 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877

Abstract: Methods for fabricating sublithographic, nanoscale microstructures utilizing self-assembling block copolymer, and films and devices formed from these methods are provided.

Abstract translation: 提供了利用自组装嵌段共聚物制造亚光刻，纳米级微结构的方法，以及由这些方法形成的膜和器件。

公开(公告)号：WO2009117238A2

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：PCT/US2009035804

申请日：2009-03-03

Applicant: MICRON TECHNOLOGY INC ,  REGNER JENNIFER KAHL

Inventor： REGNER JENNIFER KAHL

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00031 ,  B05D1/34 ,  B05D3/0254 ,  B05D5/00 ,  B05D5/12 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  C08L53/00 ,  C08L53/005 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/24182 ,  C08L2666/02

Abstract: Methods for fabricating arrays of nanoscaled alternating lamellae or cylinders in a polymer matrix having improved long range order utilizing self-assembling block copolymers, and films and devices formed from these methods are provided.

Abstract translation: 提供了使用自组装嵌段共聚物改进长程顺序的聚合物基体中的纳米级交替薄片或圆筒阵列的方法，以及由这些方法形成的薄膜和器件。

公开(公告)号：WO2008118635A3

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：PCT/US2008056584

申请日：2008-03-12

Applicant: MICRON TECHNOLOGY INC ,  MILLWARD DAN B

Inventor： MILLWARD DAN B

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02002 ,  B05D3/007 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144

Abstract: Methods for fabricating sublithographic, nanoscale microchannels utilizing an aqueous emulsion of an amphiphilic agent and a water-soluble, hydrogel-forming polymer, and films and devices formed from these methods are provided.

Abstract translation: 提供了利用两亲性试剂和水溶性，水凝胶形成聚合物的水性乳液制造亚光刻纳米尺寸微通道的方法，以及由这些方法形成的膜和器件。

公开(公告)号：WO2009002215A1

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：PCT/RU2008/000331

申请日：2008-05-28

Applicant: XAPTOB, Станислав Викторович ,  НЕВОЛИН, Владимир Кириллович

Inventor： XAPTOB, Станислав Викторович ,  НЕВОЛИН, Владимир Кириллович ,  СИМУНИН, Михаил Максимович

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B81B7/04 ,  B81B2201/0214 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y30/00 ,  G01N29/036 ,  G01N2291/0256

Abstract: Изобретение относится к микро- и наноэлектромеханическим устройствам и к способу их изготовления. В одном из вариантов реализации изобретения в основе получения наноэлектромеханической структуры лежат механизмы самоорганизации и самосовмещения, в результате чего ее существенные геометрические параметры не испытывают ограничения со стороны возможностей традиционной фотолитографии. Данное обстоятельство обеспечивает достижение степени интеграции до 10 16 м -2 и выше. Кроме того, в одном из аспектов изобретения в качестве независимой координаты адресации элементов используется их резонансная частота, что позволяет уменьшить плотность необходимых межсоединений. В другом аспекте изобретения обеспечивается датчик газов, обладающий высокой чувствительностью измерения концентрации определенных газов или частиц в атмосфере, универсальными и гибкими механизмами селективности, контролируемым процессом регенерации сенсорной способности. Предложенная структура обеспечивает простой способ измерения резонансной частоты осциллирующего элемента, не предполагающий анализ высокочастотного сигнала.

Abstract translation: 本发明涉及微机电装置和纳米机电装置及其生产方法。 用于制造纳米机电结构的本发明方法的一个变型是基于自组织和自对准机构的使用，从而相对于传统光刻的可能性来限制其基本几何参数，这使得有可能 达到等于1016 m-2以上的积分度。 此外，本发明的一个方面使用其独立寻址坐标形式的元件的谐振频率，从而可以降低所需互连的密度。 本发明的另一方面提供了一种具有高度灵敏度的气体传感器，其具有多种用途和灵活的选择性机制以及感官能力再生的可控过程。 本发明的结构提供了用于测量不需要高频信号分析的振荡元件的谐振频率的简单方法。

公开(公告)号：WO2008097736A3

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：PCT/US2008052022

申请日：2008-01-25

Applicant: MICRON TECHNOLOGY INC ,  MILLWARD DAN B

Inventor： MILLWARD DAN B

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  H01L21/033

CPC classification number: C23F1/02 ,  B05D3/00 ,  B05D5/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/3086 ,  Y10S438/947

Abstract: Block copolymers can be self-assembled and used in methods as described herein for sub-lithographic patterning, for example. The block copolymers can be diblock copolymers, triblock copolymers, multiblock copolymers, or combinations thereof. Such methods can be useful for making devices that include, for example, sub-lithographic conductive lines.

Abstract translation: 例如，嵌段共聚物可以自组装并用于本文所述的用于亚光刻图案化的方法中。 嵌段共聚物可以是二嵌段共聚物，三嵌段共聚物，多嵌段共聚物或其组合。 这种方法可用于制造包括例如亚光刻导线的器件。